- ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP Velocity DDR存储器接口获得TSMC IP质量认证 ARM公司发布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的9
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- 据国外媒体援引消息人士透露，韩国芯片巨头三星电子计划进一步缩减DDR2内存产能，并将生产线用于盈利更好的NAND闪存。 据业内消息人士透露，在本季度，三星电子已经将其DDR2内存的产能压缩了大约5000万个 “256Mbit单位”。到明年第一季度，该公司计划进一步压缩5000万个单位。这位消息人士说，三星电子计划用这些腾出的生产线生产目前市场供不应求的NAND闪存产品。 三星电子这个举措符合存储市场调研公司iSuppli对明年DRAM市场所作的估计。据这家机构
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- 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，由于DRAM厂商面临过低的DRAM价格不愿放货，导致带动UTT(未经完整测试)产品的价格反弹。 适逢香港12月24日至12月27日的圣诞节假期，市场上买家也较为谨慎的掌控手中的库存，部分系统整合商以及OEM厂也不愿意在年底前买货增加库存，使得上周现货市场方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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- 企业网路设备厂商 - 美商凯创(Enterasys Networks)表示，日内发表其获奖产品Dragon入侵侦测系统（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基础架构中加入更好的延展性、可用性与弹性，以强化企业网路的安全
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