- 资策会产业情报研究所(MIC)报告指出，受到新兴市场智慧型手机晶片价格快速下滑及需求不佳影响，预估明年全球半导体市场成长率较今年衰退1%，台湾半 导体产业在DRAM产值跌幅趋缓之下，明年产值将达2.2兆元微幅年增2.2%。
资策会MIC资深产业分析师施雅茹表示，今年台湾半导体 产业表现不如全球，主要受DRAM与IC设计产值下滑影响，估算今年台湾IC设计产业产值约4,971亿元新台币，年减6%，DRAM产业产值2,325 亿元，年减13%;预估明年可望在DRAM产值跌幅趋缓，以及晶圆代工、IC封测
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半导体 DRAM
- 由于12吋晶圆持续扩大应用至非存储器领域，使得全球12吋晶圆生产线持续增加，2015年已超过90条产线，较5年前增加约20条产线，且预计未来4年将再增加近20条产线，相较之下，18吋晶圆商用化时程则会再往后延缓，业界预期2020年之前将不会有采用18吋晶圆进行大量生产的产线。
12吋晶圆除应用在DRAM和NANDFlash等需要大量生产的存储器芯片，亦持续扩大使用在非存储器产品，包括电源管理芯片、影像感测器等，甚至用来制造逻辑芯片、微型元件IC等，且为因应市场需求，将芯片产量最大化，半导体厂在1
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晶圆 DRAM
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价，调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期，DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测，市场消息传出，全球DRAM市占率达四成的三星，将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元，换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右，并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低，市场需
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三星 DRAM
- 简介：本文介绍了TTL电平和CMOS电平之间的区别以及使用注意事项等内容。
TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快(数ns)，功耗大(mA级)，负载力大，不用端多数不用处理。
CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢(几百ns)，功耗低，省电(uA级)，负载力小，不用端必须处理。
CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。
CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。
TTL：
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TTL CMOS
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价，调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期，国内DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测，市场消息传出，全球DRAM市占率达四成的三星，将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元，换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右，并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低，市
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三星 DRAM
- PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
- 一、CMOS门电路
CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法：
1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就为低电平，只有全部为高电平时，输出端才为高电平。而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平
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CMOS TTL
- 简介：继续把我在学习数字电路过程中的一些“细枝末节”小结一下，和大家共享。
1、在数字电路中，BJT一般工作在截止区或饱和区，放大区的经历只是一个转瞬即逝的过程，这个过程越长，说明它的动态性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止区或可变电阻区，恒流区的经历只是一个非常短暂的过程。因为我们需要的是确切的0、1值，不能过于“含糊”，否则数字系统内门电路之间的抗干扰性能会大打折扣!
2、数字IC内部很多门电路一般都是把许多CMOS管并联起来，这样
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CMOS BJT
- 1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】，则确定的静态工作点约为VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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CMOS 电路
- 虽然较大尺寸晶圆的生产材料和技术成本高于小尺寸晶圆，但由于较大晶圆可以切割出更多的芯片，因此经验显示，就每单位芯片成本而言，大尺寸晶圆技术至少会比小尺寸晶圆降低20%。
然而在实务上，要采用大尺寸晶圆生产技术，业者必须要先行投入大笔经费。因此在资金和技术的障碍下，各业者往往会采用将现有技术进行效率最大化的方式进行生产，而不是对新开发的大尺寸晶圆生产技术进行投资。
以最新18吋(450mm)晶圆生产技术的采用为例，就正处于这样一种状况下。根据调研机构ICInsights最新公布的2015~2
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晶圆 DRAM
- 虽然大陆景气疲软，2015年韩国存储器厂的业绩展望相对明朗。然大陆智能型手机需求缩减，2016年移动DRAM价格可能下滑，2016年前景反而不透明。
据ET News报导，全球排名前一、二名的DRAM制造厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年业绩可能会与当初预期相近，或小幅提升。近来大陆景气迅速萎缩，但对下半年暂时不会有太大影响。
三星下半年IT及移动装置(IM)事业部业绩可能下滑，但半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部的存储器和系统晶
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存储器 DRAM
- 简介：本文总结了TTL和CMOS电平的特点、使用方式等内容 。
1，TTL电平(什么是TTL电平)：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
特点：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高
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TTL CMOS
- 微机电(MEMS)/奈米技术/半导体晶圆接合暨微影技术设备厂商EVGroup(EVG)今日宣布，该公司全自动12吋(300mm)使用聚合物黏着剂的晶圆接合系统目前市场需求殷切，在过去12个月以来，EVG晶圆接合系列产品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等订单量增加了一倍，主要来自于晶圆代工厂以及总部设置于亚洲的半导体封测厂(OSAT)多台的订单;大部份订单需求的成长系受惠于先进封装应用挹注，制造端正加速生产CMOS影像感测器及结合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互连技术的垂直
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CMOS 3D-IC
- 由于对DRAM过于依赖，近年来英特尔半导体龙头地位摇摇欲坠，现在英特尔似乎下决心要扳倒后进：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亚历山大。
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Intel DRAM
- 全球第二大DRAM厂南韩SK海力士昨(25)日宣布，规划斥资31兆韩元(约259.4亿美元、约新台币8,300亿元)，在南韩兴建两座新厂，预计2024年前竣工。近期DRAM价格好不容易出现止跌讯号，市场忧心，SK海力士大举扩产，长期将再度使得产业陷入供过于求。
外电指出，投资人正密切留意记忆体厂新的资本投资，因为大规模的支出可能导致供给过剩，或引爆价格战，这对三星、SK海力士、华亚科(3474)、南亚科等业者都将不利。
受市场忧心SK海力士大举扩产影响，南亚科昨天股价在台股大涨逾265点下
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海力士 DRAM
cmos.dram介绍
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