- 技术的博弈就是利益、市场的博弈，就像去年直下式、侧入式等LED背光源技术之争一样，时下热炒的3D技术之争也如火如荼。典型的技术分为两大类：一种是以画面质量见长的主动快门式3D技术，另一种是以成本低廉为卖点的偏振式3D技术。从产业化进展来看，主动快门式3D略占上风，不过记者采访获悉，明年包括LG、瑞轩、友达在内的偏振式3D技术阵营试图打一场翻身仗。
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3D LED
- 针对2011年半导体资本支出的趋势，设备大厂应用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长，幅度将胜过DRAM产业，晶圆代工也仍然相当强劲，预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。
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应用材料 NAND
- 当前市场上的高端液晶以IPS和VA型面板为代表，而在即将到来3D时代，这些广视角面板响应时间偏 大的问题限制了高素质3D显示产品的发挥，各家厂商自然也都在研发适合3D显示的高端液晶面板。今天，索尼公司就宣布已经开发出一种新的液晶面板类型 Hybrid FPA，可有效降低液晶响应时间。
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索尼 3D 液晶面板
- 集邦科技发布近日报告称，明年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。
集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时，闪存市场的供需就会更加平衡，价格下降幅度不会太大。
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NAND 20nm
- 近年来，在全球彩电市场平板化崛起中，一直不受“重视”和“青睐”的等离子电视，在今年下半年以来的市场竞争中，出现了不一样的走势。
日前，在第12届中国国际高新技术成果交易会上，长虹新型等离子显示展等70多家代表性企业的技术成果亮相国家发改委“加快培育和发展战略性新兴产业”的专题展区中。这已经是拥有完全自主知识产权的等离子显示展落地中国5年多来，持续得到国家从发展战略、国家安全战略等高度的认可与支持。
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等离子电视 3D
- 根据VLSIResearch发布的报告，该公司预测2010年度全球IC市场将成长32%，2011年度将成长8%;2010年度设备市场将成长103%，2011年度将成长10.6%。该公司认为目前的全球IC市场呈现出一些正面与负面的迹象;
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IC NAND
- O 引言 Flash是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设备中得到了广泛的应用。本文给出了
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芯片 设计 控制 flash SD NAND 用于
- 据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。
预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。iSuppli公司的数据显示，预计明年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。
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NAND 智能手机
- 松下电器今天宣布开始发售103寸超大型3D等离子显示器TH-P103MT2，采取订单式生产，即日起接受订货。松下早在2008年就推出了103寸等离子电视TH-103PZ800，由于等离子显示原理决定的高刷新率，升级3D相当简单，此次的 P103MT2就是加入了3D立体显示功能支持的升级版本。考虑到这种超大屏幕通常都被用作商业展示，很少会放在家中当作电视使用，松下在P103MT2 上删去了电视信号调谐器和扬声器单元，仅定位为单纯的显示设备使用。
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松下 等离子显示器 3D
- 近年来，立体显示产业发展迅速。根据市场调查机构DisplaySearch预计，2010年全球3D立体电视(以下简称3D电视)会增至120万台左右，2013年增至1560万台，到2018年全球3D电视的出货量可望达到6400万台。国内外彩电企业都在积极开拓3D电视市场，并深入到数字家庭领域。3D电视芯片、3D眼镜、3D播放机、3D摄像机甚至3D内容提供等完整的产业链的建设，也成为产业角逐的热点。
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三洋 3D
- 2010年对于全球半导体产业而言，可说是值得纪念的一年，拓墣产业研究所研究员陈兰兰表示，2010年全球半导体产业年成长率将高达30%，创下10年以来新高纪录。然而，受到PC产业成长趋缓影响，2011年全球半导体产业仅将成长5%，移动通讯产品反成为支撑整体产业成长的重要动能。预估2011年移动通讯用产品占总体半导体比重将从2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也将随着智能手机等移动通讯产品兴起而与日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
- NAND Flash的坏块管理设计,摘要：主要介绍了基于嵌入式Linux的NAND Flash坏块管理设计和实现方案，详细阐述了坏块映射表的建立、维护及其相关算法，同时分析了此坏块算法在Linux内核及Bootloader中的具体应用。测试结果表明该算法能够处理NAND
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设计 管理 Flash NAND
- 给出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的设计方法，文中集中研究了其中的软件部分，探讨了管理flash物理块的算法，提出了块级和页级两级地址映射机制以及映射信息在flash的存储定义，同时还提出了对flash的分区方法。
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设计 实现 算法 管理 Flash NAND
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