大人物(大数据、人工智能、物联网)时代来临，高效能、低功耗、多功能高阶制程芯片扮演重要角色，随着功能增加，芯片面积也越来越大，想降低芯片成本，先进封装技术不可或缺。棘手的是，先进封装技术导入过程中，很可能因为良率不稳定导致成本垫高。另一方面，新功能芯片模块在面积变大之余也要克服摩尔定律(Moore’s Law)物理极限，在晶体管密度与效能间找到新的平衡。前述两个问题，小芯片(Chiplet)有解！实验研究院台湾半导体研究中心(简称国研院半导体中心)副主任谢嘉民指出，过去的芯片效能提升多仰赖半导体制程改进，
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小芯片 Chiplet 摩尔定律
由于疫情不断蔓延，加上大国之间的关系变得冷淡，过去一年对个人和企业来说都是动荡不安的。在2019年底时，没人能预知我们现在的处境，因此未来的12个月及之后的时间同样难以预测和规划。然而，在目睹整个世界特别是半导体产业如何因应疫情的发展之后，也让我们意识到更多积极的事情将不断到来。受益者和受损者半导体产业规模庞大，许多领域受到了影响，其中一些领域出现了发展放缓的现象。例如，由于政府将时间和资金都集中用于抗击疫情，因此大型基础设施和智慧城市的部署速度有所减慢。但另一方面， 自疫情爆发以来，消费类市场
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chiplet IP
重点：3DIC Compiler基于新思科技的Fusion Design Platform、世界级引擎和数据模型，在单一用户环境下提供一个综合性的端到端解决方案，具有针对先进多裸晶芯片系统设计的全套功能提供强大的三维视图功能，为2.5D/3D封装可视化提供直观的环境，显著减少设计到分析的迭代次数，并最大限度地缩短整体集成时间提供与Ansys硅-封装-印刷电路板技术的紧密集成，以进行系统级信号、功率和热量分析新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日推出其3DIC
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新思科技 3DIC Compiler
1 “芯片级”模块电源的诞生DC-DC定电压电源模块是金升阳公司的拳头产品，在全球有数十万用户，可谓世界级的产品。2020年，金升阳历经多年技术沉淀，推出第四代定压产品（简称“定压R4”），可谓具有突破性的“芯片级”的模块电源（如图1）。实际上，金升阳的定压系列产品从R1升级到R2，再到R3代，每次更迭换代，产品都进行了非常多的电路和工艺技术突破；但是封装工艺上还是一样，仍沿用传统的灌封/塑封工艺，产品结构和外观没有显著变化。不过，此次推出的新的定压R4代电源模块，最大的技术创新点就是在封装工艺上取得了重
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202005 DC-DC 金升阳 Chiplet SiP
2019年底，一年一度的“中国集成电路设计业2019年会”在南京举行，EEPW访问了EDA、设计服务厂商和代工厂的老总，请他们回顾和分析了2019年的热点，并展望了2020及未来的设计业下一个浪潮。
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chiplet 制程
引言 更小的外形尺寸、卓越的功能、更出色的性能和更低的BOM(物料成本)是系统工程师在开发传感器和传感器接口应用等复杂电子产品时面临的主要挑战。缩小芯片尺寸可以通过使用集成密度更高的小型制程节点实现，而系统的小型化则可以通过使用先进的封装技术来达成。如今，对更高系统集成度的需求与日俱增，这也促使那些传统的封装服务供应商和半导体公司着手开发更具创新性、更为先进的封装技术。其中前景广阔，同时也具有挑战性的当属采用硅通孔(TSV)的3D集成电路(3DIC)。3DIC技术现已被广泛应用于数字集成电路(例如存
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3DIC 传感器
国内年度半导体业展会盛事「SEMICONTaiwan2014」九月三日至五日举行。主办单位「国际半导体设备材料协会」(SEMI)台湾区副总裁何玫玲表示，此次展览规模，创下历年最高纪录，总计超过六百五十家厂商、一千四百一十个摊位，参展厂商和参观人数则突破四万。比起去年，何玫玲直言，今年展览买气强旺，买主洽谈会共约六十场，这是往年没有发生的现象。
2014年半导体展概念股台厂营运情形
何玫玲分析并解释说，买气旺盛，应是国内龙头厂商台积电(2330)、联电(2303)等，近年大力扶持国内
