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全集成汽车USB Type-A和USB Type-C充电器控制芯片

  • 汽车中控系统通常都会提供一个 USB 充电端口，该端口需要在传输数据的同时为移动设备充电。对这些系统而言，选择带 USB 限流开关的汽车级 IC 非常重要。本文将介绍 MPS 的 USB 充电端口降压变换器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何将其高效率的优势应用于 USB 集线器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 应用中。MPQ4228-C-AEC1MPQ4228-C-AEC1 提供了一种集成降压开关模式变换器和 USB 限流开关的 USB 充电解决方案（见图 1）。它支持 BC1.
  • 关键字： MPS  充电器控制芯片  

电位差的计算方案

  • 从前面的教程中我们知道，通过将电阻器串联在一起并跨过电位差，我们可以产生一个分压器电路，该电路将给出每个电阻器上的电压与整个组合上的电源电压的比率。利用欧姆定律，流过电阻器的电流可以计算如下：计算流过一个 100Ω 电阻的电流，该电阻的一个端子连接到 50 伏电压，另一个端子连接到 30 伏电压。A端电压等于 50v，B端电压等于 30v。因此，电阻两端的电压如下：V A = 50v，V B = 30v，因此，V A – V B = 50 – 30 = 20v电阻两端的电压为 20v，则流过电阻的电流为：
  • 关键字： 电位差  

用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南

  • SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP517
  • 关键字： 安森美  SiC  MOSFET  隔离栅极驱动器  

GoMore博晶医电将在

  • 中国，北京 - 2023年6月27日 - 运动与健康人工智能算法供应商博晶医电（GoMore）将于2023年MWC上海（Mobile World Congress Shanghai）演示最新Edge1.6演算引擎搭载ST LSM6DSO16IS內嵌智能传感器处理单元ISPU（Intelligent Sensor Processing Unit）的运动可穿戴设备，能提供用户精准的跑步姿态分析，包括步频、步幅、触地时间、触地平衡、垂直震幅、跑步功率、配速、腾空时间、着地冲击力、着地方式与内外翻幅度等专业跑步指
  • 关键字： GoMore  博晶医电  MWC上海  运动可穿戴设备  

支持高速高精度控制和EtherCAT通信的RZ/T2L MPU

  • 在制造业中，人们试图通过“连接”来提高生产率。近年来，旨在通过整合生产管理（IT）与生产现场（OT）进一步提升生产率的Industry 4.0，便是IIoT进程中的一例。在这种趋势下，连接制造设备的网络正在从传统的现场总线快速过渡到以太网，以实现更快的通信速度。清水 寛樹面向工业设备的以太网有几种通信协议标准，比如PROFINET和EtherNet/IP等。不过，近年来发展特别迅速的是EtherCAT。如下图所示，它的市场份额在过去两年增长了7%。图1：按工业以太网协议划分的份额EtherCAT市场份额增
  • 关键字： 瑞萨  EtherCAT  MPU  

辅助驾驶毫米波雷达信号处理流程详解

  • 毫米波雷达大规模用于汽车辅助驾驶的传感器，由于受气象变化、可见光强弱影响较小，测距较精准，可以和摄像头取长补短，共同实现可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主动安全配置(AEB)性能测试要求，而2021年版C-NCAP调高了主动安全部分权重【1】。交通运输部发布了《营运车辆自动紧急制动系统性能要求和测试规程》（JT/T1242-2019）于2019年4月1日起正式实施。该标准规定了营运车辆自动紧急制动（AEB）系统的一般要求、功能要求、环境适应性要求和测试规程。本文简要介绍了毫米波雷达信号处理
  • 关键字： 英飞凌  辅助驾驶  

功率三角形如何计算电阻器中消耗的功率

  • 如果我们知道电阻器两端的电压值和流过电阻器的电流值，则上述功率三角形非常适合计算电阻器中消耗的功率。但是我们也可以使用欧姆定律计算电阻消耗的功率。如果我们知道电阻器两端的电压值和流过电阻器的电流值，则上述功率三角形非常适合计算电阻器中消耗的功率。但是我们也可以使用欧姆定律计算电阻消耗的功率。欧姆定律允许我们在给定电阻器阻值的情况下计算功耗。通过使用欧姆定律，如果我们只知道电压、电流或电阻这两个值，就可以获得上述电阻功率表达式的两个替代变体，如下所示：    [ P = V x I ]
  • 关键字： 电阻器  功率三角  

