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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

日立与瑞萨推出相位转换存储器原型

  •     日立(Hitachi Ltd.)与瑞萨科技(Renesas Technology)日前发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程。与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。     据介绍,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,
  • 关键字: 日立  瑞萨  相位转换存储器  存储器  

迈威推出超小型手机存储卡microSD卡

  • 迈威国际自进入中国大陆市场以来不断推出新产品,而且推出的产品性价比非常高。随着照相手机、PDA手机的逐渐普及,数码存储卡也越来越轻、薄、短、小。 此次迈威在国内市场推出的128M microSD卡,就是一款主要应用于手机的数码闪存卡,随卡迈威还附赠了一块适配器,加上适配器,此款microSD卡就可变成一款标准型的SD卡,可以广泛应用于数码相机、数码摄像机、MP3播放机、PDA、手机,等等有SD卡插槽的数码设备中。 MAKWAY microSD卡非常小巧,尺寸大小仅为11
  • 关键字: microSD  迈威  手机  存储器  

日立瑞萨开发低功耗转换存储器单元

  • 新型单元是一种用于嵌入式系统的下一代微控制器片上非易失存储器的颇具前途的解决方案,它可以在1.5V电源电压条件下进行编程,且只需100μA的编程电流。 日立有限公司与瑞萨科技公司近日发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在
  • 关键字: MOS  日立  瑞萨  存储器  

Infineon推出新型512Mb图像DRAM

  •      支持时钟频率高达800MHz      Infineon公司推出高性能512Mb GDDR3 图像DRAM,和ATI公司的Mobility Radeon X1600图像处理器一起使用,目标在笔记本电脑. Mobility Radeon X1600是ATI创新的移动图像处理器,能为薄型笔记本电脑提供极好视像和快速的图像,满足高性能设计中的越来越多的移
  • 关键字: Infineon  存储器  

三星推出8GB FB-DIMM服务器存储器

  •       Samsung公司推出新的8GB产品用于服务器.在十月份推出的8GB注册双列直插存储器模块(R-DIMM),Samsung现在增加它的全缓冲双列直插存储器模块(FB-DIMM),包括采用80nm 2Gb DDR的8GB,用于高速服务器.这种器件代表了在高档服务器存储器架构中重大意义的飞跃.         采用Samsung的大容量存储器将会增加
  • 关键字: 三星  存储器  

英特尔与意法推出公用内存子系统

  • 协助手机制造商降低开发成本 意法半导体与英特尔公司近期宣布推出一款公用闪存子系统。该系统旨在帮助降低手机原始设备制造商 (OEM) 的开发成本,使他们能够更快向市场推出功能丰富的手机产品。为了简化手机内存设计,两家公司将基于公用规范提供硬件和软件兼容的内存产品。在此基础之上,手机制造商将可以显著缩短产品开发时间,降低产品成本,同时还将能够以较低成本,快速过渡到两家公司开发的下一代 NOR 闪存产品。 NOR 闪存是大众主流手机市场首选的内存技术。据业界调研
  • 关键字: 英特尔  存储器  

韩国开发变阻存储器元件原创技术

  •     韩国产业资源部近日宣布,韩国光州科学技术院教授黄贤尚领导的科研小组成功开发出了变阻存储器(ReRAM-Resistance Random Access Memory)元件的核心原创技术,这一技术足以克服新一代存储器闪存芯片的缺陷。   据介绍,迄今为止,闪存芯片存在的最大缺陷是信息存储和刷新的时间长,存储容量难以达到32千兆位(Gb)以上。    专家介绍说,黄贤尚科研小组开发出的“单结晶锶钛氧化物(SrTi03)”和使这种氧化物保持原有特性的表面
  • 关键字: 韩国  存储器  

英特尔意法公布存储器子系统规范

  • 意法半导体与英特尔公司近日公布了一个公用存储器子系统规范,以帮助手机OEM制造商降低产品开发成本,以最快的时间将功能丰富的产品投放市场。为了简化手机存储器的设计,两家公司将提供基于公用标准的软硬件兼容的存储器产品。因此,手机制造商的开发时间将会缩短,制造成本应将会降低,并能够以低廉的成本快速过渡到两家公司开发的下一代NOR闪存产品。 NOR闪存是大众主流手机市场首选的存储器技术。据市场调研公司iSuppli资料显示,NOR闪存出货占手机嵌入式闪存出货的92.8%。今天,英特尔和ST提供的NOR闪
  • 关键字: 英特尔  存储器  

