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- 慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航
以相同的成本，却能达到倍增的容量，各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入，预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘(SSD)爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非挥发性内存高速规格)超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容
- 关键字：
NAND SSD
- 摘要 针对目前各地用电及收费管理不便的问题，文中研究了基于ARM和以太网的远程电参数测量技术。该技术主要用于对电参数的采集和存贮。主控制器采用32位的ARM微处理器STM32F103V，接口硬件设计配合上位机显示电参数
- 关键字：
ARM 以太网 电参数 SPI LabVIEW DataSocket
- 嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。
- 关键字：
Flash NAND FAT 文件系统
- 真实世界的应用需要真实世界的物理连接，一般来说，这意味着模拟信号要在系统内的某处被数字化处理，以便于微处理器、ASIC或FPGA采集数据并做出决策。基本选用标准当选择一款模拟数字转换器(ADC)时，大多数设计师似
- 关键字：
模数转换器 SPI ASIC ADC
- 随着近段时间以来，固态硬盘、内存条甚至优盘等存储设备的大幅度一致性涨价，影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒，开始浮出水面，被越来越多的业内人士，反复解读。
那么，在价格上起着关键性因素的闪存颗粒到底是什么?闪存颗粒和存储设备的价格上涨又有什么关系?2D NAND和3D NAND闪存颗粒之间又有哪些区别?下面，我们一起来聊聊NAND闪存颗粒这些年。
闪存颗粒的释义及厂商
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单
- 关键字：
NAND 存储器
- 摘要：文中详细描述了TMS320C6727DSP两种引导方式，并给出了在工程应用的实现方法。这两种方法都避免了在设计过程中使用外部程序存储芯片，节约了布线空间和设计成本。在引导过程中，主机能够验证写入DSP芯片的数据，
- 关键字：
DSP HPI SPI 引导
- 随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
- 关键字：
Flash NAND 02A 1FT
- 锡膏印刷在无铅制造质量中发挥着关键作用，为印刷过程SMT组装流程的后续环节部分提供了关键的基础。为使制造商能够处理回流焊后焊点的相关问题，根据锡膏沉积特定的根本原因,对无铅对生产线最终质量的影响是至关重要
- 关键字：
SPI 无铅 缺陷 制造
- 摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
- 关键字：
SSD 3D NAND
- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
- 关键字：
Nand Flash 寄存器
- 由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
- 关键字：
3D NAND
- 大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产，武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂，最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片，尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代，然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。
尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大
- 关键字：
存储器 NAND
- 针对某X射线探测器输出信号增益需不断调节以满足后续信号采集电路的输入范围，其偏置电压需要精细调节，文章采用数字电位计和FPGA设计了X射线探测器偏置电压调节系统。阐述了所选数字电位计的参数、特点及内部结构，在此基础上给出了系统的设计方案。文章中FPGA采用SPI通信方式对数字电位计进行配置实现电阻100KΩ共256档的调节，最终给出实际测试结果，验证了采用数字电位计实现偏压调节的灵活性。
- 关键字：
X射线探测器 反向偏压调节 数字电位计 SPI FPGA
- 前些天，有位网友谈到通过FPGA来实现SPI通讯。通过帖子的回复发现好多网友对SPI通讯还有些疑惑，于是今天就带着大家从SPI的标准协议，SPI在STM32单片机上的配置及在74HC595逻辑芯片通讯的实例来全方面认识一下这个既
- 关键字：
STM32 SPI
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