- ·随着IGBT升级换代，变频器性能不断提高，体积不断减小。
·三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。
日本从上世纪80年代开始使用工业用的变频器，还有家庭用的变频空调，在市场上变频技术得到了很快的发展。最初变频器都用晶闸管，但是后来出现了用在变频器上的IGBT。通过使用IGBT，功率损耗大幅降低。同时，经过25年的发展，出现了各种各样的研究开发成果，目前三菱电机的IGBT芯片已经发展到第6代。可以举一个直观的例子来说明IGBT的发展水平：如果
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IGBT 变频器
- 摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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保护 电路设计 集中式 IGBT 矩阵 变换器 基于
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
- 本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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IGBT 软开关 损耗
- MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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MOS-FET 开关电路
- 1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时，VGS=0，J-FET导通，传输信号至VO；当VC比V1足够负，VD导通而J-FET截止，VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
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J-FET 开关电路 工作原理
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元，增长率达到23.2%。
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%，MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率
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MOSFET IGBT
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 VP FET 结合 使用 万用表
- 近日，中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心，并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式，为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更加坚实的基础。
中国南车2008年10月成功收购了丹尼克斯半导体公司，获得了战略性资源，与中国南车现有功率半导体产业形成优势互补。为寻求更大发展，南车确立了功率半导体器件世界第一的战略目标，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融资，进一步加大对功率半导体产业的投资，着力提升六英寸IGBT芯片的生产能力;同时建立世界水平的功率半导体研发中心，
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轨道交通 IGBT
- 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟定时电路
- 针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。
混合动力车辆中功率半导体模块的要求
工作环境恶劣(高温、振动)
IGBT位于逆
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IGBT 汽车级 混合动力车 中的设计
- 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算电路
- 英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。
近年来，各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT，比如开关和通态损耗优化，以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS 和UPS)等高频应用，帮助最大
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英飞凌 IGBT UPS
- 英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块：采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块，和EconoDUAL系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600 A的EconoDUAL 3。
英飞凌公司副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出这两款新产品，英飞凌再次巩固了其在提供具备最高功率密
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英飞凌 IGBT PrimePACK
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念，两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定，三菱电机将新一代功率芯片，应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中，推出的具备不同额定电流和电压(电流范围：15A 至150A，电压等级：600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT
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