作为目前最有趣的元件家族之一，高值电容器提供的额定范围是十分之几法拉至数十法拉，但是工作电压较低。
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终结 IC 存储器 电荷 串联 电容 平衡
Engenio 6498控制器与Engenio 6498存储系统 以Engenio InfiniBand存储系统领先存储领域 ?新的本地InfiniBand存储解决方案为高性能运算环境带来益处 LSI逻辑近日宣布推出Engenio存储解决方案家族的最新成员：Engenio 6498控制器与Engenio 6498存储系统。这些解决方案集成了本地InfiniBand和第六代Engenio XBB ?架构，高性能的光纤通道或者大容量SATA
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LSI 存储器
NEC 电子与Link A Media Devices公司建立伙伴关系，为下一代垂直记录硬盘开发系统芯片(SoC)。第一款产品将于明年夏天上市。NEC表示，已向美国加州Link A Media投资800万美元，成为持股16.7%的股东。这将使NEC重新进入硬盘芯片市场。 双方表示，他们将把Link A Media公司的读取信道(read channel)、错误校验
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NEC 存储器
全力推进硬盘驱动半导体设计 杰尔系统（纽约股市：AGR）近日宣布在中国上海正式成立存储研发设计中心。该中心的成立旨在加强杰尔系统在亚洲的半导体研发和设计能力，同时也为拓展和加强与本地客户的合作关系提供支持。 Harley Burger先生将出任上海存储研发设计中心的总监职务，整个研发团队将在Harley Burger先生的带领下致力于硬盘驱动器芯片和固件的研发工作。目前，硬盘驱动产品已经广泛应用于台式电脑、笔记本电脑、消费电子产品以及企业网络。 杰尔系统大中国区副总裁John
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杰尔 存储器
DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。
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电源电路 DDR DRAM 存储器
MP3 播放机的产量已接近3,000 万部，其中50%是硬盘(HDD)MP3 播放机。MP3 播放机的电源供应通常来自于AC 适配器、USB 线缆或锂离子电池。然而，管理这些不同电源之间的电源通路控制是一个关键的技术难题。
硬盘MP3 播放机市场快速成长的主要动力，来自于苹果iPod 与iPod 迷你型硬盘MP3 的巨大成功，这两款产品在4～40GB 的存储范围内均具有多种硬盘选择。这些MP3 用微型硬盘的盘片直径大多不足2 英寸。例如，东芝的硬盘在直径仅为1.8 英寸的单一盘片上具有30GB 的容量；
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电源设计 硬盘MP3播放机 紧凑型ASSP 存储器
全力推进硬盘驱动半导体设计 杰尔系统近日宣布在中国上海正式成立存储研发设计中心。该中心的成立旨在加强杰尔系统在亚洲的半导体研发和设计能力，同时也为拓展和加强与本地客户的合作关系提供支持。 Harley Burger先生将出任上海存储研发设计中心的总监职务，整个研发团队将在Harley Burger先生的带领下致力于硬盘驱动器芯片和固件的研发工作。目前，硬盘驱动产品已经广泛应用于台式电脑、笔记本电脑、消费电子产品以及企业网络。 杰尔系统大中国区副总裁John Cummins先生
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杰尔 存储器
英特尔公司宣布推出一款全新存储平台，以便使中小型企业能够更加轻松、经济地部署存储解决方案，进而确保实现即时灾难恢复并提高备份能力。 由于大量采用数字化信息，包括营业报告、员工记录、照片和视频等，当前企业疲于应对数量不断增长的数据。与此同时，政府管制要求的增加、以及公司业务连续性和灾难恢复计划的不断发展，均促使对存储的需求日益提高。 英特尔存储事业部副总裁兼总经理Hans Geyer表示：“分析家指出，数据量每18个月就会增加一倍**，对此企业已是精疲力竭。但当前的存储解决方案对于普通企业而言，往
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英特尔 存储器
全球最大的内存芯片生产商三星电子宣布，已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线，从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。 芯片上的晶体管越多，它们之间的距离就越近，芯片性能也将得到提升。对于三星、美光和英飞凌等厂商，开发新技术对于削减成本以及增加销量是至关重要的。 DRAM芯片在线票据交换所宣称，应用最广泛的DRAM芯片的价格今年下跌了1/3，目前每块的价格仅为2.53美元。由于生产商大量的需求，现货市场上的DRAM如同
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三星 存储器
Silicon Laboratories宣布推出闪存容量加倍的新型微控制器C8051F316和C8051F317，使其领先业界的小型混合讯号微控制器产品线更为强大。新组件是业界体积最小的高整合度微控制器，内含16 kB闪存并采用4
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Silicon 存储器
三星电子集团执行官表示，内存芯片已经超过微处理器成为了推动消费电子业增长的关键技术。 三星电子集团技术市场部高级副总裁Jon Kang于当地时间本周四De nali MemCon大会上说：“我们已不再生活在以微处理器为核心的消费电子业的时代。内存芯片才是移动消费产品革命的关键一点。” Kang表示，存储密度(特别
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三星 存储器
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。 三星电子称，采用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，是当前80nm 和 90nm处理工艺的延续。但目前采用70nm处理工艺的每个晶圆上的芯片数量至少要比采用90nm工艺所包含的芯片数量多出一倍。新的生产工艺采用了三星的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)技术以及被称
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三星 存储器
海量存储等级（Mass Storage Class，MSC）是USB第一个标准化的规格，目前海量存储装置都能通过USB物理连接支持这项传输协议。另一方面，由于数字版权管理与内容保护需要考虑特殊的通讯协议，微软因此又推出了媒体传输协议（MTP）作为传统大容量存储装置的替代方案。 数字版权管理（DRM）与内容保护需要运用特别的通讯协议，在微软的DRM引擎Janus中，底层采用的技术为MTP。MTP可被视为取代传统MSC的方案，能传送受保护的内容。图1是传统海量存储装置应用以及相关的软件堆栈。
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消费电子 存储器 消费电子
华盛顿当地时间本周四，美国司法部宣布，三星将对操纵DRAM内存价格的指控供认不讳，并同意支付3亿美元的罚款。 作为美国政府对三星在美国DRAM内存市场上操纵价格的为期3年的反垄断调查的结果，三星同意接受罚款处理。预计三星及其在美国的子公司━━三星半导体公司将在位于美国旧金山的联邦地方法院承认自己有罪。 去年12月份，三星曾经预留1亿美元用于支付与价格操纵案相关的成本。今年早些时候，Hynix同意支付1.85亿美元了断美国政府的反垄断调查;去年，德国的
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三星 存储器
随着苹果iPod Nano的问世，闪存芯片开始发力，向硬盘发起挑战。而三星，无疑是最大的赢家。在这场闪存的变革中，赢家不至三星一个，其对手也将从中获得极大的利益。 今年9月7日，苹果电脑公司推出了新款的iPod Nano。对此，三星的CEO黄昌圭( Hwang Chang Gyu)比业内的任何人都要高兴。他与苹果的乔布斯坚信，iPod Nano对于原创的iPod来说，是"一次最大的变革"。 当然，在
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闪速(flash)存储器介绍
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