三星电子忙着抢苹果A9订单，无暇增加DRAM产能，DRAM供应将一路吃紧到明年?外资认为，这种情况有利韩国记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)。
财经网站霸荣(Barronˋs)29日报导，全球DRAM或许到明年都将供不应求，SK海力士前景看好。瑞士信贷分析师Keon Han团队表示，DRAM产业似乎进入另一个供给短缺时期。2013年9月，SK海力士无锡厂发生火灾，产能也一度供不应求，当时三星迅速补足缺口，瑞信认为，当前三星忙于拉拢苹果，无法增产DRAM，相同情况不会再次发生。
瑞信报
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DRAM 三星
Trendforce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在2015年首季达到35.76亿美元，季衰退不到1%，占 DRAM 总产值的29.8%，并且有持续扩大趋势。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)来自23nm产出增加，行动式记忆体整体出货与上季增加8.2%，加上行动式记忆体平均销售单价与其他产品别相对抗跌，全球行动式记忆体整体营收规模持续扩大。
吴雅婷表示，2015上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌的
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存储器 DRAM
随着智能手机的兴起，对于声音品质和轻薄短小的需求越来越受到大家的重视，近年来广泛应用的噪声抑制及回声消除技术均是为了提高声音的品质。相比于传统的驻极体式麦克风(ECM)，电容式微机电麦克风采用硅半导体材料制作，这便于集成模拟放大电路及ADC(∑-ΔADC)电路，实现模拟或数字微机电麦克风元件，以及制造微型化元件，非常适合应用于轻薄短小的便携式装置。本文将针对CMOS微机电麦克风的设计与制造进行介绍，并比较纯MEMS与CMOS工艺微导入麦克风的差异。
电容式微麦克风原理
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CMOS
当前VLSI技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放电过
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CMOS 模拟开关
高速ADC的性能特性对整个信号处理链路的设计影响巨大。系统设计师在考虑ADC对基带影响的同时，还必须考虑对射频(RF)和数字电路系统的影响。由于ADC位于模拟和数字区域之间，评价和选择的责任常常落在系统设计师身上，而系统设计师并不都是ADC专家。
还有一些重要因素用户在最初选择高性能ADC时常常忽视。他们可能要等到最初设计样机将要完成时才能知道所有系统级结果，而此时已不太可能再选择另外的ADC。
影响很多无线通信系统的重要因素之一就是低输入信号电平时的失真度。大多数无线传输到达ADC的信号
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ADC CMOS
近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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碳纳米管 CMOS
人有五官，用来辨别和感受外界环境的变化，而传感器是电子行业的五官，什么是传感器？传感器关键厂商专利布局重点有那些？技术要项又有那些？
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传感器 CMOS
“TTL电平”最常用于有关电专业，如：电路、数字电路、微机原理与接口技术、单片机等课程中都有所涉及。在数字电路中只有两种电平(高和低)高电平+5V、低电平0V.同样运用比较广泛的还有CMOS电平、232电平、485电平等。
TTL电路
TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol
Uoh≥2.4V，Uol&le
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TTL CMOS
个人电脑(PC)需求委靡不振，DRAM报价持续下滑，导致全球DRAM产值缩水，根据市调机构TrendForce统计，2015年第1季全球DRAM产值约为120亿美元，较上季减少7.5%，龙头厂三星电子(Samsung Electronics)市占率为43.1%，第二、三名为SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)，市占率分别为27.3%和22.5%。
全球三大DRAM技术阵营三星、海力士和美光都积极转进先进制程20纳米，以降低生产成本和维持毛利率，然个人电脑市场需求不佳是一大隐忧。由
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三星 DRAM
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，第一季动态随机存取记忆体(DRAM)合约均价较上季跌幅达11%，加上笔记型电脑市场与智慧型手机步入传统淡季，因此全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%，营收来到120亿美元。
DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示，受到淡季影响，今年第一季各DRAM厂都呈现营收衰退的走势，但在制程持续转进下，毛利并未大幅缩减，整体表现与第四季相比相差不远。然而需求面不佳将会影响后续价格走势，因此DRAM厂在制程转进与产品比重分
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TrendForce DRAM
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，第一季DRAM合约均价较前一季跌幅达11%，加上笔电市场与智慧型手机步入传统淡季，因此全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%，营收来到120亿美元。
DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示，受到淡季影响，第一季各DRAM厂都呈现营收衰退走势，但在制程持续转进下，毛利并未大幅缩减，整体表现与去年第四季相比相差不远;然需求面不佳将影响后续价格走势，因此DRAM厂在制程转进与产品比重分配，将是今年值得注意的决胜点。D
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TrendForce DRAM
中国集成电路产业在2014年下半年政策和资金的支持下迎来快速增长，甚至有业内专家表示要防止集成电路产业发展过热。从展讯、海思等公司可以看到国内半导体产业正在崛起，然而，以IC设计为代表的中国集成电路产业却面临处于低端市场的困扰。
在集成电路的三个关键环节：IC设计、封测、晶圆制造中，国内IC设计、封测正在快速发展，同时在推进DARM产业之后，完整了国内半导体产业链的发展。不过，高速的发展并不能掩盖所面临的问题。
用高性价比占领低端市场
既然说IC设计与封测发展迅速，首先看一看发展现状
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集成电路 DRAM
三星144亿投资新工厂用于生产移动处理器。
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三星 DRAM
1 引言
AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系统可编程Flash 存储器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上flash允许程序存储器在系统可编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，AT89S52拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash，使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52具有以下标准功能： 8k字节Flash，256字节RAM，32
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AT89S52 CMOS
AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压、高性能CMOS 8位微处理器，俗称单片机。本文为您介绍基于AT89C51单片机技术详解、设计技巧、应用案例大全，仅供参考。
基于AT89C51的操控键盘的设计
本文以PC机通用键盘为例，阐述研制小型一体化专用键盘的方法。 采用小型一体化专用键盘不但可完成按键的功能，而且要求根据仪器外形进行一体化优化设计，使产品
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CMOS 微处理器
cmos.dram介绍
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