英飞凌日立推出高性能硬盘驱动器

  • 英飞凌科技股份公司近日宣布推出一款先进的硬盘驱动器读取信道内核,这是第一种采用该公司90纳米工艺生产的集成电路。该产品由英飞凌和日立环球存储技术有限公司共同开发,是适用于下一代硬盘驱动器的高集成控制器芯片开发过程中的一个里程碑。 “第一种采用90纳米工艺技术的读取信道内核产品的开发,使英飞凌可以更好地推出下一代集成电路产品,以满足硬盘驱动器市场不断增长的需求,”英飞凌管理董事会成员兼汽车与工业电子事业部负责人Peter Bauer指出,“我们对市场的承诺和立足点基于广泛的专利组合(IP 
  • 关键字: 英飞凌  存储器  

英飞凌日立开发90纳米硬盘驱动器

  •     英飞凌科技股份公司宣布推出一款先进的硬盘驱动器读取信道内核,这是第一种采用该公司90纳米工艺生产的集成电路。该产品由英飞凌和日立环球存储技术有限公司共同开发,是适用于下一代硬盘驱动器的高集成控制器芯片开发过程中的一个里程碑。      英飞凌副总裁兼专用集成电路和设计解决方案事业部(ADS)总经理Sandro Cerato说:“采用90纳米工艺制造读取信道内核,使硬盘驱动器行业能够满足下一代产品要求
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英飞凌内存业务IPO非板上钉钉

  •     德国芯片厂商英飞凌总裁和首席执行官日前在接受德国媒体采访时表示,英飞凌内存业务分拆上市还不是板上钉钉的事情。由于还有一些问题,公司并未作出正式决定。此外,英飞凌也还有别的选择。    英飞凌首席执行官Wolfgang Ziebart日前在接受德国报纸《Suddeutschen Zeitung》时表示,到目前为止,虽然还没有决定,但将内存业务IPO似乎是最有吸引力的方案。    Ziebart说,在内存业务上和其他公司合作还是有可
  • 关键字: 英飞凌  存储器  

瑞萨开始接受DDR SDRAM产品订货

  • 高速存储器有助于实现小型、高速和高性能的产品开发解决方案  瑞萨科技公司近日开始接受封装在SiP(系统级封装)内、集成了DDR SDRAM(双数据速率同步DRAM)高速存储器芯片的产品订货。该产品是在一个单封装中整合了瑞萨科技的高性能微处理器和逻辑LSI芯片的多存储器器件。 <产品背景> 随着包括图形设备、车载信息系统和数字消费产品等各个领域的快速发展和功能日益强大,减小芯片尺寸成为了一个迫切的要求。对这种需求的一种反应就是迅速增加SiP产品的应用,因为它可以将若干微处理器
  • 关键字: 瑞萨  存储器  

英飞凌DRAM分拆上市专注逻辑业务

  •     英飞凌证实,它将在2006年7月以前把存储业务分拆出来(spin out),然后把这项业务上市(IPO)。该公司将把重点放在逻辑部门,继续面向汽车、工业电子和通讯领域。英飞凌把这些举措称为“战略调整(strategic realignment)”,称计划把这两个部门拆开,是因为它们“发展方向不同”。      “采取这项措施有两个主要原因。一是内存和逻辑产品的工艺与商业模式沿着不同的方向发展。二是我们可以改善这两个部门的增长情况
  • 关键字: 英飞凌  存储器  

三星签约高通供应非存储类芯片

  •     三星电子公司近日宣布,根据双方达成的一项合作协议,该公司将向美国无线技术开发兼手机制造商高通公司提供定制的非存储芯片。    三星公司是应用于个人电脑的DRAM(动态随机存取记忆体)芯片及应用于数码相机和音乐播放器的NAND闪存的领先生产厂商。该公司希望扩大在非存储芯片市场上所占的份额。    位于美国圣地亚哥的高通公司是CDMA(码分多址)技术的无线技术的先驱,它希望扩大它的芯片供应来源。    “我们和三星签署的代工协议将为
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英飞凌成立子公司独立内存部门

  •     德国Infineon Technologies AG当地时间17日,召开了公司的董事会,会后公司承认了事业的重组计划。    根据新的重组计划,公司决定将逻辑核心制造部门与内存芯片制造部门分开。按照要求记忆体制造部门将在2006年7月1日前作为一个独立的法人个体与公司分开,成立为单独的子公司。    公司表示,分离的理由是因为两部门在商业处理和收益构造方面有着不同的方向,分离后不论是增长力还是公司收益都会提高。目前有关
  • 关键字: 英飞凌  存储器  
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闪速(flash)存储器介绍

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