- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
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Nexperia 超低电容 ESD 保护二极管 汽车数据接口
- 杭州联芯通半导体有限公司（简称联芯通）HomePlug® GreenPHY 芯片符合 CCS 电动汽车充电系统通信协议 ISO 15118-3。最近，联芯通的合作伙伴 ADVANTICS 宣布一项新进展，他们将提供 CCS ISO 15118-20 的软件更新，包括支持电动汽车和充电站充电控制器的双向电力传输。ISO 15118-20 是车辆到电网 (V2G, Vehicle-to-Grid)&n
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联芯通 电动汽车 ISO 15118-20
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
- Swissbit 通过开创性的新产品扩展了该公司的工业级存储卡产品线。Swissbit 推出的全新 G-20 产品系列中包含多款 CFexpress 2.0 Type B 存储卡，该标准被认为是 CFast 标准的高性能继承者。CFexpress 将可移动存储介质的所有优点与 PCIe-SSD 的高性能整合到了坚固的外壳中。该产品所适用的应用非常广泛，如工业自动化、游戏、运输、医疗技术以及热管理至关重要的应用等。全新的 CFexpress 产品系列容量最高为 1 TB，使用了 2 通道 NVMe 1.3
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CFexpress G-20
- 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
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主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 202108 MOSFET
- 非对称双向可控硅（ADDSCR）是在考虑了保护环结构之后，为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构，但是其维持电压较低，容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压，基于0.18 μm BCD工艺，设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真，证明HHVADDSCR具有高维持电压，避免了闩锁，且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
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202107 非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
- 全球领先的半导体测试插座和测试应用解决方案供应商史密斯英特康宣布推出其应用于外围IC测试的Joule 20高频测试插座。Joule 20 高频测试插座当前随着5G等高速通讯标准的升级，新的RF芯片广泛应用于手机，平板，可穿戴设备，无人驾驶汽车等移动设备，对RF射频测试插座的需求越来越多，标准也越来越高。Joule
20出色的接触技术和高频能力有效的保证了信号传输的可靠性和完整性。此外，其创新的设计结构可允许拆卸测试插座外壳而无需将其从PCB板上卸下，在设备测试期间仍然可进行清洁和维护工作，从而大大
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史密斯英特康 高频测试插座 Joule 20
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。 Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说：“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，这需要更优秀的抗干扰保护，尤其是在紧凑的无线应用中，这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
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Nexperia ESD
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件，这些器件通过了AEC-Q101认证，适用于车规级应用，并且可承受高达175°C的高温。同时，与所有TrEOS器件一样，这些新的车用器件具有很低的电容，可确保高信号完整性，并具有很低的钳位电压和高稳健性，适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
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Nexperia 车用TrEOS ESD
- 8月27日消息，中兴为首款屏下摄像头手机AXON 20 5G预热。中兴官方介绍，屏下摄像区域在整个屏幕中占比仅为千分之二，小小方寸之地中既实现拍照又完成显示，我们的攻城狮们夜以继日地研究、打磨，最终呈现一个完整解决方案。官方强调，做中兴AXON 20 5G的难度你可能无法想象，第一关就要攻克屏体材料。将手机剖开看，屏幕可以分成7层：盖板玻璃、偏光片、封装玻璃、阴极、OLED、阵列、基板玻璃。最重要的几层用了超高透微米级新材料，并对膜层结构作了增透处理，最大限度地增加了屏体的透明度，并同时抑制了光学衍射。官
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中兴 AXON 20 5G 屏下摄像头
- 全面屏经历了18:9、刘海、水滴、滑盖、升降、挖孔等一系列形态之后，业界期待的屏下摄像头即将量产商用，首发机型为中兴AXON 20 5G。8月22日消息，中兴AXON 20 5G上架京东自营中兴官方旗舰店，这是首款屏下摄像头技术量产商用机型。当前中兴AXON 20 5G通过工信部入网许可，其屏幕尺寸为6.92英寸，材质为OLED，分辨率为FHD+。核心配置上，中兴AXON 20 5G最高配备12GB内存+256GB存储，前置3200万像素，后置6400万AI四摄，电池容量为4120mAh。中兴通讯吕钱浩表
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屏下摄像头 中兴 AXON 20 5G
- 8月18日消息，中兴通讯终端事业部总裁倪飞公布了中兴AXON 20 5G的正面照。如图所示，中兴AXON 20 5G采用无刘海、无挖孔、无水滴的全面屏形态。倪飞指出，刘海屏、升降头、水滴屏是消费者不得不接受的妥协，你所期待的终将到来。据悉，中兴AXON 20 5G首发屏下摄像头技术，这将是业界第一款量产商用的屏下摄像头手机。中兴通讯吕钱浩在与网友互动时强调，中兴AXON 20 5G实现了量产商用，不是PPT。此前型号为ZTE A2121的中兴新机获得入网许可，它应该就是即将登场的中兴AXON 20 5G了
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屏下摄像头 中兴 AXON 20
- Roland Quandt曝光了三星Galaxy Note 20 Ultra的核心参数。作为三星的年度旗舰，Galaxy Note 20 Ultra的S Pen是一大看点。其延迟仅有9ms，旨在书写体验更加真实，更接近传统手写笔的使用效果。第二大看点是云游戏，三星与微软合作，借助Xbox Game Pass，Galaxy Note 20 Ultra可以畅玩90多款云游戏，使Galaxy Note 20 Ultra成为一款便携式游戏机。核心配置上，Galaxy Note 20 Ultra采用6.9英寸AMO
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三星 Galaxy Note 20 Ultra
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