TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷认为，在需求面不弱、新一代产品DDR4与LPDDR4比重增加价格提升下，2015年DRAM整体跌幅有限，从各DRAM厂的竞争态势来看，三星在各领域中制程转进进度最快，成本下降比其他竞争厂商明显，台系厂商部分，南亚科(2408-TW)转型为利基型记忆体公司，仍将有不错的获利空间。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，1月标准型记忆体价格大部分还在议定当中，目前看来月跌幅不超过6%
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DRAM 南亚科 SK海力士
光学在半导体、电子、资通讯产业的运用相当广泛，例如光电半导体的LED可做为灯号、照明;光电半导体的CCD、CMOS影像感测器可做数位相机、数位监控，光机电微系统的DMD可做投影机;光电晶体、耦合器用于自动控制等。
或者是光储存，如BD蓝光光碟片;或者是光通讯，如FTTH光纤到府宽频，而光通讯实际上又分成有线与无线，有线如光纤到府，即xPON的各种被动式光学网路;或者是大企业的资讯机房、资料中心内所用的储存区域网路SAN;消费性电子领域，如过去Sony MD用的光学S/
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光通讯 CCD CMOS
2015年全球半导体行业收入预计将达3580亿美元，较2014年增长5.4%，但仍然低于之前5.8%的增长预期。
半导体市场的增长动力包括智能手机专用标准电路ASSP，以及超移动PC和固态硬盘中使用的DRAM和NAND闪存芯片。
“由于DRAM恢复传统的降价方式，而整个行业需要消耗假期的过多库存，因此2015年的半导体收入增长可能较2014年的7.9%有所放缓。”业内人士认为，“由于供应短缺，DRAM价格在2014年基本保持坚挺，使之成为2014年增速最
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物联网 DRAM NAND
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
1 引言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧 厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的
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ESD CMOS
今日消息，据市场研究公司Gartner称，全球半导体收入将在2015年达到3580亿美元，较2014年增加5.4%。这一增长率比Gartner在去年第四季度预测的增长率即5.8%有所下调。
Gartner研究总监约恩艾伦森(Jon Erensen)表示：“预计半导体收入在2015年的增长率将比2014年的7.9%有所减缓，这主要是因为DRAM将恢复传统降价周期和半导体行业消耗掉去年节日旺季剩余的存货。”
艾伦森指出：“DRAM的价格在2014年异乎寻常地
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半导体 DRAM 英特尔
韩国业界高层向韩国时报透露，今年新订单畅旺，芯片业者可望荷包满满，然而SK海力士制程发展较慢，若追上三星，今年下半或许会有新一波“懦夫博弈”(game of chicken)，意味业者可能会流血竞争，扩产抢市占。
相关人士说，三星电子添购设备，生产更多服务器和计算解决方案用的DRAM，并扩增第17线厂产能。据传三星接获大单，会增产企业服务器用的20纳米内存。业界高层说，不是所有内存商都能开心度过今年，三星和SK海力士的制程技术拉大至两年，可能会有新一轮的生存大战。
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SK海力士 美光 DRAM
市场研究机构TechNavio 近期发布的报告指出，全球平板电脑(tablet)市场对 DRAM 的需求持续增加，其营收在 2018年以前将以10.64%的复合年平均成长率(CAGR)温和成长，不过供应商们仍面临一些挑战。
根据TechNavio的估计，平板电脑用行动DRAM市场营收规模在 2014为15.1亿美元，预计该数字将在 2018年增加到25亿美元，成长率约9.3%;以出货量来看，2013年平板电脑用行动DRAM位元出货量为22.4亿Gbit ，之后将以每年35.3%的平均成长率在20
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DRAM 平板电脑
三星电子(Samsung Electronics)日前发布2014年第4季暂定财报，营收止跌回升为52兆韩元(约478.8亿美元)，其中半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部贡献达一半以上，可说是最大功臣。
据韩媒ChosunBiz报导，三星电子在1月8日发布2014年第4季暂定财报，业绩终于跌回升，营收为52兆韩元，营业利益达5.2兆韩元。
韩国KDB大宇证券推估，三星电子DS部门第4季贡献营业利益约2.9兆韩元，比IT暨移动通讯(IM)事业部高出1兆韩元左右。第3季DS部门营业利益(2
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苹果 DRAM NAND Flash
三星(Samsung)宣布将以该公司20奈米(nm)先进制程，量产业界首款8Gb第五代绘图双倍资料率(GDDR5)动态随机存取记忆体(DRAM)。GDDR5为目前市场上被广泛采用的独立型(Discrete)绘图记忆体。
三星电子记忆体销售与行销执行副总裁Joo Sun Choi表示，三星预期8Gb GDDR5 DRAM可提供原始设备制造商(OEM)最高效的绘图记忆体解决方案，并为游戏机(Game Console)、笔记型电脑及桌上型电脑等装置提供出色的效能。
Joo Sun Choi进一步
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三星 GDDR5 DRAM
Gartner发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。
Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.
