- 台积电再掉单?韩媒报导，苹果、高通之外，绘图晶片巨擘Nvidia也看上三星电子的14奈米FinFET制程，将从台积电转单三星。
韩媒3日报导，Nvidia转单三星，可提前一季推出次世代制程晶片。Meritz Securities分析师Park Yu-ak表示，今年全球厂商可能会全力降低成本，以抵销应用处理器价格下滑的损失。预料三星系统半导体部门今年第二季会向苹果、高通、Nvidia出货。
与此同时，三星拓展记忆体业务，3日宣称量产业界首见的ePoP(embedded package on
- 关键字：
Nvidia 三星 14纳米
- Semiwatch长期观察半导体设备产业的分析师Robert Maire先前传出，台积电竞争对手格罗方德半导体( GlobalFoundries Inc.)已要求供应商将14 奈米半导体设备运送仓库暂存、而非直接在晶圆厂进行安装，因此引发格罗方德可能面临良率问题等疑虑。Summit Research分析师Srini Sundarajan 30日也发表研究报告，确认格罗方德将设备暂送仓库存放的说法。
不过，格罗方德发言人Jason Gorss 30日随后特地对barron`s发布电子邮件声明稿表示
- 关键字：
台积电 格罗方德 14纳米
- 三星电子(Samsung Electronics)在稍早传出开始量产采用14纳米FinFET制程技术的A9芯片，这对于三星来说，在抢佔先进微细制程市场以及与苹果(Apple)合作关系上，可以说是一箭双雕。
据ET News报导，三星美国奥斯汀厂传出已经开始量产采用14纳米FinFET技术的苹果A9。虽然美国奥斯汀厂以及韩国器兴厂均拥有FinFET制程的产线，但由于为量产的第一阶段，因此先由奥斯汀厂打头阵。
此外分析指出，由于顾及次世代芯片性能资安以及供应等问题，奥斯汀厂是在苹果的要求下首先
- 关键字：
三星 FinFET 14纳米
- 三星半导体业务及LSI系统业务部门总裁金奇南(Kim Ki-nam)表示，14纳米FinFET芯片工厂已经开始批量生产，不过，他并未透露这家工厂的客户。
三星这家14纳米制程工厂主要是为了拉拢台积电的客户。
三星为苹果生产的首批14纳米芯片很可能由这两家工厂制造，有传言称，苹果已经开始下单生产S1系统芯片，S1芯片将用于苹果智能手表。而业内最大的“应用处理器”(AP)巨头高通也已经和三星签订协议，准备生产下一代应用处理器。高通应用处理器有望出现在AMD新一代的GPU
- 关键字：
三星 14纳米 高通
- 三星证实14纳米制程已进入生产阶段，左右与台积电16纳米的市占落差，业界认为，台积电已全力追赶，明年虽然还是会落后三星，但双方差距将会缩小。
三星首度出现在台积电的雷达屏幕上，靠的就是14纳米制程，并让台积电董事长张忠谋坦言，明年16纳米市占率将输给三星。
业界认为，三星的14纳米制程月产能已有2.5万片，台积电则要等到明年6月底前，才能备足5万片的16纳米FinFET+产能，在产能落差下，明年上半年苹果A9处理器订单确实可能略低于三星。
不过，业界认为，三星抢下的A9订单，应该是先
- 关键字：
三星 台积电 14纳米
- 台积电正与英特尔、三星展开14/16纳米竞赛，英特尔资深副总裁Kirk Skaugen 4日指出，采用14纳米生产的首款Broadwell架构处理器「Core M」已出货百万计，14纳米是该公司历史上最快切入的产品;明年也会出现更多无线化的终端产品。
全球三大晶圆制造厂明年进入14/16纳米之争，由于英特尔以14纳米生产的Core M处理器客户端产品将在年底上市，三星以14纳米为高通生产的手机芯片也预计明年上半年量产，一度落后的台积电急追，已传出16纳米可能提前在明年第2季量产。
英特尔在
- 关键字：
英特尔 台积电 14纳米
- 2014年IDF期间，英特尔重点介绍了全球首款14纳米可以商用的芯片®酷睿™M处理器，并且透露了这个产品发布的时间节点：基于这个芯片的产品将于下个月正式量产。关于这个新产品，有这些新闻点可以和大家分享：
1，功耗。尽管英特尔产品性能强劲，但业界一直在质疑英特尔产品的功耗。这次发布的新处理器产品，功耗仅4.5瓦，是英特尔历史上效能最高的酷睿处理器。
英特尔数据显示，与上一代产品相比，由于功耗已降低至4.5W，在执行有效工作负载的情况下，可将电池的续航时间延长达20%(1.
