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ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻

  • ～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两个系列，共5款新机型。近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提
  • 关键字： ROHM  双MOSFET  

西部数据推出全新产品助力数据中心提升灵活性和可扩展性

  • 从云端到边缘，再到企业，数据中心架构师们为了充分发挥人工智能、对象存储、文件共享等技术的潜力，正在部署更高级别的闪存产品。同时，他们也关注成本把控，亟需可以更高效地管理、扩展和利用存储资源的解决方案。基于此，能够提高存储资源性能、可用性和灵活性的共享分类NVMe闪存架构（NVMe-oF）逐渐成为趋势。西部数据公司（NASDAQ：WDC）日前宣布推出增强型OpenFlex Data24 3200 NVMe-oF JBOF/存储平台、新一代RapidFlex A2000和C2000 NVMe-oF高速网络架构
  • 关键字：   

英飞凌将在马来西亚居林建造全球最大的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂,到2030年末总收入预期将达到约70亿欧元

  • 低碳化趋势将推动功率半导体市场强劲增长，尤其是基于宽禁带材料的功率半导体。全球功率系统领域的领导者英飞凌科技股份公司正向构建新的市场格局迈出又一决定性的一步——英飞凌将大幅扩建居林晶圆厂，在2022年2月宣布的原始投资基础之上，打造全球最大的200毫米碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。这项扩建计划得到了客户的支持，包括汽车和工业应用领域约50亿欧元的新设计订单以及约10亿欧元的预付款。在未来五年内，英飞凌将再投入多达50亿欧元进行居林第三厂区（Module Three）的二期建设。在本世纪末，这项投资再加
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大模型应用：激发芯片设计新纪元

  • 2023 年，生成式 AI 如同当红炸子鸡，吸引着全球的目光。当前，围绕这一领域的竞争愈发白热化，全球陷入百模大战，并朝着千模大战奋进。在这场潮流中，AI 芯片成为支撑引擎，为大模型应用提供强有力的支持。蓬勃发展的大模型应用所带来的特殊性需求，正推动芯片设计行业迈向新纪元。众多顶级的半导体厂商纷纷为大模型应用而专门构建 AI 芯片，其高算力、高带宽、动辄千亿的晶体管数量成为大芯片的标配。 芯片设计复杂度，迈向新高峰 在人工智能领域，大模型应用的兴起，让芯片的发展来到了一个新高度。大模型
  • 关键字： 芯片设计  

莱迪思即将举办线上研讨会探讨其最新的高级系统控制FPGA

  • 中国上海——2023年8月9日——莱迪思半导体公司（NASDAQ: LSCC），低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布将举办免费的线上网络研讨会，会议的主题是探讨莱迪思控制FPGA——最近发布的MachXO5T™-NX FPGA系列产品。该产品旨在帮助客户解决日益增长的系统管理设计复杂性方面的挑战。在研讨会期间，莱迪思将提供MachXO5T-NX高级系统控制FPGA产品系列的技术细节。该系列产品拥有先进的互连、更多逻辑和存储资源、稳定的可编程IO以及领先的安全性等特性。 ·  
  • 关键字： 莱迪思  FPGA  

UCODE标签存储器扩展对供应链及工业物联网的影响

  • 每年有数百亿个RAIN RFID标签穿梭于价值链，识别跟踪各类物品。在大多数情况下，只需少量的存储空间便可以存储产品和标签ID，从而区分各个物品，并报告物品在系统中的位置和/或状态。那么，为什么某些RAIN RFID标签提供额外的存储空间呢？因为在某些情况下，特别是在供应链和工业物联网中（IoT），即使一点点额外的存储空间也会带来很大的影响。除了产品和标签ID外，扩展存储器标签可以存储其他信息，有助于提升效率、提高自动化水平并降低运营成本。 什么是扩展存储器标签？提供扩展存储器的RAIN RFI
  • 关键字： UCODE  标签  存储器  RFID  NXP  

产生负电压——为什么需要在降压-升压电路中进行电平转换

  • 问题：为什么需要电平转换？ 答案：反相降压-升压电路通常用于从正电压产生负电源电压。最重要的一步是确保正确产生负电压。但是，如果电源由主应用电路控制或监控，则可能还需要电平转换电路。该电路以地为基准，而反相降压-升压电源电路的GND引脚连接到所产生的负电压。 简介反相降压-升压电路产生的负电压幅度可以高于或低于可用正电压的幅度。例如，从+12 V可以生成-8 V，甚至-14 V。当使用具有反相降压-升压电路的开关稳压器IC时，系统可能需要设计通信引脚。如果确实需要，设计人员必须进行充分
  • 关键字： 产生负电压  降压-升压电路  ADI  

