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近期，三星和海力士(Hynix)面向台湾的NAND闪存芯片供货量有所下降，另一方面，英特尔和Micron的合资公司IM则推出了更具竞争力的价格并逐步抢占市场，许多分析人士认为未来闪存市场或许将会出现另一番局面。
三星和海力士减少向台湾内存厂商的供货量，是为了满足苹果这类国际大客户的供货需求。东芝也限制了供应量，唯独没有对群联电子(Phison Electronics)采取限制措施，这使得不少台湾企业开始考虑降低对大厂商产品的依赖。
一些台湾内存厂商指出，它们都不愿意继续向三星和海力士采购，
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嵌入式系统 单片机 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
1 引言
随着嵌入式系统广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和数据管理则成为设计人员考虑的重点。在许多现场不可达数据采集应用中采用分布式数据存储，必然带来数据管理的不便，因此，集中管理数据成为一种思路。利用成熟的网络传输技术集中分布式嵌入式系统数据，采用C/S模式管理数据。对于大容量数据存储，选择介质存储是需要重点考虑的问题。目前大多采用IDE硬盘或SCSI硬盘存储，但都存在抗震和抗电磁干扰能力差、使用温度范围窄，无法长期在恶劣的环境中长期工作。电子式Flash存储器具有速度快、容量大、成本低、体积
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通讯 无线 网络 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微处理器
美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。
NAND闪存方面，预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分别为6%与8.4%。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示，此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存，从而导
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嵌入式系统 单片机 NAND DRAM 闪存 MCU和嵌入式微处理器
11月上旬NAND Flash合约价格大致跌幅约为0-5%，比前两个月跌幅明显缩小，主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作，加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求，根据集邦科技(DRAMeXchange)观察，NAND Flash价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。
随着NAND Flash供货商5X纳米制程产品供应量提高后，下游客户采购颗粒开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流，导致TSOP 4G MLC颗粒跌幅约为11%，相较于其它规格来得显著。有鉴于9月以来
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嵌入式系统 单片机 NAND Flash microSD 嵌入式
引 言
Windows CE为支持多线程、多任务、抢占式的嵌入式操作系统。随着Windows CE 6.0的发布，其内核性能的明显提升和源代码开放，将促使其在消费电子、工业控制、移动通信等领域得到广泛的应用。通常Platform Builder中给出了支持多种CPU常用设备驱动程序，如LCD驱动、鼠标驱动、USB驱动、串口驱动等;但有时由于平台采用了其他特定的硬件设备，其驱动程序在Platform Builder并没有给出，这时就需要用户针对实际的硬件自行开发，以满足个性化的需求。本文所涉及的S
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嵌入式系统 单片机 Windows CE SPI 驱动程序 操作系统
奥地利微电子的全方位服务晶圆代工厂业务部推出一份更加全面的 2008 年度时间表，扩展了其具有成本效益的、快速的专用集成电路(ASIC)原型服务，即所谓以多项目晶圆 (MPW) 或往复运行(shuttle run)。该服务将来自不同用户的若干设计结合在一个晶圆上，有助于众多不同的参与者分摊晶圆和掩膜成本。
RF多项目晶圆服务
奥地利微电子的 MPW 服务包括基于 TSMC(台积电)0.35µm CMOS 工艺的全程0.35µm尺寸工艺。兼容 SiGe BiCMOS
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消费电子 奥地利微电子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微处理器
嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。该系统改进了FAT表和FRT表的存储方式，延长了存储器的使用寿命，提高了稳定性。 NAND Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件，容易出现位反转现象，同时在使用中可
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FAT NAND Flash 存储器 通信 嵌入式系统 嵌入式 无线 通信
Freescale系列的MCU大部分都存在一个SPI模块，它是一个同步串行外围接口，允许MCU与各种外周设备以串行方式进行通信。
目前，Freescale系列的大多数单片机总线不能外部加以扩展，当片内I/O或者存储器不能满足需求时，可以使用SPI来扩展各种接口芯片。这是一种最方便的Free-scale系列单片机系统扩展方法。
SPI系统主机最高频率=主机总线频率/2，从机最高频率=从机总线频率，即硬件体系决定了SPI的最高工作频率。如何在硬件体系结构已定的情况下，使I/O或存储器数据传输效
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嵌入式系统 单片机 Freescale SPI MCU MCU和嵌入式微处理器
根据集邦科技(DRAMeXchange)最新出炉的第三季NANDFlash营收市占率报告指出，NANDFlash品牌厂商在2007年第三季整体营收表现亮丽，逼近三十九亿美元，比第二季增长了36.8%;整体NANDFlash位出货量相较于第二季增长约30%;而就营收排行而言，三星(Samsung)如预期再度蝉连冠军，东芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)营收均有显著的增长。
由于第三季为传统NANDFlash下游客户的备货旺
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嵌入式系统 单片机 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微处理器
IDC在最新的《全球半导体市场预测》中预测，2007年全球芯片销售收入增长速度放慢将为2008年的大增长奠定基础。
据国外媒体报道，2007年全球芯片市场的增长速度将只有4.8%，2006年的这一数字只有8.8%。IDC预测，2008年的增长速度将达到8.1%。
报告指出，如果产能增长速度在明年放缓和需求仍然保持缓慢，芯片市场的增长速度会更快。市场潮流是合并和收购，这可能会改变业界的竞争格局。
IDC负责《全球半导体市场预测》的项目经理戈帕尔说，今年上半年芯片市场的供过于求降低了对各
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消费电子 芯片 DRAM NAND EDA IC设计
最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。
1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
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嵌入式系统 单片机 IC DRAM NAND 模拟IC
iPodTouch面板供货不及，大量出货日期延后，NANDFlash厂最着急，NANDFlash价格反弹后继无力。
据境外媒体报道，为迎圣诞买气，各大NANDFlash厂商铆足了劲，原本寄望因苹果(Apple)iPodTouch成走红圣诞礼物而大量出货，借此将NANDFlash价格回升，然后，却因iPodTouch的关键零组件触控面板出现供货不足，造成iPodTouch出货量受限，继而影响NANDFlash的出货，真是急坏了NANDFlash厂商。
苹果原计划九月起开始出货，但因没有足够的
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嵌入式系统 单片机 NAND 液晶 集成电路 显示技术
最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。
1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
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嵌入式系统 单片机 IC 数据转换 NAND 模拟IC
据美国半导体行业协会(SIA)周一称，在PC和手机等消费电子产品需求的推动下，今年9月份全球微芯片销售收入增长了5.9%。
9月份全球微芯片销售收入从去年同期的213亿美元增长到了226亿美元。今年第三季度全球微芯片销售收入增长6%，从去年同期的640亿美元提高到了678亿美元。
SIA总裁GeorgeScalise在声明中称，第三季度的全球销售比今年第二季度增长了13.2%反映了为圣诞节假日销售准备产品的传统模式已经开始。
消费电子产品的需求非常强劲。第三季度用于传统消费电子产品的
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消费电子 NAND 闪存 芯片 嵌入式
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人
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NAND NOR flash 集成电路 存储器
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