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Intel新掌门陈立武上任首秀,VISION大会即将开启
- 2025 年 3 月 23 日,全球半导体巨头 Intel 宣布,新任首席执行官陈立武(Patrick Gelsinger)将于 3 月 31 日北京时间 18:00-18:45,在圣克拉拉总部举行的年度 VISION 大会发表主题演讲。这将是这位行业资深领袖自 2025 年 2 月正式履新以来,首次面向全球行业伙伴、投资者及媒体的公开战略阐述。作为 Intel 年度战略沟通平台,VISION 大会(3 月 31 日 - 4 月 1 日)的议程调整备受瞩目。值得关注的是,在年初发布的会议预告中,主讲人原为
- 关键字: 英特尔 陈立武 Intel VISION
电磁感应
- 当直流电流通过长直导体时,会在其周围产生磁化力和静态磁场电磁感应利用电与磁之间的关系,即通过单根导线的电流会在其周围产生磁场。如果将导线绕成线圈,磁场会大大增强,在线圈周围形成一个静态磁场,形状类似于条形磁铁,具有明显的北极和南极。空心电磁线圈 空心线圈线圈周围产生的磁通量与线圈绕组中流动的电流量成正比,如图所示。如果在同一线圈上绕上额外的导线层,并且相同的电流通过它们,静态磁场强度将会增加。因此,线圈的磁场强度由线圈的安培匝数决定。线圈中的导线匝数越多,其周围的静态磁场强度越大。但是,如果我们
- 关键字: 电磁感应
HBM新技术,横空出世
- AI 的火热,令 HBM 也成了紧俏货。业界各处都在喊:HBM 缺货!HBM 增产!把 DDR4/DDR3 产线转向生产 DDR5/HBM 等先进产品。数据显示,未来 HBM 市场将以每年 42% 的速度增长,将从 2023 年的 40 亿美元增长到 2033 年的 1300 亿美元,这主要受工作负载扩大的 AI 计算推动。到 2033 年,HBM 将占据整个 DRAM 市场的一半以上。可即便行业全力增产,HBM 供应缺口仍然很大,芯片巨头也急的「抓耳挠腮」。当下,
- 关键字: HBM4
下一代3D晶体管,迈出重要一步
- 通过将原子厚度的 2D 半导体集成到 3D 架构中,为节能电子产品带来更多可能性。
- 关键字: 3D晶体管
磁滞
- 磁滞,通常称为磁滞现象,是指磁性材料在磁化和去磁过程中表现出的滞后或延迟现象。铁磁材料在受到临时磁场作用时,由于材料本身的特性,可能会在去磁过程中表现出滞后或延迟。这种磁性材料的滞后或延迟通常被称为磁滞。我们知道,电磁线圈产生的磁通量是在给定区域内产生的磁场或力线的数量,通常称为“磁通密度”。磁通密度的符号为B,单位为特斯拉(T)。从之前的教程中我们还知道,电磁铁的磁强度取决于线圈的匝数、通过线圈的电流或所使用的核心材料类型,如果我们增加电流或匝数,我们可以增加磁场强度,符号为H。之前,相对磁导率(符号μ
- 关键字: 磁滞
电磁铁
- 可以通过将线圈绕在软铁芯(如大钉子)上来创建一个简单的电磁铁电磁铁是一种临时磁铁,其磁场由电流产生,并且为了集中磁场,电磁铁的导线被绕成线圈。我们现在从之前的教程中知道,一个直的载流导体在其长度上的所有点周围都会产生一个圆形磁场,并且这个磁场的旋转方向取决于通过导体的电流方向,即左手定则。在关于电磁学的最后一个教程中,我们看到,如果我们将导体弯曲成一个单环,电流将通过环在相反方向上流动,产生一个顺时针场和一个逆时针场。电磁铁利用这一原理,通过将几个单独的环磁性地连接在一起,形成一个线圈。电磁铁基本上是线圈
- 关键字: 电磁铁
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