三维晶片(3DIC)商用量产设备与材料逐一到位。3DIC晶圆贴合与堆叠制程极为复杂且成本高昂，导致晶圆厂与封测业者迟迟难以导入量产。不过，近期半导体供应链业者已陆续发布新一代3DIC制程设备与材料解决方案，有助突破3DIC生产瓶颈，并减低晶圆薄化、贴合和堆叠的损坏率，让成本尽快达到市场甜蜜点。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙强调，3DIC材料占整体制程成本三成以上，足见其对终端晶片价格的影响性。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙表示，高昂成本向来是3DIC
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晶圆 3D
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。
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Diodes 晶体管 DFN0806-3
物理学家组织网报道，丹麦哥本哈根大学化学纳米科学中心和中国中科院的科学家携手，用仅仅一个分子单层制造出一款晶体管，同时，他们创造性地应用石墨烯的独特性能，用该分子晶体管制造出了一块石墨烯计算机芯片。这一发表在《先进材料》杂志上的最新研究将有助于科学家们设计出体形更小、运行速度更快且更环保的电子设备。
该研究的领导者、哥本哈根大学化学教授卡斯帕·诺亚德说：“石墨烯拥有许多让其他材料望尘莫及的独特属性，这也是科学家们首次证明，可以将一个功能性的元件集成在一块石墨烯芯片上。新
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石墨烯 晶体管
晶体管的持续微缩化对我们的日常生活有着超乎寻常的影响力。回想1997年，IBM所制造的巨型超级计算机“深蓝”...
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东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期间公布，此次研讨会将于2013年6月11日至14日在日本京都举行。
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半导体技术走向系统化，集成不同芯片堆叠而成的3D IC将成为主流发展趋势。2.5D IC从设计工具、制造、封装测试等所有流程的解决方案大致已准备就绪，今年最重要的课题即在于如何提升其量产能力，以期2014年能让2.5D IC正式进入量产。
SiP Global Summit 2013(系统级封测国际高峰论坛)将于9月5日至6日与台湾最大半导体专业展览SEMICON Taiwan 2013(国际半导体展)同期登场，特别邀请台积电、日月光、矽品、欣兴电子、Amkor、Qualcomm、STATS C
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联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 与SuVolta公司,日前宣布联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)工艺。SuVolta与联华电子正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗，并提高SRAM的低电压效能。
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联华 28纳米 DDC 晶体管
国际半导体设备暨材料协会(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，半导体技术走向系统化，整合不同晶片堆叠而成的3D IC(立体堆叠晶片)将成为主流发展趋势，2.5D IC从设计工具、制造、封装测试等所有流程的解决方案大致已准备就绪，以期2014年能让2.5D IC正式进入量产。
SEMI台湾暨东南亚区总裁曹世纶表示，2.5D及3D IC制程解决方案已经逐渐成熟，产业界目前面临最大的挑战是量产能力如何提升，业界预估明后
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3D IC
全球3D 打印领域的领先企业、快速原型与快速制造的引领者——Stratasys公司(纳斯达克代码：SSYS)于日前宣布为巴黎时装周带来12 双由 3D打印机制作的时装鞋，亮相著名荷兰设计师艾里斯•范•荷本的“狂野之心”(Wilderness Embodied)系列展。
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Stratasys 3D 打印机
全球 3D 打印领域的领先企业、快速原型与快速制造的引领者—Stratasys公司(纳斯达克代码：SSYS)非常荣幸地宣布其董事会主席兼研发负责人Scott Crump于6月12日被制造工程师学会(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技术及增材制造(RTAM)行业杰出成就奖(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
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Stratasys 3D
新的NMOS（N型金属氧化物半导体）外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要
应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。
NMOS外延可将晶体管速度提高半个器件节点，同时不增加关闭
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应用材料 晶体管
日前，Alchimer, SA 宣布与法国研究机构CEA-Leti 达成协作合约，以评估和实施Alchimer为300mm 大批量生产的湿式沉积工艺。该专案将为隔离层、阻挡层和晶种层评估Alchimer 的Electrografting (eG™) 和Chemicalgrafting (cG™) 制程。
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Alchimer 3D TSV
据物理学家组织网7月4日报道，美国麻省理工学院(MIT)电子研究实验室(RLE)、哈佛大学以及奥地利维也纳技术大学的科学家们在最新一期《科学》杂志撰文指出，他们研制出了一种由单个光子控制的全光开关，新的全光晶体管有望让传统计算机和量子计算机都受益。
新的全光开关的核心是一对高度反光的镜子。当开关打开时，光信号能穿过这两面镜子，当开关关闭时，信号中约20%的光能穿过镜子。如此一来，这对镜子就构成了所谓的光学共振器。该研究的领导者、MIT物理学教授弗拉达·乌勒提解释道，如果镜子间的距离
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