新闻事件：
飞思卡尔半导体传感器装运量突破10亿只
行业影响：
飞思卡尔在业内商用汽车传感器供应商中排名第一
代表了飞思卡尔与客户的一个重要里程碑
飞思卡尔半导体提供的传感器技术创新，帮助全球客户过去三十年在汽车、消费、工业和医疗产品上实现重大变化。飞思卡尔一直在传感器领域处于领先地位，最近其传感器装运量突破10亿只，取得重要里程碑。
飞思卡尔提供行业内范围最广的传感器产品系列，在成熟的传感器市场中拥有强劲的发展趋势，该市场涵
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飞思卡尔 传感器 CMOS
继台积电上周于技术论坛中广发MEMS英雄帖后，中芯MEMS部门升格为独立部门，以展现深耕MEMS市场决心。中芯表示，踏入此市场仅约1年，但预计2009年底前，已有3项商品已可进入大量投产，而市场上每项MEMS产品，中芯至少都有1个客户，因此对中芯来说，MEMS成长潜力值得期待。
台积电于上周举办技术论坛中对于MEMS市场相当看好，指出进入MEMS市场到现在为止已有7年，当中已累计出多项制程及IP技术，除此之外，台积电更已可提供标准制程(StandardProcess)，让MEMS客户可安心至台积
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中芯国际 MEMS IP CMOS SoC
按Yole Developpement报道,全球MEMS工业正面临之前从未有过的停滞,2008年的销售额下降2%,达68亿美元,其2009年非常可能增长率小于1%。然而当汽车电子,工业压力传感器及打印头市场随着全球经济下滑时,许多新的MEMS应用却得到切实的增长。
MEMS在消费类电子产品中,如加速度计,陀螺仪的市场继续看好,推动供应商如STMicron(日内瓦),Invensense(加州桑尼威尔),其销售额有10-30%增长。随着MEMS在医疗电子和诊断设备的应用扩大,其市场继续增大。今年新
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MEMS 传感器 CMOS 芯片堆叠封装 TSV 纳米印刷
台积电在MEMS领域历经7年苦练后，与客户关系由接受指导，转变成共同合作开发，台积电主流技术事业发展处处长刘信生自信表示，台积电MEMS将迎头赶上国际IDM厂商脚步，相信2010年台积电MEMS将进入收成期。
刘信生在出席台积电技术研讨会时指出，台积电在MEMS上布局已有7年左右，经过几年努力，相信已可迎头赶上IDM大厂。台积电现已能提供多种标准制程模块(Process Module)供客户使用，包含蚀刻模块、掏空模块等，MEMS客户至台积电投产，仅需针对MEMS产品内部架构设计，其余交给台积电
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台积电 MEMS CMOS 晶圆代工
不仅扩充先进制程研发、产能，台积电主流制程技术也将积极抢攻整合组件厂(IDM)的电源管理IC市场，台积电主流技术事业发展处长刘信生表示，目前台积电在电源管理IC约150亿~160亿美元市场市占率约个位数，绝大部分市场由IDM业者把持，不过未来他看好IDM业者产能不足情况下转单到晶圆代工的可能性，同时也将全力扶持台湾IC设计客户抢进此一市场。
刘信生表示，在电源管理市场规模约150亿~160亿美元中，几近8~9成是由IDM业者所把持，目前台积电不论在设计环境与制程平台上都已做足准备，积极抢攻此市场
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台积电 电源管理IC IDM CMOS
采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。
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CMOS 随机数发生器 扩展频谱 振荡器
在去年的Freescale全国大学生智能车大赛中，赛道信息检测方案总体上有两大类：光电传感器方案和摄像头方案。前者电路设计简单、信息检测频率高，但检测范围、精度有限且能耗较大;后者获取的赛道信息丰富，但电路设计和软件处理较复杂，且信息更新速度较慢。在比较了两种方案的特点并实际测试后，我们选择了摄像头方案。本文将在获得摄像头采集数据的前提下，讨论如何对数据进行处理和控制策略的实现。
数据采集
我们选择了一款1/3?OmniVision?CMOS摄像头，用LM1881进行信号分离，结合AD采样
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飞思卡尔 智能车 传感技术 CMOS 摄像头
Thomson Reuters12日报导，法院相关文件显示，南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导，MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元，负债则超过10亿美元。
2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混合信号制程的专业半导体代工厂商，且为力旺于韩国首位取得合作的半导体代工策略
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Magnachip CMOS 传感器 液晶显示器驱动芯片 微控制器