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半导体 晶圆代工 SEMICONTaiwan2014 3DIC 2.5DIC
3D IC将是半导体业者站稳手机晶片市场的必备武器。平价高规智慧型手机兴起，已加速驱动内部晶片整合与制程演进;然而，20奈米以下先进制程研发成本极高，但所带来的尺寸与功耗缩减效益却相对有限，因此半导体厂已同步展开3D IC技术研发，以实现更高的晶片整合度，其中，三星已率先宣布将于2014年导入量产。
拓墣产业研究所半导体中心研究员蔡宗廷认为，MEMS技术将是手机设计差异化的关键，包括MEMS自动对焦和振荡器的出货成长均极具潜力。
拓墣产业研究所半导体中心研究员蔡宗廷表示，2013～2015
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手机芯片 3DIC
在西安市高新开发区管委会大力支持下，SEMI中国封测委员会第五次会议近日在西安成功召开。SEMI全球副总裁、中国区总裁陆郝安与西安高新开发区安主任共同为会议致辞，吴凯代表SEMI中国同与会者分享了中国半导体及封测市场现况、SEMI标准制定流程和重要意义、SEMI标准在北美的成功案例等主题报告。经过热烈讨论，代表们就3DIC标准的制订在以下几个方面达成共识：
一是台湾和北美对3DIC发展方向也不明确，中国半导体投资巨大且贴近应用市场，有机会赶上欧美先进水平，甚至在特定领域可实现"弯道
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封测 3DIC
中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)宣布成立视觉、传感器和3DIC中心(简称CVS3D)。中芯国际CVS3D整合、强化了中芯国际在硅传感器、通过硅通孔(TSV)技术和其他中端晶圆制程技术(MEWP)的上的研发和生产制造能力。而MEWP技术带动了在CMOS图像传感器、MEMS传感器、三维堆叠设备，和基于TSV2.5D和3D的高性能系统级封装(SiP)方面的显著进步。
半导体行业正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技术，使系统芯片进一步小型化，同时降低功耗、提高设备和系统性能。根据201
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中芯国际 3DIC
过去一年中，Mentor公司实现了10亿美元的营业额。并在20nm设计、3DIC、DFM(可制造设计)、DFT(可测试设计)、SoC验证方面都有很大进展。在北京的Mentor Forum期间，笔者就目前设计业的一些困惑，询问了Mentor的掌舵人。
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Mentor 3DIC
美商Altera公司与TSMC22日宣布，采用TSMC CoWoS生产技术共同开发全球首颗能够整合多元芯片技术的三维集成电路(Heterogeneous 3DIC)测试芯片，此项创新技术系将模拟、逻辑及内存等各种不同芯片技术堆栈于单一芯片上组合而成，可协助半导体产业超越摩尔定律的发展规范，而TSMC的CoWoS整合生产技术能够提供开发3DIC技术的半导体公司一套完整的解决方案，包括从前端晶圆制造到后端封装测试的整合服务。
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Altera 测试芯片 3DIC
时序即将进入2012年，半导体产业技术持续进行变革，其中3D IC便为未来芯片发展趋势，将促使供应链加速投入3D IC研发，其中英特尔(Intel)在认为制程技术将迈入3D下，势必激励其本身的制程创新。另外在半导体业者预期3D IC有机会于2013年出现大量生产的情况下，预估2013年也可视为是3D IC量产元年。
3D IC为未来芯片发展趋势，其全新架构带来极大改变，英特尔即认为，制程技术将迈入3D，未来势必激励技术创新。英特尔实验室日前便宣布与工研院合作，共同合作开发3D IC架构且具低功耗
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半导体制程 3DIC
当大部份芯片厂商都感觉到遵循摩尔定律之途愈来愈难以为继时，3DIC成为了该产业寻求持续发展的出路之一。然而，整个半导体产业目前也仍在为这种必须跨越工具、制程、设计端并加以整合的技术类别思考适合的解决方案。
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3dic chiplet介绍
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