死区就是在上半桥关断后，延迟一段时间再打开下半桥或在下半桥关断后，延迟一段时间再打开上半桥，从而避免功率元件烧毁。 PWM脉宽调制 在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如igbt。这两个igbt不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区的PWM波可以防止上下两个器件同时导通。也就是说，当一个器件导通后关闭，再经过一段死区，这时才能让另一个导通。 死区,简单解释 通常,大功率电机、变频器等，末端都是由大功率管
关键字：
PWM IGBT
EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠，为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。 宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告，展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果，以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得
关键字：
宜普电源 FET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家用电器的驱动电机、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具。新产品还适用于超过600W的电源，以及燃料电池、太阳能和风力发电应用的反相器。 DGD21xx系列具有可自举到高达600V的浮动高侧驱动器，使之适用于在电机驱动器及电源常见
关键字：
Diodes IGBT
爱之深、恨之切，因为我们太在意国芯的自强，所以才会怒其不争，不能凭自己的实力说话，而是需借助外力，收购也许是最省力的办法。
关键字：
IGBT 芯片
近日，德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。bq76200高电压解决方案能有效地驱动能量存储系统，以及电机驱动型应用中常用电池里的高压侧N沟道充放电FET，包括无人机、电动工具、电动自行车等等。如需了解更多详情，敬请访问：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
电感性
关键字：
TI FET
全球先进电子元件分销商世强日前与国际桥堆制造领军企业Shindengen签订分销协议，前者正式代理包括桥堆、二极管、电源模块、可控硅、IGBT、MOS等在内的新电元全线产品。 新 电元工业株式会社于1949年成立以来，主要从事功率半导体和开关电源、电装制品的制造和销售，并以电力电子技术为主要领域。旗下的电源用肖特基二极管、桥堆等分立器件产品的市场占有率稳居世界前列，在日本国内占95%的市场份额。其整流桥在全世界占有接近40%的市场份额，素有“桥王”之称。 新 电元的主打产品——
关键字：
世强 IGBT
工业运动控制涵盖一系列应用，包括基于逆变器的风扇或泵控制、具有更为复杂的交流驱动控制的工厂自动化以及高级自动化应用(如具有高级伺服控制的机器人)。这些系统需要检测多个变量，例如电机绕组电流或电压、直流链路电流或电压、转子位置和速度。变量的选择和所需的测量精度取决于终端应用需求、系统架构、目标系统成本或系统复杂度。还有其他考虑因素，例如状态监控等增值特性。据报道，电机占全球总能耗的40%，国际法规越来越注重全体工业运动应用的系统效率(参见图1)。
图1：工业
关键字：
调制器 IGBT
模拟信号的隔离是非常头疼的，有时候不得不需要隔离。大部分基于以下需要： 1.隔离干扰源; 2.分隔高电压。 隔离数字信号的办法很多，隔离模拟信号的办法却没有想象的那么多，关键是隔离的成本，比想象的都要高出许多。特别是要求精确测量的场合，模拟信号的隔离，成本高得更加是离谱的无法想象。我从事这种系统开发多年，对自己所知道的隔离方法做个小小的总结： 数字隔离方法： 1. 光耦; 2. ADI 的磁隔离芯片,ADuMXXXX(XXXX为数字代号，如 I2C的ADuM1250); 3.自己用变压器
关键字：
模拟信号 IGBT
贸泽电子 (Mouser Electronics) 为首家分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列产品在175°C的温度下，能够提供业界领先的1.60 VCE(sat) 低典型饱和电压，因此即使在高温工作条件下，也能保持较高的能效。 Mouser分销的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了开关性能，可降低电路复杂度，此外由于不需要电容与齐纳二极管，还可以降低整体系统成本
关键字：
Infineon IGBT
英飞凌科技股份公司进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容，推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护，比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动，采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离(HVJI)工艺，以实现小型封装，同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V器件专为低压(24 V、36 V和48 V)和中压(60 V、80 V和100 V)应用量身定制
关键字：
英飞凌 IGBT
IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代了，由穿透型发展到非穿透型。IGBT模块也在此基础上同步发展，单管模块，半桥模块，6管模块，到现在的7管模块。IGBT驱动设计上比较复杂，需要考虑较多的因素，诸如合理的选择驱动电压Uge和门极驱动电阻Rg，过流过压保护等都是很重要的。IGBT模块广泛用于UPS，感应加热，逆变焊机电源，变频器等领域。
关键字：
Vincotech IGBT
IGBT这技术国内确实不够，现在量产并使用在高铁上，也是一大飞跃。
关键字：
高铁 IGBT
1. 概述
HWKT—09型微机励磁调节器是武汉洪山电工技术研究所研制的新型的由IGBT作为功率输出器件的自并激微机励磁调节器。它的最大特点是结构简单，主控回路只需一块面积为25×20(cm2)的印制电路板，以Intel公司准16位单片机(8098)为核心，加上外围接口芯片组成的控制系统。该装置于2000年12月在我站#1、#5机上成功投运，目前运行良好。
2. IGBT自并激励磁系统的组成及主回路原理
2.1 励磁系统组成及接线方式
自并激励磁系统也就
关键字：
IGBT 励磁系统
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统(HVAC)电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关(hard-switching)电路拓扑20kHz功率转换应用。
采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅(trench gate)和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之
关键字：
意法半导体 IGBT
无论LED是经由降压、升压、降压/升压或线性稳压器驱动，连接每一个驱动电路最常见的线程就是须要控制光的输出。现今仅有很少数的应用只需要开和关的简单功能，绝大多数都需要从0～100%去微调亮度。目前，针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节LED的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(PWM)来设定循环和工作周期可能是实现数字调光的最简单的方法，原因是相同的技术可以用来控制大部分的开关转换器。
PWM调光能调配准确色光
关键字：
PWM FET
fet-igbt介绍
您好，目前还没有人创建词条fet-igbt!
欢迎您创建该词条，阐述对fet-igbt的理解，并与今后在此搜索fet-igbt的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473