foresee-spi-nand-flash 文章 最新资讯
NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠，因此其上的文件系统研究也日益广泛，本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS，并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时，着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析，并提出改进方案和适用环境。 关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS 引 言 随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
- 关键字： NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
商刊：英特尔NAND闪存面临多重问题
- 北京时间3月5日《商业周刊》文章指出，由于美国经济衰退导致电脑和消费电子产品销售增长减速，对英特尔的NAND闪存芯片业务的利润造成很大压力。 英特尔在2005年下半年宣布与美光科技组成合资公司，共同研发和生产一种名为NAND闪存的内存芯片，这种芯片被广泛应用于各种消费电子产品。两年多来，英特尔巧妙地避过了那些芯片的价格波动。 全球最大电脑芯片厂商英特尔在3月3日晚间宣布，它预计其第一季度毛利率将在54%左右，低于之前作出的56%的预期目标。主要原因在于：NAND闪存的价格低于预期水平。在第
- 关键字： 英特尔 NAND
Flash 单片机自编程技术的探讨
- 核心器件: MSP430 1 MSP430芯片Flash存储器的结构 Flash存储器模块是一个可独立操作的物理存储器单元。全部模块安排在同一个线性地址空间中，一个
- 关键字： Flash 单片机 自编程
NAND和NOR flash详解
- NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
- 关键字： NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加载的可行性分析与实现
- l 引言 在仿真环境下调试DSP板程序之后，还有一项重要的工作要做：怎样实现程序代码的脱机加载。TMS320C6000系列DSP提供了3种引导方式：不加载、HPI加载以及Flash (ROM)加载。实际应用中，多采用外接Flash来加载程序代码。此种方法简单、灵活、成本低，因而受到广大工程技术人员的青睐。由于开发的DSP系统应用板最终要脱离仿真器独立运行，而TMS320C64x系列DSP本身不带这样的存储体，掉电后程序及数据就会丢失。这就需要1个能在断电后保存程序及初始化数据的存储体。Flash
- 关键字： TMS320C64x Flash
分析师称NAND闪存市场可能再次面临崩溃
- 在最近发生了产品种类短缺和平均销售价格走平之后，NAND闪存市场可能会再一次崩溃。 据Needham&Co.LLC公司位分析师EdwinMok称，全球最大的NAND闪存买主苹果计算机公司在12月和1月期间减少了三种类型NAND闪存芯片的采购。现在NAND闪存还没有杀手应用。这些因素都会对NAND闪存市场产生影响。 Mok称，苹果在2006年就曾采取过同样的减少采购的行动，导致了2006年1至9月NAND闪存芯片的供应量超过了需求的70%和价格的下降。 这位分析师称，虽然自从2
- 关键字： NAND 闪存 芯片
基于dds的快速跳频频率合成器的设计
- 介绍了直接数字频率合成（DDS）技术的工作原理及特点，并给出了基于DDS设计快速跳频频率合成器的方案。
- 关键字： 跳频，DDS， AD9952， SPI
内存产业2008年再缠斗 战线不断扩大
- 快闪内存产业的发展在2007年有点出乎各界意料，整个产业的高点反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺货所苦，大家的发展反而绑手绑脚，一路往下滑;2007下半年不但没有传统的消费性电子产品旺季出现，反而NAND Flash价格剧烈的忽上忽下，可说是一团混乱，终于2007年第四季面临了NAND Flash崩跌走势，虽然大家对于「寒流」来袭，都已有心理准备，但仍是不敢大意。 TRI观点： 2007年内存产业的变化多端，出乎大家的意料，然而其中影响甚巨的一个事件，就是Samsun
- 关键字： 内存 NAND Flash MCU和嵌入式微处理器
2008：巨型晶圆厂初露锋芒
- 以DRAM和Flash为代表的存储器平均销售价格(ASP)自去年年初以来经历了令人震惊的下滑。随着现货价格与合约价格不断创下新低，价格压力充斥着整个上一季度。由于价格走低，对于NAND闪存等存储器的需求正在升温。呈井喷之势的预测数字显示出我们当前正处在黎明前的黑暗阶段，一个巨大而不断增长的市场即将出现。某些预测显示NAND闪存需求量将从2006年7,370亿兆字节增长至2011年的33.5万亿兆字节。 大举扩产NAND闪存 低价同时也推动了需求的增长，使得部分厂商出现供给不足。以东芝(To
- 关键字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微处理器
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