- 关键字：
英特尔 14纳米
- 三星电子(SamsungElectronics)将于11月推出先进代工制程14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)样品，而此次应用14纳米制程的应用处理器(AP)试制品，也传出将先提供给高通(Qualcomm)、苹果(Apple)、超微(AMD)等主要客户。
据韩媒Newstomato报导，三星电子系统LSI事业部计画将于年内开始量产14纳米、20纳米晶圆代工产品。扩大产能(Rampup)时机虽仍未决定，但业界分析，三星电子在与高通、苹果签订最终晶圆代工合约后，有可能将于2015年上半扩大
- 关键字：
三星 14纳米
- 英特尔今天公布了最新微架构的细节，该微架构使用英特尔业界领先的14纳米制程工艺进行了优化。新的微架构和14纳米制程技术相结合，将以高性能、低功耗的特性支持一系列计算需求和产品，涵盖了从云计算和物联网基础设施，到个人及移动计算。
新闻要点：
英特尔披露了英特尔®酷睿™ M处理器的微架构细节，这是利用英特尔14纳米技术制造的第一款产品。
新的微架构和制程的结合将带来新一轮外观和体验上的创新，产品会更加轻薄、噪音更低。
相比上一代处理器
- 关键字：
英特尔 酷睿 14纳米
- 现任GLOBALFOUNDRIES高级副总裁暨新加坡分公司总经理洪启财日前接受记者独家专访时表示，通过与韩国三星公司的技术合作，GLOBALFOUNDRIES的14纳米工艺产线将在今年年底完成验证工作，2015年将在Fab8厂顺利进入量产阶段，量产规模可从最初的每月1万片增长到6万片。
现任GLOBALFOUNDRIES高级副总裁暨新加坡分
- 关键字：
GLOBALFOUNDRIES 14纳米 SoC
- Needham & Co.半导体设备分析师Edwin Mok 27日针对晶圆代工领域提出了透彻分析，认为相关的半导体设备订单有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)订单却将递延一季。
barron`s.com报导，Mok发表研究报告指出，据了解晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries;GF)正在提高纽约州Malta厂的20奈米制程产能，而三星电子(Samsung)也正在逐渐增加Austin厂的设备，这似乎支持了近来传出的高通(Qualco
- 关键字：
FinFET 14纳米
- 根据为期多年的协议，GLOBALFOUNDRIES将授权三星的14纳米FinFET器件, 和三星同步使用自己在美国和韩国的晶圆厂制造和生产14nm。这是在晶圆业第一个能从20纳米真实面积缩放的14纳米FinFET技术，而这术平台已经获得了牵引作为高容量，低功耗的SoC设计中的首选。随着GLOBALFOUNDRIES和三星携手合作，无晶圆厂半导体客户将享有更多的选择和灵活性，因为供应将来自多个世界源地。与此同时，无晶圆厂半导体客户也能维持在流动性和IT基础设施的领导地位。
- 关键字：
GLOBALFOUNDRIES 14纳米
- 全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(SamsungElectronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争，三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先，纷准备投入量产，台积电则致力于16纳米FinFET技术发展。半导体业者透露，面对竞争对手14纳米进逼，台积电亦布下天罗地网迎战，传出内部针对16纳米制程规划3个版本，且第二版本可能直接在2014年底进行试产，近期已开始说服客户导入。
三星系统LSI事业部已完成14纳米FinFE
- 关键字：
三星 14纳米
- 摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，但是硅基半导体之后采用什么材料仍值得人们期待。
英特尔：继续执行“Tick-Tock”发展策略
英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年达到7nm。
据英特尔已经公布的工艺路线图显示，在201
- 关键字：
英特尔 14纳米
- 英特尔目前仍然牢牢把持着数据中心，至少是数据中心内的大部分服务器，自然希望在保持现状之外在网络及存储业务等毗邻领域占据统治地位。有鉴于此，芯片巨头举办了为期一天的记者与分析师招待会。同时参加的还有公司数据中心与连接系统部门的所有高层，共同就未来数年的数据中心发展战略做出说明。
作为会议的一部分，英特尔公司披露了针对低功耗服务器的芯片路线图，外加服务器与存储类凌动芯片产品，代号分别为“Avoton”与“Rangeley”。
“我们清
- 关键字：
英特尔 14纳米
14纳米介绍
您好，目前还没有人创建词条14纳米!
欢迎您创建该词条，阐述对14纳米的理解，并与今后在此搜索14纳米的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