NEC电子公司(NEC Electronics Corp.)和东芝公司(Toshiba Corp.)同意扩展与IBM Corp.的研发协议，允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。
这三家公司18日表示，两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体 (CMOS)技术。在IBM纽约州East Fishkill的工厂，该团队还将包括Infineon Technologies和三星电子公司(Samsung Electronics Co.)。
东芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28纳米 半导体
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的器件，它能实现磁电转换，可用于检测磁场及其变化。
霍尔效应虽然在1879年才被发现，但是直到20世纪50年代才出现了对其的应用，然而器件成本很高。1965年，人们开始将霍尔传感器集成进硅芯片中，从而促进了霍尔器件的应用。
经历三大发展阶段
霍尔器件的发展大致可分为三个阶段：
第一阶段是从霍尔效应被发现到20世纪40年代前期。最初由于金属材料中的电子浓度很大,霍尔效应十分微弱而没有引起人们的重视。到了1910年，有人用金属铋制成霍尔元件作为磁场传感器
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霍尔传感器 CMOS A/D转换器 总线接口
NXP公司，前身为飞利浦公司的芯片部门，正在研究专有的相变存储器(PCM)，该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。
他表示，“我们已经看到了很好性能。下一个问题是是否继续生产。”他还补充道，这一决议还未作出。PCM的关键优势在于可以在断电时也能保存数据，作为当前环保节能战略的积极响应，因此前景十分看好。预计PCM的性能要好于闪存，并且其几何尺寸也要比闪存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存储技术
2008年，在国际金融危机的影响下，中国网络与通信类电子整机、计算机类电子整机、消费类电子整机产量以及汽车电子增速明显下降，这也直接导致MEMS加速度计、MEMS压力计、DMD(数字微镜元件)、喷墨打印头、硅麦克风等产品需求量快速下滑。2008年，中国MEMS市场规模达110.6亿元，同比增长21.9%，较2007年，市场增速下降接近20个百分点。
MEMS市场前景乐观
2008年，中国MEMS市场增速大幅回落。然而，作为半导体领域最为前沿的产品领域之一，未来，MEMS新型显示器、MEMS
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汽车电子 MEMS CMOS
S-1137系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、备有软启动功能、输出电流为300 mA的正电压型电压稳压器。 可使用1.0 µF的小型陶瓷电容器，也可以在低消耗电流(消耗电流为45 µA典型值)的条件下工作。 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路。 此外，还能通过电源开/关控制电路来延长电池的使用寿命。 和以往采用CMOS工艺的电压稳压器相比，可使用的电容器种类较多，还可以使用小型的陶瓷电容器。 因能采用小型的SOT-89-5, SO
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精工 CMOS 稳压器
全球领先的半导体公司和全球 CMOS 影像技术领导商意法半导体 (STMicroelectronics)(STM) 和世界领先的工程基板供应商 Soitec今天公布了两家公司之间一项独家合作，以便於为消费电子产品的新一代图像感测器开发 300mm 晶圆级背面照度 (BSI) 技术。
当今最先进的图像感测器的解析度正不断提高，而特别是在消费市场，总体减少相机模组占用空间的需求很高。这意味着必须开发更小的单个图元尺寸，同时保持图元灵敏度以便产生高品质的图像。在开发新一代图像感测器时，背面照度是一项能
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ST CMOS 图像感测器
初创公司Cswitch推出一种瞄准网络、无线基站和电信基础设施应用等信息包处理的新颖的可配置逻辑芯片。该器件由异质阵列组成，这一阵列将一排排通用逻辑单元（与传统FPGA中的非常类似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（内容地址存储器）模块、ALU（算术逻辑单元）和专门用于信息包处理的模块散布在一起。Cswitch公司总裁兼首席执行官Doug Laird表示，其目的是满足日益增长的如下应用：这类应用必须以线速处理打包数据，而且要使用比传统FP
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FPGA 信息包处理 Cswitch CMOS
cmos digital image sensor介绍
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