聊一聊智慧农业中，那些风格迥异的传感技术

  • 国际粮农组织在2022《世界粮食安全和营养状况》报告中提到，2021年全球受饥饿影响的人数已经增加到8.28亿人。令人忧心的是，生活在地球上的人口总数还在不断攀升，根据联合国的数据，到2050年，世界人口预计将达到97亿。而受极端天气、土壤恶化、土地干燥和生态系统崩溃等影响，粮食生产正变得越来越复杂和困难。眼下有没有办法破解这一困境呢？答案是：智慧农业的蓬勃发展让我们看到了希望。什么是智慧农业？智慧农业是指利用先进的技术和更多的数据来提高农业生产效率的系统。简单地说，智慧农业不仅能够大幅提高农业生产力，解
  • 关键字： Mouser  

安森美引领行业的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技术优势

  • 本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势，提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识，接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息，并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后，本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLECS 模型以及相关的影响。总结部分阐明了安森美工具比业内
  • 关键字： 安森美  PLECS模型  仿真工具  

具有更高效率与优势的碳化硅技术

  • 碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。大幅降低储能系统成本与提升效率的SiC技术当前的SiC技术已经相当成熟，可以适用在从千瓦到兆瓦功率的工业应用范围中，影响了能源、工业和汽车等众多领域。由于SiC器件运作时的温度较低，及较小的
  • 关键字： 艾睿电子  碳化硅  

敲击扬声器震动信号建模

  • 扬声器震动的频率特性可以通过敲击它所获得的冲激响应来分析。 原本驱动扬声器纸盆震动的线圈此时可以用作震动传感器， 它将纸盆的震动速度转换成电压信号。 通过示波器可以采集到这个信号，  本文将对敲击扬声器所产生的震动信号进行观察建模。一、前言扬声器震动的频率特性可以通过敲击它所获得的冲激响应来分析。 原本驱动扬声器纸盆震动的线圈此时可以用作震动传感器， 它将纸盆的震动速度转换成电压信号。 通过示波器可以采集到这个信号，  本文将对敲击扬声器所产生的震动信号进行观察建模。二、敲击扬声器使用示波器连接扬声器的引
  • 关键字： TsinghuaJoking  

东芝推出“TXZ+™族高级系列” ARM Cortex-M3微控制器

  • 中国上海，2023年6月27日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其搭载32位微控制器产品组“TXZ+TM族高级系列”的“M3H组”中新推出“M3H组（2）”，该系列产品配备了采用40nm工艺制造而成的Cortex®-M3。近年来，随着数字技术的渗透，特别是在物联网IoT领域的普及，以及日益先进的各种设备功能，用户对更大程序容量和支持FOTA（无线固件升级）的需求不断增加。新产品M3H组（2）将东芝现有产品M3H组（1）的代码闪存容量从512KB（部分为256KB或384KB）扩展至
  • 关键字： 东芝  TXZ+  Cortex-M3  微控制器  

介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器

  • LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降压、升压、SEPIC、ZETA和非同步降压-升压等拓扑。ADI有多款同步降压、升压变换器和控制器，但支持同步SEPIC拓扑的并不多。SEPIC拓扑其实非常实用，因为无论输入电压远低于或远高于输出电压，它都能提供稳定的电平输出。及工业应用中工厂的供电线路较长或者突然掉电时。油气设备可以通过 SEPIC变换器将多个不同的电源连接至负载来提高系统可靠性，如果其中一个电源出现故障，即使输入电压不同，SEPIC变换器可以通过另一个电源来为负载供电。电路描述及功能图1.
  • 关键字： ADI  SEPIC控制器  

漏极和源极之间产生的浪涌

  • 开关导通时，线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能（电流能量）。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时，就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构，在High Side（以下简称HS）和Low Side（以下简称LS）之间连接了一个开关器件，该图是LS导通，电路中存在开关电流IMAIN的情形。通常，该IMAIN从VSW流入，通过线路电感LMAIN流动。本文的关键要点・漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的。・在实际的版图设
  • 关键字： ROHM  漏极  源极  

高速射频AD转换器前端设计

  • 在将巴伦、LNA和FDA与TRF1208等单端转差分(S2D)放大器进行比较时，重要的是要搞清楚设计宽带、高性能模数转换器(ADC)接口时所涉及的指标。AC性能比较权衡在将巴伦、LNA和FDA与TRF1208等单端转差分(S2D)放大器进行比较时，重要的是要搞清楚设计宽带、高性能模数转换器(ADC)接口时所涉及的指标。如果提前考虑好的话，以下五个指标可以有助于使设计不出问题：输入阻抗或电压驻波比(VSWR)：该参数是一个无量纲参数，它显示在有用带宽内有多少功率被反射到负载中。网络输入阻抗是负载的特定值，通
  • 关键字： AD转换器  
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