- 本文主要讲了一下关于TTL电平、CMOS电平、RS232通信电平的概念及区别,希望对你的学习有所帮助。
电平的概念:
什么是电压、电流、电功率?无线电爱好者都十分清楚。而谈及“电平”能说清楚的人却不多。尽管人们经常遇到,书刊中亦多次谈起电路中的高电平、低电平、电平增益、电平衰减,就连电工必备的万用表上都有专测电平的方法和刻线,而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字样也常常可见。尽管如此,
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TTL CMOS
- 在很多场合,由于客观条件限制,人们不可能进入现场进行直接观察,只能用适应性更强的电子图像设备来代替完成,在此背景下发展起来的图像技术成为人们关注的热点应用技术之一,它以直观、信息内容丰富而被广泛应用于许多场合。在物联网系统中实现图像采集,必须要考虑物联网的以下特点:
(1)物联网节点对价格敏感。
物联网是信息传感技术的大规模应用,传感节点数目成百上千,若每个节点的成本提高一点,整个物联网系统的成本就会提高很多。所以传感节点图像采集的成本应尽量低。
(2)大部分物联网应用对图像质量要求
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单片机 CMOS
- 三星主导调涨DRAM报价策略奏效,全球市场研究机构TrendForce集邦科技最新DRAM现货报价连四天缓步上扬,主流DDR4 4Gb DRAM有机会向2美元叩关,也是近2个月来涨势最明确的半导体重要元件。DRAM厂商包括南亚科、华邦、威刚及宇瞻等,可望重掌多头反攻号令。
存储器渠道商表示,三星和SK海力士近期主导价格涨势态度积极,除8月调涨DRAM报价,第4季合约价也再涨一成,连同第3季合约价调涨15%,等于下半年涨幅约25%。
2大韩系DRAM大厂的市占逾八成,主导DRAM涨价策略奏效
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三星 DRAM
- 明年下半年DRAM供给可能会供不应求,韩媒指出,存储器厂商转进20纳米制程的产能损失,或许会让DRAM陷入供给短缺,炒热行情。
BusinessKorea 12日报道,半导体和投资银行的业界消息指出,2017年DRAM需求预料将年增19.3%,不过2017年DRAM每月产量将减少2万组,从当前的105万组、2017年降至103万组,主要是制程转换造成产能减少。不仅如此,产程转换的供给成长率以往大约是30%,2017年成长率可能减至10%,加剧供给不足问题。
据了解,明年上半年是淡季,DRA
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DRAM 美光
- 明年下半年DRAM供给可能会供不应求,韩媒指出,存储器厂商转进20纳米制程的产能损失,或许会让DRAM陷入供给短缺,炒热行情。
BusinessKorea 12日报道,半导体和投资银行的业界消息指出,2017年DRAM需求预料将年增19.3%,不过2017年DRAM每月产量将减少2万组,从当前的105万组、2017年降至103万组,主要是制程转换造成产能减少。不仅如此,产程转换的供给成长率以往大约是30%,2017年成长率可能减至10%,加剧供给不足问题。
据了解,明年上半年是淡季,DRA
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DRAM 美光
- 美国麻省理工学院(MIT)日前开发出比目前市面上光达(LiDAR)更轻薄与低成本的光达系统,而且由于不采用运动机件将更为耐用,其非机械式光束操控速度更比目前机械光达系统快上1,000倍。另外,其优点之一是可利用现有CMOS设备量产。
据IEEESpectrum报导,光达是利用雷射光进行感测的技术,虽类似雷达但却可获得更高解析度,因为光线波长比无线电波长小10万倍。光达系统借由测量在3D空间内的每一个画素离发光元件的距离以及画素方向来形成全3D世界模型。
光达系统基本操作方式是传输光束并测量
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MIT CMOS
- 美国麻省理工学院(MIT)日前开发出比目前市面上光达(LiDAR)更轻薄与低成本的光达系统,而且由于不采用运动机件将更为耐用,其非机械式光束操控速度更比目前机械光达系统快上1,000倍。另外,其优点之一是可利用现有CMOS设备量产。
据IEEE Spectrum报导,光达是利用雷射光进行感测的技术,虽类似雷达但却可获得更高解析度,因为光线波长比无线电波长小10万倍。光达系统借由测量在3D空间内的每一个画素离发光元件的距离以及画素方向来形成全3D世界模型。
光达系统基本操作方式是传输光束并测
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MIT CMOS
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SK海力士 DRAM NAND
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记忆体储存 金士顿 DRAM
- 随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路,IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态,期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
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DRAM 晶片 智能手机
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SRAM DRAM SDRAM 比较
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存储器 DRAM 三星
- 由于闪存比传统媒介有着更为明显的优势,在过去一年里,闪存的普及率开始飙升。不过,我们总是很难判断不同闪存产品之间的区别。在本文中,我
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NFS PCIe NAS DRAM 闪存
cmos.dram介绍
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