- 大陆记忆体业新秀武汉新芯廿八日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯挟官方资金与国家集成电路产业发展基金(大基金)支持，向全球宣示大陆建立自主记忆体技术与制造的决心。
这是继紫光集团进军记忆体领域、酝酿收购多家国际大厂之后，大陆于记忆体领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂，是大陆首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案，牵动全球记忆体板块移动，业界高度关注 。
业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价
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新芯 DRAM
- 整合光子与电子元件的半导体微芯片可加快资料传输速度、增进效能并减少功耗，但受到制程方面的限制，一直无法广泛应用。自然(Nature)杂志刊登一篇由美国加州大学柏克莱分校、科罗拉多大学和麻省理工学院研究人员发表的论文，表示已成功利用现有CMOS标准技术，制作出一颗整合光子与电子元件的单芯片。
据HPC Wire网站报导，这颗整合7，000万个电晶体和850个光子元件的芯片，采用商业化的45纳米SOI CMOS制程制作，与现有的设计和电子设计工具均相容，因此可以大量生产。芯片内建的光电发射器和接收器
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芯片 CMOS
- 集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限参数外，还应注意以下几个问题。 1、电源问题 (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时，最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正
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CMOS 集成电路
- SEMI(国际半导体产业协会)公布最新“SEMI全球晶圆厂预测”(SEMIWorldFabForecast)报告，2016年包括新设备、二手或专属(in-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出预期将增加3.7%，达372亿美元，而2017年则将再成长13%，达421亿美元。另方面，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%。
SEMI公布最新“SEMI全球晶圆厂预测”报告，2016年包括新设备、二手或专属(in-house)
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DRAM 晶圆
- 还记得「尔必达」这家昔日全球DRAM巨擘吗?因不敌三星电子等韩厂蚕食，尔必达于2012年申请破产、之后被美国美光(Micron)收购，而坂本幸雄也成为尔必达的末代社长、在尔必达被美光收购后就辞去社长一职以示负责。不过坂本幸雄要开始踏上复仇之路了，此次将携手台湾、中国大陆之力，在安徽合肥打造大规模内存厂，力抗三星等厂商。
日经新闻11日报导，由坂本幸雄所设立的半导体设计公司「SinoKingTechnology(以下简称SKT)」已和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，Sino将主导合肥市政府总
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DRAM
- 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
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TTL CMOS
- 欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族奈米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。
除了IBM (瑞士)，该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund Universi
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5G CMOS
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，进一步扩展成像方案产品阵容，推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术，提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通过采用其片上PDAF处理，大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力，较市场上其它
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安森美 CMOS
- 大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
- 中国紫光欲与美韩合作DRAM(动态随机存取内存)碰壁后，日本DRAM大厂尔必达前社长坂本幸雄所主导成立的兆基科技(Sino King)，近日确定与中国合肥市政府合作，将结合日本研发技术与中国的资金力量，两年后在合肥量产DRAM。据了解，相关合作细节预计本周于日本举行记者会说明。
台湾DRAM业界指出，尔必达于2012年倒闭并由美光并购后，坂本幸雄与尔必达研发团队一些成员，另起炉灶新成立兆基科技，除了网罗台湾的力晶科技等DRAM部分人马加入，也传出看好中国内存市场，加上中国企图建立自主技术，地方政
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紫光 DRAM
- 大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)原本预定2016年要在大陆西安半导体工厂进行第二阶段的投资，日前传出这项计划目前处于保留状态。业界预估，2016年将会进入记忆体7年来最糟的供需不平衡情况，加上东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)等纷纷增设NAND Flash工厂，也使三星开始担心供货量剧增的恶性竞争情况。
目前三星电子西安工厂只使用整体腹地(约34万坪)的5分之1，而且以目前的设备来说，已经到达最大产能，所以南韩业界原本认为，三星将在2016年内
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三星 DRAM
- DRAMeXchange公布去年第4季DRAM统计报告，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，第4季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季减9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，去年第4季虽有苹果iPhone 6s出货加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅转进20奈米制程，都让产出持续增加，使得当季DRAM价格持续下修。
三星依然是DRAM产业的龙头，虽然DRAM营收下跌9.7%至47.6亿美元，
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DRAM 三星
- 存储芯片在新一代信息技术产业中扮演着重要角色，但前5家公司高度垄断全球市场，我国发展存储芯片产业关乎国家安全，意义重大。
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美光 DRAM
- 在正在举行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美国旧金山)上，与积层CMOS图像传感器的3D(三维)化相关的发表接连不断。在有9项演讲的“SESSION6 Image Sensors”论坛上，有3项演讲是与CMOS图像传感器的3D化有关的。以前业界就在做3D化尝试，而此次的3项技术除了比原来具有更强的低成本和低功耗意识之外，还在3D化中轻松实现了“模块化”。
通过模块化手段
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CMOS 传感器
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