- 铼德科技经理吴孟翰于8/24出席由经济部工业局主办、财团法人信息工业策进会承办、光电科技工业协进会PIDA执行的半导体学院计划关于3D技术演讲时指出，3D影像可能会为显示器产业带来第2次影像视觉革命，目前已有许多品牌大厂相继推出搭载3D BD蓝光技术的液晶电视、可制作或呈现3D效果画面的携带型消费性电子产品。市场预期，2011年全球搭载3D兼容电视的出货量将达1.2亿台，占整体电视市场普及率将达50%，2013年普及率更将上看98%。
所谓3D兼容的电视，系指电视本身具备3D画面显示技术条件，包
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液晶电视 3D
- Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯片的存储密度为64Gb，为三位元型闪存。
这款闪存芯片是由Intel与镁光合资的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型设计，一个存储单元可存储3位数据，比一般的单位元(SLC)/双位元(MLC)闪存的存储量更大。
这款产品的面积要比现有Intel与镁光公司推
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Intel 25nm NAND
- 据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。
首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储单元中保存三位信息，而非像传统芯片那样保存一到两位信息，英特尔宣称，这种芯片是目前市场上最有效率的。
英特尔副总裁及NAND开发组主管Tom Rampone声称25纳米已经是业界最小的尺寸，在开发完成25纳米程度的三层存储单元之后，公司还将继续为用户探索和发展更高级的产品。公司计划利
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英特尔 NAND 存储芯片
- iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始雪崩。
由于下降的价格，目前看上去过于昂贵的SSD将在两年时间内开始成为主流，而成本低得多的硬盘处理器则开始在高端市场被SSD挤占。
此外，快闪记忆体价格的总体下降对于各种手持设备是一个极大的利好消息，各种手机、智能本厂商将会带来更加丰厚的利润空间，乃至最后降低产品售价。
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NAND SSD
- 英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。
新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。
两家公司称，使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。
两家公司已经向客户发送样品，预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用 25纳米工艺生产。与每单
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英特尔 NAND 闪存芯片
- 2010年8月18日，北京。全球领先的液晶电视制造商夏普(SHARP)正式宣布在中国市场推出搭载多项创新技术的AQUOS...
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夏普四色技术 3D 液晶电视
- 2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年，好不容易熬到第3季传统旺季，8月初合约价却还是跌不停，存储器业者表示，苹果(Apple)、诺基亚 (Nokida)等大厂需求仍十分强劲，但零售市场买气不振，模块厂拿货意愿不高，把平均合约价给拉下来，其中，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主要供应苹果，走货较顺畅，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等传出库存水位较高，但又不愿降价，与模块厂陷入僵局。
近期大陆因为亚运因素，
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Apple NAND Flash
- 3D立体成像技术其实并不是一个新鲜事物。如果从时间上看,3D立体成像技术早在上个世纪中叶就已经出现，比起现在主流的的液晶、等离子这些平板显示技术，历史更加悠久。 那么现在的3D电视，到底使用了哪些方式来实
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分析 技术 成像 立体 3D
- 韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20纳米 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较首季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。在 NAND Flash 部分，品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元，较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。
三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠
从市场面观察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。
Hynix Cheong-ju M11工厂
Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 摘要：U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便，因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动。分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路，并根据NAND Flash的物理结构和存储特点，增加U-
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实现 启动 Flash NAND U-Boot
- 由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)主办的台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan 2010)，即将于9月8~10日登场，3D IC再度成为年度关注话题。SEMI将针对3D IC等先进封测技术推出3D IC及先进封测专区，并将于3D IC前瞻科技论坛中由日月光、矽品、联电、诺基亚(Nokia)、高通(Qualcomm)、应用材料(Applied Materials)、惠瑞捷(Verigy)等业界代表，以及Yole Developpment、IME、SEMATECH、工研院等研究分析机构，共同
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Qualcomm 3D 封测
- 日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐，获利从谷底攀升;瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累，该季仍难挥别亏损阴霾。
东芝半导体事业的营业利益皆为NANDFlash所挹注。副社长村冈富美雄表示，受惠于苹果(Apple)iPhone等智能型手机需求带动，加上 NANDFlash均价跌幅趋缓，东芝半导体事业表现远超过预期。小幅亏损的系统芯片事业亦因NANDFlash的丰沛获利得以
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东芝 NAND
- VLSI提高IC预测，但是该公司看到虽然很多产品供不应求，但是有一种可能DRAM市场再次下跌。
同时由于经济大环境可能对于产业的影响，目前对于产业抱谨慎的乐观，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同样的看法。
VLSI在它的最新看法中发现各种数据是交叉的，按VLSI的最新预测，2010年IC市场可能增长30%，但是2011年仅增长3.7%。而2010年半导体设备增长96%。
而在之前的预测中认为2010年全球IC市场增长28.1%，其它预测尚未改变。
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