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Gartner DRAM NAND
据观察，受制于苹果(Apple)应用处理器(Application Processor;AP)转单，三星电子(Samsung Electronics)智能手机销售成长趋缓，且三星AP不易整合LTE(Long Term Evolution)等功能，使得2014年三星系统IC事业营收与南韩系统IC出口金额皆较2013年下滑，也导致南韩系统IC贸易在历经 2011~2013年连续3年顺差后，2014年转为逆差16亿美元。
南韩将半导体贸易统计区分为存储器与非存储器两大项，主因为其半导体以存储器为大宗出
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三星 DRAM AP
在当前图像传感器市场，CMOS传感器以其低廉的价格得到越来越多消费者的青睐。在目前的应用中，多数采用软件进行数据的读取，但是这样无疑会浪费指令周期，并且对于高速器件，采用软件读取在程序设计上、在时间配合上有一定的难度。因此，为了采集数据量大的图像信号，本文设计一个以CPLD为核心的图像采集系统，实现了对OV7110CMOS图像传感器的高速读取，其读取速率可达8 Mb/s。
1、硬件电路方案
图1为基于CPLD的OV7110CMOS图像传感器的高速数据采集系统原理框图，他主要由2个部分组成：
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CPLD CMOS OV7110
引言
但是，目前市场上的大部分基于CMOS图像传感器的图像采集系统都是采用DSP与图像传感器相连，由DSP来控制图像传感器，然后由DSP采集到图像后再通过USB接口将图像数据传输到PC机进行后续的处理。这样的图像采集系统成本较高，功耗大，而且体积上也有一定的限制，并不适合一些简单的应用。
本文设计了一种基于S3C2410的CMOS图像传感器数据采集系统。该系统成本更为低廉、结构更为简单、设计更为新颖。
1 CMOS图像传感器结构性能及工作原理
该系统选用OmniVision公司
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ARM9 CMOS
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应用于较低影像品质的产品中。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点，所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反，CMOS图像传感器过去存在着像素大，信噪比小，分辨率低这些缺点，一直无法和CCD技术抗衡。但
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CMOS 图像传感器
0 前言
织物上的疵点主要是由纤维上的花结引起的，计花器是纺织业中的一种常用设备，主要用于统计(或清除)纺锭上的花结，是确定纤维质量等级的主要依据。目前国产计花器主要有电容式和光电式两种，精度较低，对高支纤维的处理较困难。本文提出利用CMOS图像传感器，进行纤维花结的感知，其精度可达0.02mm，完全可以满足当前高支纤维的生产需要。
1 ME1010简介
ME1010是一个使用方便的综合图像传感器，由Microne公司采用专利结构开发，旨在使其更便于与计算机产品构成一个整体。不同于传
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CMOS 图像传感器 ME1010
cmos.dram介绍
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