- 据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。台积电台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，成功找到切入GAA路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界以
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台积电 2nm GAA
- Intel这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多，但是说起半导体前沿技术研究和储备，Intel的实力仍是行业数一数二的。在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监Mike Mayberry就畅谈了未来的晶体管结构研究，包括GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱CMOS。FinFET立体晶体管是Intel 22nm、台积电16nm、三星14nm工艺节点上引入的，仍在持续推进，而接下来最有希望的变革就是GAA环绕栅极结构，重新设计晶体管底层
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英特尔 CPU处理器 晶体管 3nm
- 据国外媒体报道，在5nm工艺顺利量产之后，芯片代工商台积电在工艺量产及研发方面的重点，已经放在了更先进的3nm和2nm上。5nm之后就将投入量产的3nm工艺方面，台积电是计划在2021年风险试产，2022年上半年开始大规模量产。在3nm生产线方面，外媒在今年3月底的报道中，是表示台积电在今年10月份就会开始安装相关的生产设备。而在最新的报道中，出现了台积电已提前开始安装3nm生产线的消息。外媒在报道中表示，台积电已经开始安装3nm生产线及相关的设施，正在按进度推进。包括创始人张忠谋、现任CEO魏哲家在内的
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台积电 3nm
- 近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2．5亿／mm2！
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台积电 晶体管 3nm
- 尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑,但台积电的业绩不降反升,掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上,台积电也首次正式宣布3nm工艺详情,预定在2022年下半年量产。台积电原本计划4月29日在美国举行技术论坛,正式公布3nm工艺详情,不过这个技术会议已经延期到8月份,今天的Q1财报会议上才首次对外公布3nm工艺的技术信息及进度。台积电表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。在技术路线上,台积电评估多种选择后
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三星 CPU处理器 台积电 3nm
- 据国外媒体报道，在芯片制造工艺方面走在行业前列的芯片代工商台积电，在2018年率先量产7nm芯片之后，今年将大规模量产5nm芯片，外媒此前的报道显示，台积电今年4月份就将开始为相关客户大规模生产5nm芯片。在7nm投产已两年、5nm工艺即将大规模量产的情况下，台积电也将注意力放在了更先进的3nm工艺上。在最新的报道中，外媒就提到了台积电3nm工艺方面的消息，其表示今年10月份，台积电就将开始安装生产3nm芯片的设备。3nm工艺是5nm之后，芯片制造工艺的一个重要节点。在2019年第四季度的财报分析师电话会
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台积电 3nm
- 很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。目前ASML出货的EUV光刻机主要是NXE:340
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3nm EUV
- 原文流传年的幻灯片并非出自Intel官方，而是荷兰光刻机巨头ASML在Intel原有幻灯片基础上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm规划均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路线图。Intel官方原始幻灯片如下：在IEDM（IEEE国际电子设备会议上），有合作伙伴披露了一张号称是Intel 9月份展示的制造工艺路线图，14nm之后的节点一览无余，甚至推进到了1.4nm。让我们依照时间顺序来看——目前，10nm已经投产，7nm处于开发阶段，5nm处于技术指标定义阶段，3nm处于探索、先导阶
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英特尔 10nm 7nm 5nm 3nm
- 尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产。在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管
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CPU处理器，3nm
- 如今在半导体工艺上，台积电一直十分激进，7nm EUV工艺已经量产，5nm马上就来，3nm也不远了。台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。目前，3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比5nm工艺能提升多少，只是说3nm将是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。台积电只是说，已经评估了3n
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台积电 3nm
- 今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展，香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管，相当于人类DNA链条宽度，这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。
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3nm 半导体
- 作为全球晶圆代工市场的一哥，台积电一家就占了全球50-60%的份额，几乎吃下所有7nm先进订单。不过今年遇到了半导体市场熊市，台积电Q1季度营收、盈利也不免受影响下滑，净利润暴跌了32%。不过台积电今年依然要砸钱研发新工艺，预计会在7nm、5nm及3nm工艺研发上投资80亿美元之多。
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台积电 Q1 7/5/3nm
- 在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时，三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上，三星宣布四种FinFET工艺，涵盖了7nm到4nm，再往后则是3nm GAA工艺了，通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面积缩小45%。
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三星 3nm
- 在半导体晶圆代工市场上，台积电TSMC是全球一哥，一家就占据了全球50%以上的份额，而且率先量产7nm等先进工艺，官方表示该工艺领先友商一年时间，明年就会量产5nm工艺。在台积电之外，三星也在加大先进工艺的追赶，目前的路线图已经到了3nm工艺节点，下周三星就会宣布3nm以下的工艺路线图，紧逼台积电，而且会一步步挑战摩尔定律极限。
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三星 台积电 3nm
- 科技的发展有时超出了我等普通人的想象，今年台积电才开始量产7nm，计划明年量产5nm，这不3nm又计划在2022年实现量产，这样的大踏步前进可以说是竞争争夺激烈的结果、也是科技快速发展的结果。
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3nm 台积电
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