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由于Flash技术的使用量减少，以及HTML5、WebGL和WebAssembly等更好、更安全的技术出现，三年前，Adobe、微软和其它行业技术伙伴同时宣布，将在2020年12月放弃Flash Player。微软今天发布了一则对Adobe Flash Player的终止支持文档，再次提醒用户。微软指出，2020年底，Microsoft Edge（新版和旧版）、IE11都将停止对Adobe Flash Player的支持。不过，对于企业用户，还有转圜余地。为了帮助此类客户，Microsoft Edge将允
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微软 Windows Adobe Flash
据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于
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NAND 闪存
随着智能电网的快速发展，越来越多的住宅终端设备中，诸如智能电表和数据集中器，开始出现了各种智能分析功能。因此，智能电网越来越多的需要依赖各种通信方式来实时的获取、分析电网状态，及时发现问题并报告问题。数据集中器在智能电网中作为终端用户数据的集中器单元，发挥着非常重要的作用。如今，随着终端设备数量的不断增加和大量数据交换需求的增长，对于数据集中器而言，在性能和接口方面将面临新的需求和挑战。因此， 为数据集中器选择核心处理器单元时，需考虑其支持各种通信接口，并能够提供可靠且精确的数据处理的能力。电网通信的多接
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ARM SPI
近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
随着半导体制程不断发展，嵌入式系统开发人员受益良多，但这却为应用处理器用户带来一个难题——用户需要对其设备及收发的数据进行高度安全保护。因为生产应用处理器所采用的CMOS制程，与储存启动码、应用程序代码、以及敏感数据的非挥发性芯片内建NOR Flash使用的制造技术之间差异越来越大。虽然当今先进应用处理器大多是采用次10纳米的制程，NOR Flash制程却因技术上的基本物理特性限制而落后好几代。如今，浮栅闪存电路仍应用于40纳米以上制程所制造的器件。换言之，闪存无法嵌入最先进、最高效能的处理器芯片内。因此
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IoT CMOS SPI
根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查，尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降，但云端服务、远距教学的需求也同步催生，加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货，促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言，目前需求以SSD占最大宗，与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出，当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻，初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变，首次转进SSD的
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NAND Flash
据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条
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三星 NAND 闪存
致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) ,首要任务是提供来自800多家知名厂商的新产品与技术,帮助客户设计出先进产品,并加快产品上市速度。上个月,贸泽总共发布了超过532种 新品 , 这些产品均可以当天发货。贸泽上月引入的部分产品包括:● Analog Devices ADSP-2156x SHARC+单核DSP Analog Devices ADS
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电源 SPI IMU
全球领先的高性能传感器解决方案供应商、移动市场3D脸部识别领域领导者艾迈斯半导体（ams AG）近日宣布，推出两款新型位置传感器 — AS5147U和AS5247U，可降低系统成本，同时提高安全关键型汽车功能（如动力转向、主动减振器控制和制动）的电气化水平，有助于实现更安全、更智能、更环保的汽车。这两款新型位置传感器能够为汽车行业带来多种性能优势，并可降低系统成本。艾迈斯半导体AS5147U是一款智能旋转磁性位置传感器芯片，可用于转速高达28,000rpm的电机。新型AS5247U是一款双堆叠式裸片，可提
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SPI BLDC CRC DSP UVM
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise
SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求
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NAND 三星 intel
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM 注1 。此款容量最高的FRAM产品能在高达摄氏125度的高温下正常运作，其评测样品（evaluation sample）现已开始供应。 此款FRAM非易失性内存在运作温度范围内能保证10兆次读 / 写次数，并支持实时记录像驾驶数据或定位数据等，这类需要持续且频繁的数据记录。由于该内存属于非易失性，并且具有高速写入特点，即使遇到突然断电的状况，写入的数据也能完整保留不会遗失。
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IC FRAM EEPROM SPI
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。
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集邦咨询 数据中心 NAND Flash
近日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”），一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
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武汉新芯 SPI NOR Flash 50nm
● 简介● FRAM的优势● 产品列表● FRAM产品阵列简介FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。 富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的 FRAM产品阵列 ，如果您想获得样品 ，请填写“FRAM样品/文
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FRAM SPI
处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步，开始有了新的进度。根据外媒报导，英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图，在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下，作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
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英特尔 144层 NAND
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