- 如何保护你的系统不受反向电流的影响- 在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以相反的方向运行；从输出到输入。幸运的是，有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章，在这篇文章中，你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
- 关键字：
FET TPS22963 德州仪器 反向电流
- 三种IGBT驱动电路和保护方法详解-本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，以及对IGBT驱动电路的基本要求。
- 关键字：
IGBT 驱动电路 2SD315
- IGBT式感应加热电源常见缺陷简要分析-目前国内大部分生产厂商已经采用IGBT结构的感应加热电源，这种结构的加热电源能够维持长时间高效工作，且安全性比较高，因此比较受到生产商和消费群体的欢迎。
- 关键字：
IGBT 电源管理 变压器
- 揭开电池管理系统的神秘面纱-现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色，电池技术进步推动了这一进展，并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来，电池效率（输出功率/尺寸比）和重量均出现大幅改善。试想一下汽车电池得多庞大和笨重，其主要用途是启动汽车。随着技术的最新进展，你可以改用锂离子电池来迅速启动汽车，其重量只有几磅，尺寸也就人手那么大。
- 关键字：
电池管理系统 FET FET驱动器
- 几种IGBT驱动电路的保护电路原理图-本文为您介绍几种常见的IGBT驱动电路原理及其保护电路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驱动电路、2SD315A集成驱动模块，并附上电路原理图。
- 关键字：
igbt 驱动电路 电路图
- IGBT在逆变电路中的测试与仿真，IGBT逆变器缓冲定律-在设计缓冲电路时，应考虑到缓冲二极管内部和缓冲电容引线的寄生电感。利用小二级管和小电容并联比用单只二极管和单只电容的等效寄生电感小，并尽量采用低感或无感电容。另外，缓冲电路的设计应尽可能近地联接在lGBT模块上。以上措施有助于减小缓冲电路的寄生电感。
- 关键字：
igbt 电容 电阻
- 双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？-不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流桥直流输出+ -端接电容器滤波，电容器2个串联之后正极接整流桥正极+，电容器负极接整流桥负极-，2个串联的电容器中间引出一根线接地线，也就是双18伏交流的抽头。这样就可以在直流输出端得到正负20伏的双电源了。
- 关键字：
整流电路 晶闸管 igbt
- 什么是IGBT？如何使用此模块实现“双面水冷”，IGNT未来的发展趋势又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
- 关键字：
igbt 散热器 新能源汽车
- 电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试-电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。
- 关键字：
igbt 电动汽车 逆变器
- IGBT的结构与各种保护设计方法详解-GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。
- 关键字：
igbt
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法- IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
- 关键字：
igbt
- “新型功率半导体器件及应用创新中心的成立，将推动形成‘技术创新—转化—规模化应用—投资再创新’的闭环，推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。”日前，在湖南株洲召开的“湖南省IGBT产业对接会”上，中国工程院院士、中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军说。
新型功率半导体是关系国民经济命脉的共性关键技术，涉及先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电
- 关键字：
IGBT 功率半导体
- 一个国家老工业城市如何在新时期取得成功?
美国硅谷的经验值得我们借鉴。第三次科技革命以来，硅谷不断创造和孕育出世界上最伟大的公司，并不断汇聚世界各地的人才、技术和资本，历经岁月变迁而始终屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的创新覆盖了很多领域(互联网、通信、生物制药、电动汽车等)，以至于很难讲它的支柱产业是什么。
硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心竞争力——创新。
如今，中国内陆的老工业基地株洲，也开始了基于创新的城市全方位转型升级。这座素有“动力之都
- 关键字：
中国芯 IGBT
- 三菱电机起初根据客户的要求设计定制化的汽车级模块，并且从1997年起就将汽车级IGBT模块成功地应用于电动汽车中。随后推出了非定制型的J-系列汽车级功率模块T-PM和IPM;目前针对全球推出了新一代汽车级功率模块J1-系列EV PM。
- 关键字：
三菱 电机 IGBT
- 东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器“TLP5832”。该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。出货即日启动。 新IC采用SO8L封装，封装高度比东芝采用SDIP6和DIP8(LF1选项)封装的现有产品降低约54%，可为封装高度有限的电路板安装提供支持，同时有助于实现芯片组小型化。尽管尺寸小，但是该IC可保证爬电距离和至少8mm的电气间隙，使其适合需要高隔离性能的应用。 此外，该新型栅极驱动光电耦合器可在–40至+110
- 关键字：
东芝 IGBT
fet-igbt介绍
您好，目前还没有人创建词条fet-igbt!
欢迎您创建该词条，阐述对fet-igbt的理解，并与今后在此搜索fet-igbt的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
