- 在日常生活中，人们触摸车门时偶尔会感到手指刺痛或静电冲击，这感觉仅会令人不快；但对于一些电子组件，遇上静电放电(ESD)可能意味着完全失效。半导体结构越微小，模拟和数字I/O引脚的阻抗越高，便越容易受到静电放电(ESD)的影响。可能的后果包括p/n结的热击穿、氧化物击穿(电介质击穿)，以及金属化层的熔化。目前电子组件大约占据一辆汽车总价值的三分之一，而且这个比例还将上升。汽车中17%的半导体故障是由静电放电(ESD)造成的，因而必需采取适当的ESD保护措施。在日常生活中，人们触摸车门时偶尔会感到手指刺痛或
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儒卓力 ESD
- 【2023 年 4 月 6 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出新款双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，以满足市场妥善保护高速数据端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以满足保护静电放电 (ESD) 冲击和突波事件。这款产品的主要应用为高效能运算硬件、智能型手机、笔记本电脑和平板电脑、显示器及游戏机的 I/O 端口。虽然许多竞争产品必须在设计上做出折衷，择一选择强大的突波保护特性或低输入电容，D3V3Z1BD2CSP 可以同时提出这两项优点。它
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Diodes TVS ESD 突波保护
- 3月30日，魅族正式发布全新旗舰MEIZU 20系列。MEIZU 20系列全系搭载第二代骁龙8移动平台，在性能、游戏、影像、连接等多领域为用户带来极致体验。热爱无界。MEIZU 20系列包括“无界美学”MEIZU 20 INFINITY无界版、“巅峰体验”MEIZU 20 PRO和“锐利先锋”小屏真旗舰MEIZU 20，全部搭载第二代骁龙8移动平台。第二代骁龙8移动平台基于行业领先的4nm工艺制程打造，采用创新的CPU架构设计。全新Kryo CPU采用Cortex-X3超级内核，与前代平台相比，性能提升高
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骁龙8 MEIZU 20
- 在3月28日至31日于拉斯维加斯举办的2023年国际安全会议和展览（ISC West）上，J-Squared和Blaize®将展示J-Squared的FALC产品系列。 FALC产品系列专为边缘位置的视频应用程序和人工智能应用程序而设计，具有坚固耐用的工业版本，适合任何环境，是各种应用和行业的理想选择。 J-Squared的旗舰产品FALC-20提供最高64 TOPS的人工智能推理性能，可以支撑1到4个Blaize® Xplorer™ X1600E EDSFF小型加速卡。“开发自己的EDSFF卡解决方案版
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J-Squared Blaize 人工智能推理 小型计算机 FALC-20
- 随着智能手机和TWS等移动设备日趋小型化和高功能化，设备和集成电路（IC）对ESD（静电放电）和浪涌的抗扰性越来越弱。此外，这些移动设备被要求支持触摸操作和可穿戴设计的机会也逐渐增多，因此采取ESD保护措施变得空前重要，这也极大地促进了ESD保护元件的应用。随着智能手机和TWS等移动设备日趋小型化和高功能化，设备和集成电路（IC）对ESD（静电放电）和浪涌的抗扰性越来越弱。此外，这些移动设备被要求支持触摸操作和可穿戴设计的机会也逐渐增多，因此采取ESD保护措施变得空前重要，这也极大地促进了ESD保护元件的
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TDK LED ESD
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，采用新一代Cyllene 2 IC升级红外遥控应用TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和 TSOP77xxx系列红外（IR）接收器模块。配置新型IC旨在确保产品长期供货并缩短交货期，有助于设计人员大幅降低更宽电源电压范围内的供电电流，同时提高抗ESD和阳光直射的可靠性。日前发布的增强型Vishay Semiconductors接收器可用于电视机、机顶盒（STB）、音响和游戏机、空调等电器，以及
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Vishay 红外接收器 ESD
- 在电子产品开发中ESD静电防护是不可或缺的一环，下面就为大家简单介绍一下，核心板产品开发时有用的ESD二极管知识和技巧。ESD管的介绍ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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ZLG 嵌入式 ESD
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
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Nexperia 高速数据线 TrEOS ESD 保护器件
