- 巴斯夫与欧洲领先的独立纳米技术研究机构比利时弗拉芒校际微电子研究中心(IMEC)今天宣布继续拓展联合研发项目。作为进一步合作的领域之一，双方计划研发工艺化学品，这将提高半导体生产中的清洗化学品的性能。研究工作的另一个重点是降低生产工艺复杂性及减少生产步骤。
联合研发下一阶段将专注于选择性清洗技术，这一技术将推动以22纳米技术为基础的新一代芯片的开发。这些解决方案将用于集成电路生产的第一个部分，即“前段制程”(FEOL)，此时个别组件(如晶体管)将被固定在半导体上。重要的是
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- Esanti 标志着SEZ面向FEOL战略发展蓝图又迈出了至关重要的一步 SEZ（瑟思）集团 (瑞士股票交易市场SWX代码：SEZN)于宣布了公司面向前段工艺过程（FEOL）中清洗和光阻剥离工艺的Esanti平台。极其灵活的Esanti平台充分利用了SEZ集团久经考验的专业技术单晶圆湿式处理技术，旨在满足45纳米及其更低尺寸的芯片制造中前段工艺过程的清洗衍变需求。它构筑于公司的核心旋转处理器技术之上，增加了新的功
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feol介绍
FEOL就是制程的前道，形成Device
feol特指那些形成活性电性部件之前的生产步骤。在这些步骤中，晶片表面尤其是mos器件的栅区域，是暴露的、极易受损的。在这些清洗步骤中，一个极其关键的参数是表面粗糙度。过于粗糙的表面会改变器件的性能，损害器件上面沉积层的均匀性。表面粗糙度是以纳米为单位的表面纵向变差的平方根（nmrms）。
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