这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
MaxLinear Inc.和 Qorvo今天宣布推出一项联合解决方案，旨在应对 32x32 和 64x64 大规模 MIMO 无线电在尺寸、重量和功耗方面的关键挑战。该解决方案支持高效功率放大器 (PA)，减小了无线电的功率、重量和体积，使大规模 MIMO 无线电更加实用。此外，此解决方案在功耗和功率损耗方面为每个多元件无线电节省了数百瓦的功率。MaxLIN™ 线性化技术与 Qorvo 的 GaN 高效功率放大器 QPD0011J Doherty 功率放大器（由 QPD0006 驱动）相结合，在 41.
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MaxLinear Qorvo 大规模 MIMO 高效功率放大器
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面
(GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
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精密数模转换器 霍尔效应传感器 3D
按照摩尔定律进一步缩减晶体管特征尺寸的难度越来越大，半导体工艺下一步发展走到了十字路口。在逼近物理极限的情况下，新工艺研发的难度以及人力和资金的投入，也是呈指数级攀升，因此，业界开始向更多方向进行探索。
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摩尔定律 3D 堆叠技术
1 几种3D深度感知技术比较3D深度感知主要有3个技术方向：双目立体，结构光，飞行时间（ToF），结构光起步比较早，但是技术的局限性较大，而双目立体的发展速度较快，势头迅猛。从物理原理上，双目立体和结构光二者都用了三角测距，但是双目立体是依靠自然的红外反射在摄像头上产生特征点，来计算对象物深度的数据。结构光需要有一个发射光的发射源，带编码的光到了对象物体再反射回来来计算这个深度。结构光的弱点是在室外时，结构光发射带编码的光经常受到环境的干扰；而双目立体不容易受到室外光的干扰，因此室
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3D 双目 深度
AMD展示了最新的运算与绘图技术创新成果，以加速推动高效能运算产业体系的发展，涵盖游戏、PC以及数据中心。AMD总裁暨执行长苏姿丰博士发表AMD在高效能运算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技术；与业界领导厂商特斯拉和三星合作，扩大了AMD运算与绘图技术在汽车与手机市场的应用；新款AMD Ryzen处理器瞄准狂热级玩家与消费性PC；最新AMD第3代EPYC处理器所带来领先的数据中心效能；以及为游戏玩家提供的一系列全新AMD绘图技术。 AMD总裁暨执行长苏姿丰展示AMD全新3D chi
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AMD 3D chiplet Ryzen
1 关注的5G技术与应用CEVA 提供面向UE /终端侧和蜂窝基础设施的L1 处理的领先IP，目标客户是设计和制造L1 调制解调器的SoC 和ASIC 的企业。CEVA 的UE 产品瞄准广大范围的应用，从用于智能手机和终端的高端5GEMBB 设备，到用于工业和可穿戴设备等5G 垂直应用的极低功耗设备，其中包括将于日后面世的Release 17 RedCap ( 降低容量5G)。UE 基带芯片器件市场历来是高度整合的，然而，新的参与者正在寻求将5G 调制解调器集成到终端设备中，以用于
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