- 随着工业物联网的飞速的发展，5G时代的到来，工业控制系统在生产领域应用越来越广泛，工业物联网为未来工业控制系统灵活性和可扩展性的需求提供了支持。工业物联网使我们的生产数据可以进行规模化集中存储，并利用高速采集、云计算等技术对这些大数据进行分析、挖掘，进而优化生产效率。 工业网关是跨系统互联的桥梁，对接口的类型和数量要求多样化，对设备的可靠性、处理性能、信息安全等要求高，而一般的 MCU 芯片解决方案已经难以应对工业网关的诸多需求，比如外设接口、安全加密解密、访问控制等整体的解决成本较高。米尔电子
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工业网关 Zynq-7010/20 米尔 Zynq－7000 工业物联网
- Teledyne FLIR Blackfly S GigE 相机系列新增 6 款产品：采用 8MP Sony IMX546 的 BFS-PGE-80S5M/C-C： 彩色和 单色采用 12.3MP Sony IMX545 的 BFS-PGE-120S6M/C-C： 彩色和 单色采用 20MP Sony IMX541 的 BFS-PGE-200S7M/C-C： 彩色和 单色这些型号具备强大传感器、分辨率和功能，进一步丰富了 GigE Vision
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Sony Pregius S 传感器 Blackfly S 8-20 MP 相机
- TDK的多层贴片式压敏电阻产品阵容齐全，可保护设备因受ESD（静电放电）影响而引发的故障和误动作，能帮助客户有效解决ESD问题。但随着用户设备的小型化、轻量化和高功能化，以前效果出众的多层贴片式压敏电阻产品也出现了无法充分发挥保护效果的情况。为了查明原因，我们以客户设备的小型化为前提进行了ESD实验，本期推文就来为您详细介绍通过此次实验得出的各数据与结果。5G技术的发展实现了设备之间的相互协作和实时通信，也对设备的设计提出了更高的要求，比如更小、更轻、更低功耗、更高功能、长期运行、高可靠性、更高的EMC耐
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TDK ESD
- ESD，是静电放电(Electrostatic Discharge)是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是一种常见的近场危害源，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。静电的来源在电子制造业中，静电的来源是多方面的，如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。人体是最重要的静电源，这主要有三个方面的原因：1、人体接触面广，活动范围大，很容易与带有静电荷的物体接触或摩擦而带电，同时也有许多机会将人体自身所带的电荷转移到器件上或者通过器件
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ESD 静电放电
- 将一个电容充电到高电压（一般是2kV至8kV），然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件（图1）。电荷的极性可以是正也可以是负，因此必须同时处理好正负ESD两种情况。 (1)HBM(Human Body Model)，人体放电模型； 指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时，产生的ESD现象。 人体等效电阻约1500欧姆，等效电容值为lOOpF，Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~10ns范围内，持续时间在150~200ns范围内
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ESD 静电放电
- ESD（Electrostatic discharge），中文释义为静电放电。 造成静电放电有多种原因，但最常见的是静电和静电感应。静电通常是通过摩擦充电产生的，而静电感应则是作为物体的电荷重新排列而产生的。通常，当一个物体的表面获得负电子而另一个物体失去电子并带正电时，就会产生摩擦充电。当带相反电荷的物体相互接触时，电子传递能量然后分离，形成一种电荷接触带电。 在工业生产中静电放电会导致两种类型的电气设备损坏，具体如下： 灾难性的：造成永久性伤害。 潜伏性的：几乎检测不到，已经对组件造成损伤
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ESD 静电放电
- 记得小学时候的自然课上老师用冬天脱毛衣时的火花向年少的我们描述静电的情形，那时候不禁对大自然肃然起敬。没想到很多年之后学习集成电路课程，又一次跟静电有了接触，只是这一次没有年少时的轻松与愉悦。静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成电子元件或电子系统遭受过度电应力而被永久破坏。静电放电破坏的产生，大多数是由于人为因素造成的，但又很难避免。在芯片制造、生产、测试、搬运等过程中，静电会积累在人体、仪器、设备之中，甚至芯片本身也会积累静电，这些静电一旦在某些情况下形放电通路
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ESD 静电放电
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