- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)技术，简称VLT技术。据Kilopass首席执行官Charlie Cheng称，该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能颠覆目前的DRAM产业格局。
最适用于云计算/服务器市场的DRAM技术
Charlie Cheng指出，DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。然而当前
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VLT DRAM
- 1 引言近年来，无线通信技术得到了迅猛地发展。它对收发信机前端电路提出的新要求是：高线性，低电压，低功耗，高度集成。混频器作为无线通信系统射频前端的核心部分之一，其性能的好坏将直接影响整个系统的性能。从
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单平衡混频器 CMOS 模拟开关 开关混频器
- 本文设计了一种模拟除法器，在分析讨论其工作原理的基础上，采用CSMC0.5umCMOS工艺，对电路进行了Cadence Spectre 模拟仿真，仿真结果验证了理论分析。1 电路的设计与分析图1 CCII 电路结构模拟除法器由单电源+5V供
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模拟除法器 CMOS
- 数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备，通过CMOS处理技术，DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP电路板设计的复杂性，并且同简单的数字电路设计相比较，面临更多相似的问题。
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DSP CPU CMOS 功耗
- 摘要：在对低噪声CMOS图像传感器的研究中，除需关注其噪声外，目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向，设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit，10 Msps的流水线型ADC，并基于0．5mu;m标准CMOS工艺进行
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CMOS ADC 低噪声 成像验证
- DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存储器 DRAM SDRAM
- CMOS图像传感器是近年来发展最为快速的新型固态图像传感器，它利用其自身的工艺和集成的特点将光电成像阵列与信号模拟放大和数字图像处理电路集成于单芯片内，与CCD图像传感器相比，具有体积小、功耗低、控制简单、
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CMOS 调试系统 接口 DSP 寄存器
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，随着DRAM原厂持续调整产出比重，标准型内存在供货持续吃紧下，九月合约价维持强劲上涨走势，均价已来到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成，创下两年来的新高点。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈，如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元，较上月同期已各上涨19%与15%，显见市场供不应求
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DRAM
- 技术的角度比较，CCD与CMOS的区别有如下四个方面的不同：1.信息读取方式CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配
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CCD CMOS
- CMOS相比CCD有一些明显的优势，最大优势就是成本，还有就是采样速度以及当前很多产品都比较看重的功耗。1、首先我们来说说CMOS相对CCD传感器的最大优势，那就是成本。生产单位数量的CMOS的成本却要比CCD容易很多，因
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CMOS CCD
- 图像传感器*概述图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。CCD
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图象传感器 CCD CMOS
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，随着DRAM原厂持续调整产出比重，标准型内存在供货持续吃紧下，九月合约价维持强劲上涨走势，均价已来到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成，创下两年来的新高点。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈，如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元，较上月同期已各上涨19%与15%，显见市场供不应求
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TrendForce DRAM
- 南亚科总经理李培瑛29日出席台湾半导体产业年会(TSIA)表示，南亚科计划两年投资500亿元，这不是小数目的投资，其目的在于提升芯片价值，而非拉升全球市占率，未来新存储器技术ReRAM、3D XPoint都值得注意，且台湾的DRAM产能仍占全球产能的20%。
再者，南亚科召开重大讯息指出，为导入20纳米制程技术，从2016年2月至9月29日为止，向台塑网科购置制程网路及伺服器等相关设备，总价款约3.43亿元。整体来看，南亚科为配合20纳米制程技术转换制程，预计花430亿~450亿元进行相关设备扩
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南亚科 DRAM
- DRAM现货价涨不停，主流规格DDR4 4Gb芯片均价昨(27)日正式站稳2美元、达2.1美元，攀上七个多月来高点，本季来大涨逾24%，第4季报价持续看涨一成，南亚科、威刚、宇瞻等记忆体族群大进补。
业界透露，在全球存储器芯片龙头三星拉抬报价带动下，DRAM涨势延续，9月以来已连续三周上涨，涨势明确，伴随追价买盘进场，涨势加大。
根据全球市场研究机构TrendForce集邦科技昨日晚间最新报价，DDR4 4Gb芯片正式站稳2美元、均价来到2.1美元，单日涨幅1.6%，合计本周以来二个交易日
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DRAM 存储器
- 1.前言
过去的几十年，业界围绕CMOS架构视觉传感器理论进行了大量广泛的研究和探讨，旨在于在成像早期阶段处理图像，从场景中提取最重要的特征，如果换作其它方式达到同样目的，例如，使用普通计算技术，则需要为此花费昂贵的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在这个方面，运动侦测是最重要的图像特征之一，是多个复杂视觉任务的基础。本文重点介绍时间对比概念，这个概念在很多应用中特别重要，包括交通监控、人体运动拍照和视频监视[2], [4], [5], [7]。这些应用要求图像侦测精确并可靠，
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传感器 CMOS
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