全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。
这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用于汽车、工业及医疗应用。基于ONC18工艺的方案将在安森美半导体位于美国俄勒冈州Gresham的8英寸晶圆制造厂制造，因此，预期对于寻求遵从国际武器贸易规章(ITAR)的合作伙伴、在美国国内生产的美国军事应用设计人
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安森美 CMOS 晶圆制造
1969年，贝尔实验室(Bell Laboratories)的科学家Willard S. Boyle和George E. Smith发明了第一个成功的数字影像传感器技术：电荷耦合组件(CCD)。40年后，随着影像传感器逐渐发展成为一个年出货量达13亿颗的庞大市场，这两位技术先锋也在2009年获颁诺贝尔物理奖，以表扬他们在数字成像领域的贡献。
“影像传感器技术对世界和整个社会带来了巨大且深远的影响，”iSuppli分析师Pamela Tufegdzic说。“影像
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CCD CMOS 影像传感器
本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以工作在2.5b/s，功耗约为6mW。
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micro 0.18 CMOS 2.5
台积电宣布与AMCC(应用微电路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)结盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微处理器将以台积电90奈米CMOS制程生产，未来将进一步推进到65奈米及40奈米制程。这意味着台积电在 CPU代工领域再下一城。
AMCC为全球能源及通讯解决方案商，台积电表示，这次双方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微处理器首次采用非SOI制程技术，受惠于台积电成熟的bulk CMOS技术
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台积电 CPU代工 CMOS
为了提高CMOS图像传感器的图像质量，通过对图像主要的噪声源以及图像失真的分析，提出一种新型的CMOS有源像素图像传感器。该CMOS图像传感器使用4T有源像素，大大提高了图像传感器的灵敏度。通过在传感器中集成图像预处理功能，对改善图像的质量起到了很好的效果。
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CMOS 图像传感器
世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)日前宣布成功开发了0.162微米CMOS 图像传感器 (CIS162) 工艺技术，已进入量产阶段。
华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0.162微米纯逻辑工艺，1.8V的核心器件，3.3V的输入输出电路。经过精细调整集成了4个功能晶体管和光电二极管(photo diode) 的像素单元可以提供超低的漏电和高清优质的图像。而特别处理的后端布线工艺保证了像素区高敏感性，可
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华虹NEC 晶圆代工 CMOS 图像传感器
CMOS技术作为设计射频接收机电路的一种主要技术，正在得到广泛研究。本文首先总结了当前射频接收机的几种常用结构和主要的工作特性、参数，然后介绍了三种最新的不同结构形式的CMOS射频前端电路。
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电路 系统 接收机 射频 CMOS CAN
为满足纳型卫星的遥感系统要求, 设计了一套基于互补型金属氧化物半导体CMOS 图像传感器的纳型卫星遥感系统, 采用PC 机模拟星上数据处理系统的功能, 通过控制器局域网CAN总线实现了对CMOS 相机的控制和图像传输等功能。通过热循环实验, 得到了该CMOS 相机平均暗输出和暗不一致性随温度的变化曲线, 预测其适于在10～25 ℃的空间温度环境中工作, 并可经受- 25～60 ℃的卫星舱内温度变化。
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CMOS 图像传感器 纳型卫星 遥感
日前，由谢布克大学、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司携手成立的新微电子创新中心在加拿大魁北克Bromont高科技园区正式落成。该研究中心将对下一代硅片集成以及MEMS系统进行深入研究与开发。
新的微电子创新中心对于DALSA未来的发展尤为关键，尤其是在MEMS与WLP相关设备的安装和未来操作职责上担负主要角色。
Dalsa是一家MEMS、高压CMOS和先进CCD制造代工厂。
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IBM MEMS CMOS
市场研究机构StrategiesUnlimited指出，全球图像传感器市场将在09年缩水11%，来到64亿美元规模，不过接下来将逐渐恢复正常成长。该机构预期，未来数年该市场的平均年成长率会维持在个位数;到09年为止，其十年来的复合年成长率高达22%。
图像传感器市场在2009年的衰退主要是受到全球经济景气循环影响，而这样的负面影响恐怕会持续下去，特别是在该市场因为几乎所有手机都内建相机而经历爆炸性成长之后。未来几年，预计图像传感器的销售量仍将呈现成长，但短期需求波动、供应过剩或吃紧，以及沉重的价
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CCD 传感器 CMOS
近年来，软件无线电(Software Radio)的技术受到广泛的关注。理想的软件无线电台要求对天线接收的模拟信号经过放大后直接采样，但是由于通常射频频率(GHz频段)过高，技术上所限难以实现，而多采用中频采样的方法。而对
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Telescopic 0.13 CMOS 工艺
根据市场消息来源，由于飞思卡尔产能扩展完成，三轴加速度计(g-sensors)的报价预期在2009年第三季度将比目前的每只一美金下降0.1-0.2美金。
飞思卡尔从2009年一季度开始扩充产能并生产低价的g-sensor。但其他IDM厂商如ADI、ST、Bosch仍对市场需求持谨慎态度，没有增加产能的计划。
但是，在飞思卡尔产能扩展完成后，价格竞争不可避免。另外，Bosch在消费电子市场加码发力，提供灵活的报价。
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飞思卡尔 G-sensor
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CMOS 性能 集成 电压比较器
SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储 单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。
这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制
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内存芯片 CMOS FeDRAM
片上集成A/D转换器是CMOS图像传感器的关键部件，文章分析和比较了三类不同集成方式：芯片级，列级和象素级的原理，性能和特点。最后，展望了CMOS图像传感器上集成A/D转换器的未来发展趋势。
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CMOS 图像传感器 集成 转换器
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