OCP China Day 2023: 村田中国携高效电源产品及完整解决方案亮相

  • 以“OPEN MOMENTUM：智能化·可持续·拓展性”为主题，由全球最具影响力的开放计算组织OCP基金会主办的第五届OCP China Day全球技术峰会中国专场将在北京香格里拉酒店隆重开幕。全球领先的综合电子元器件制造商村田中国（以下简称“村田”）将在本次峰会上重点展示符合OCP标准的ORV3集中式供电电源及电池备份单元，为数据中心的节能、安全、智能、高效运行提供有力支撑。根据“东数西算”政策规划，预计“十四五”期间，大数据中心投资还将以每年超过20%的速度增长，累计带动各方面投资将超过3万亿元，整体
  • 关键字： OCP China Day  村田中国  高效电源  

发力高端工业市场，兆易布局绿色能源“芯”应用

  • 进入2023年，工业4.0背景下工业控制市场的产业链各级厂商全面发力，不断加速工业制造在数字化、智能化、绿色化等发展方向上的推陈出新。据Prismark统计，2019-2023年全球工业控制市场规模年均复合增长率为3%，预计2023年全球工业控制的市场规模将达到2600亿美元。此外，据Yole Development统计，存储器细分领域NOR Flash在2021年的市场规模为35亿美元，预计2027年增长至49亿美元，年均复合增长率约为6%。可以预见，MCU芯片、嵌入式存储器等作为工业控制领域的核心部件
  • 关键字： 兆易  绿色能源  

IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案

  • 引言在许多应用场合，都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。在输出功率60W以内，工程会选用内置MOS的升压芯片，集成度高，外围元器件少。但是在更大功率的应用场合，如车载升压应用、户外大功率拉杆音箱等，需要升压电路将12V电源升压至24V~36V或以上，实现更大功率输出，内置MOS的升压芯片显然无法满足应用要求。深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广一颗外置MOS，36V输出大功率同步升压控制器-IU5706. 4.5V 到30V宽范围输入，适用于不同类型的电池及电源输入；输出电压最高38V；可驱动大
  • 关键字： 12V升36V  同步升压控制器  

铠侠领先推出面向企业与数据中心的CD8P系列PCIe 5.0 SSD

  • 东京——全球存储器解决方案领导者的铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布，铠侠数据中心级固态硬盘（SSD）产品线新增铠侠CD8P系列。铠侠CD8P系列能够利用PCIe®5.0（32GT/s x4）接口技术，可实现更好的企业级存储、通用服务器和云端环境加速，帮助数据中心大型虚拟化系统应对复杂的混合工作负载，并能够24小时全天候运行。铠侠CD8P系列的容量可达30.72 TB[1]，提供符合企业和数据中心固态硬盘规范（EDSFF）E3.S，以及2.5英寸（U.2）两种标准外形规格。&nb
  • 关键字： 铠侠  PCIe 5.0 SSD  

台积电欧洲首厂落定：博世英飞凌恩智浦各持股10%，投资超百亿欧元，4年后投产

  • 集成电路代工巨头台积电正式拍板前往德国建厂。8月8日，台积电对外宣布，公司董事会已批准在德国德勒斯登投资半导体工厂的计划。台积电将与博世（Bosch）、英飞凌（Infineon）和恩智浦（NXP）共同成立合资公司，台积电持股70%，其余三家各持股10%，这是台积电在欧洲布局的第一个工厂。德国工厂——欧洲半导体制造公司（ESMC）将于2024年下半年开始兴建晶圆厂，并于2027年底开始生产，总计投资金额预估超过100亿欧元。同一天，台积电董事会核准于不超过34.999亿欧元额度投资于ESMC。德国设厂布局车
  • 关键字： 台积电  ESMC  

英特尔CEO称AI PC时代于今秋开启 联想将首批发布

  • 英特尔首席执行官Pat Gelsinger近日在公司2023年第二季度财报电话会议上表示，其即将推出的Meteor Lake第14代酷睿处理器将开创AI PC（人工智能电脑）的时代。英特尔的Meteor Lake有望在2023年第三季度的9月份推出，并将采用名为英特尔AI Boost的专用人工智能引擎。来自各方供应链的消息显示，联想将在今年秋季首批发布最新基于英特尔处理器的AI PC。（来源第一财经）
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英伟达推出比H100更快的芯片，将于2024年二季度上市

  • 下一代版本的GH200 Grace Hopper超级芯片将成为世界上第一个配备HBM3e内存的GPU芯片。HBM3e内存将使下一代GH200运行AI模型的速度比当前模型快3.5倍。·最新版本的GH200超级芯片将于2024年第二季度推出。这个时间晚于AMD推出的最新数据中心GPU（Instinct MI300X）的上市时间。英伟达首席执行官黄仁勋穿着他标志性的皮夹克登上了世界顶级计算机图形学会议SIGGRAPH的舞台。太平洋时间8月8日，英伟达首席执行官黄仁勋穿着他标志性的皮夹克登上了世界顶级计算机图形学
  • 关键字： 英伟达  GPU  

输入冲击电流抑制电路设计

  • 在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输入冲击电流过大时，可能触发前端供电设备的过流保护或前端空气开关、断路器等跳闸保护。因此设计出合适的输入冲击电流抑制电路，可以有效的避免设备接通瞬间前端设备触发保护而停止工作，从而提高系统的可靠性。一、引言在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当
  • 关键字： MORNSUN  冲击电流抑制  
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