英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。
通过大幅降低三个关键的能效优值(FOM)，这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电
关键字：
英飞凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的
关键字：
技术 荟萃 驱动 MOSFET 功率 开关电源 电源
CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A，4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225
关键字：
CISSOID MOSFET 晶体管
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。
这些新的500 V和60
关键字：
安森美 MOSFET 功率开关
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的
关键字：
NXP 晶体管 MOSFET
1对于理想开关的需求功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时，由于切换时间通常较长，因此装置的成本、尺寸及导通电阻
关键字：
NexFETTM MOSFET
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UC
关键字：
MOSFET 驱动器 数字控制电源 性能
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：
关键字：
安森美 MOSFET
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
关键字：
电路 耳机 功放 JFET-MOSFET 以及 麦克风 电脑
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX15054在单串和多串LED驱动器中通过使用降压以及单电感升降压拓扑结构，并将地电位作为输出电压的参考点，从而使设计人员避免了采用SEPIC结构带来的成本和设计复杂度。
MAX15054可提供2A驱动电流，具有极低(12ns，典型值)的传输延时和较短的上升、下降时间。器件的双UVLO (欠压锁定)功能保
关键字：
Maxim 驱动器 MOSFET MAX15054
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。
LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收
关键字：
Linear MOSFET 驱动器 LTC4449
RS Components于今日宣布，增加飞兆半导体900种新装置，飞兆是全球领先节能半导体技术供应商。RS目前拥有最先进、最全面的飞兆电源产品系列，均可从库存直接发货至广大设计工程师。
新添加的电源IC家族包括飞兆获得大奖的直流直流控制器，融合了领先行业的便携式装置高功率、高性能、功率密度和规格等特点。RS推出的飞兆系列也包括Intellimax™负荷开关和MOSFET、高性能光耦合器、二极管、IGBT、逻辑及接口产品。
飞兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
关键字：
RS 电源 IGBT MOSFET Intellimax
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟
关键字：
IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
关键字：
Vishay MOSFET FET
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM)，OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。
对于应用二极管整流的48V开关电源而言，工程师们现在有了全新的选择，从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点，从功率损耗的角度看，也就是发热量降
关键字：
英飞凌 MOSFET OptiMOS
elitesic mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条elitesic mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对elitesic mosfet的理解，并与今后在此搜索elitesic mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473