- 存储器作为智能手机，电脑，智能手表等终端产品必不可少的元器件之一，它的缺货将会导致整个产业链供应失衡，终端产品也将面临着无货可用的尴尬。
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存储器 DRAM
- 今年下半年英特尔及超微积极推出服务器新平台，英特尔Purley平台已经开始出货，超微EPYC服务器处理器也开始放量出货，而在云端运算、人工智能的带动下，服务器用DRAM需求大爆增，服务器用DRAM本季报价又调涨一成，第四季续涨态势无疑，全年涨幅上看五成，在此趋势下，专攻服务器DRAM的南亚科与宜鼎，将会大受益。
DRAM因缺乏新厂产能开出，业者多采制程推进增加有限产出，但是反观需求面却稳健成长，带动今年以来DRAM供需持续吃紧，尤其在产能排挤效益下，服务器DRAM合约价今年上半年已大涨逾4成幅度
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服务器 DRAM
- 在智能化飞速发展的今天，全球半导体行业风云变幻，传统代表厂商相互竞争日益激烈。而中国正逐渐成为“搅局者”，紫光的全球并购拉开了中国半导体产业登上国际舞台的序幕。然而现在来看，前途仍然充满荆棘!
国内掀起半导体产业并购热
半导体作为世界性产业，体现着一个国家的综合实力。在日本，半导体被称为“产业大米”，是所有电子产品生产不可或缺的一种原料之一。
8月23日晚，中国紫光集团斥资240亿美元开始兴建国内首座先进存储芯片厂，消息一经传出，引得国
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DRAM 台积电
- 据消息人士透露，HPE公司自今日起将其服务器内存价格提高了20%，由于目前正处于全球范围内DRAM供应量短缺的恢复阶段，因此该服务器的相关组件成本较以往更高，从而导致了此番HPE服务器内存价格上涨。与此同时，各DRAM厂商亦迎来创纪录的销售额新高。
在一封发送给贸易客户的邮件中，HPE公司谈到了涉及了这一定价变动，并解释称：“8月21日星期一，HPE将老版本与低容量内存SKU的建议销售价格提升10%至20%。”
以下内存产品将受到影响：
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DRAM HPE
- 随着更多业者进入MRAM市场，STT执行长Barry Hoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。
或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取存储器(MRAM)市场的引爆点。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出货商用MRAM产品的公司。不过，就像Spin Transfer Technologies(STT)执行长Barry Hoberman一如既往地表达肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM业者铺路。
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MRAM DRAM
- 传三星电子(Samsung Electronics)与全球智能手机业者，协商提高移动DRAM(Mobile DRAM)价格过程占了上风，将有助于2017年下半的半导体事业获利表现。三星电子这项举动，可望让同为韩国存储器大厂的SK海力士(SK Hynix)跟着受惠。
韩媒Business Post引述业界看法，指出三星电子预计从2017年第4季起，针对大中华地区智能手机业者，祭出10~20%的移动DRAM价格调涨策略，部分韩媒则是指出，三星电子这项举动仅针对部分中低价智能手机业者。
韩国业界
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三星 DRAM
- 8月21日晚，据紫光国芯发布的2017上半年财报显示，公司上半年盈利1.23亿元，同比下降17.86%。新产品开发方面，紫光国芯最新开发完成的NAND Flash已经开始了市场推广，下一代DRAM产品开发进展顺利。
作为中国半导体行业的龙头企业，紫光国芯表示，受公司持续加大可编程系统芯片、存储器芯片的研发投入等众多因素的影响，使得上半年净利润下滑。
据了解，紫光国芯主营业务为集成电路芯片设计与销售，并致力于向用户提供先进的芯片设计产品以及专业的芯片解决方案。产品主要包括智能卡芯片、特种集成
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紫光 DRAM
- 今年以来，全球集成电路市场增长迅速，我国集成电路产业在国家政策引导、市场需求拉动的双重作用下，继续保持了平稳快速的发展。其中，颇具产业代表的紫光国芯股份有限公司(以下简称“紫光国芯”)以“自主创新”与“国际合作”相结合的发展路径，围绕芯片设计核心业务，同时开拓了存储器芯片、智能芯片等集成电路产品相关应用市场。
8月21日晚间，紫光国芯发布了2017上半年财报，财报显示，公司上半年实现营收8.01亿元，同比增长24.01%;归
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紫光国芯 DRAM
- 虽然全球DRAM供应短缺的问题正得到逐步缓解，但供需之间仍存在充足的缺口——至少能够让各芯片制造商继续迎来创纪录的营收总值。
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DRAM 芯片
- 据台湾经济日报报道，大陆积极发展内存产业，但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线，在政策与时间压力下，反而凸显台厂扮演关键少数的重要性，业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。
大陆的内存产业，目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力，但在美光发动司法调查，紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后，日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。
另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队，仍如火如荼进行，并宣示明年要切入19nm生产DRAM;福建晋华则和联电合作，委托联电开发DRAM相关制程技
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DRAM 联电
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM
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NAND DRAM
- 据台湾经济日报报道，大陆积极发展内存产业，但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线，在政策与时间压力下，反而凸显台厂扮演关键少数的重要性，业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。
大陆的内存产业，目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力，但在美光发动司法调查，紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后，日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。
另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队，仍如火如荼进行，并宣示明年要切入19nm生产DRAM;福建晋华则和联电合作，委托联电开发DRAM相关制程技
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DRAM SK海力士
- “3D Touch从今年开始将迈入实质性进展的一年。”自2015年Apple Watch最早采用Force Touch，随后iPhone 6s/6s Plus问世，带来了我们熟知的3D Touch，压力触控技术开始由平面转向三维，给人机交互带来了新风潮。
然而，在iPhone 6s推出前后，包括中兴、华为、HTC、小米、金立等手机厂商都有推出支持3D Touch功能的新品，但整个市场依旧泾渭分明，不温不火。
跟风苹果3D Touch但受两大因素限制
自苹果把3
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3D Touch NDT
- 集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2017年第二季的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看，由于客户端已经将库存水位逐步往上提升，第二季供不应求状况虽不至于像第一季度严重，但整体仍处于供货吃紧的状况。标准型内存与服务器用内存第二季价格上涨逾一成，行动式内存则因中国品牌手机厂下修出货数量，价格仅小幅上涨5%内。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，观察市场面，受惠于平均销售单价的上扬与新制程的持续转进，大规模的扩张产能至今年年底仍未见，全球DRAM市场第二
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DRAM NOR
- 在海外并购道路障碍重重的情况下，我们通过培养积蓄人才来为中国创“芯”积攒力量，向2020年实现芯片自给率40%、2025年自给率70%的目标前进，是更为有效地打破“缺芯”现状实现自主替代的路径。
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芯片 DRAM
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