研究机构集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨约8%~10%，主要原因是多数供货商已接获部份电子系统厂客户10月到11月的旺季长单，同时近期记忆卡客户的旺季备货需求，因此NAND Flash市场供货吃紧，在卖方主导市场下，10月上旬NAND Flash合约价持续地上扬。
16Gb MLC NAND Flash合约价走势图
集邦科技指出，在10月到11月，多数NANDFlash供货商份仍将优先供货给电子系
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赛迪网讯 9月20日消息，据国外媒体报道，调研公司In-Stat预计，到2010年70%的存储设备将支持USB3.0标准。
早在2007年，USB 3.0标准就已经建立。USB 3.0的数据传输速度可达到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，为传输大容量文件带来了方便。
In-Stat称，USB 3.0设备将于明年开始进入市场，并将在未来几年内渐成主流。到2012年，预计70%的存储设备将支持USB3.0，其中包括硬盘、闪存和便携播放器等。
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美国从事半导体相关市场调查的IC Insights发布预测称，NAND闪存市场将迎来价格上升局面。IC Insights预测，由于在需求增加的情况下各大厂商减少设备投资，造成供需紧张，因此到2012年之前平均销售价格将继续保持上升趋势。
IC Insights自1993年开始就NAND闪存市场进行调查以来，NAND闪存的供货量低于上年业绩的只有2001年一次。该公司预测，今后到2013年供货量将稳步增加。全球经济低迷的2009年也不会例外。
供货容量也将大幅增长。即使是全球经济低迷的200
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根据IC Insights近期发布的McClean Report年中更新版显示，闪存市场将发生变化，在未来几年将从买方市场转向卖方市场。
闪存出货量和位需求量预计将增长，但闪存产能的投资这两年正在减小。IC Insights预计2009年闪存资本支出将下滑至前一年的25%，约30亿美元。这将为2012年前的平均销售价格带来上行压力。
2009年闪存销售量仍将增长，尽管经济形势极具挑战。受手持设备、无线消费电子、电脑和通讯设备需求的带动，闪存位出货量在2005年至2008年之间达到了三位数百
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“2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭，产业链进一步整合是必然趋势，而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存，就必需尽快寻找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR闪存厂商Spansion(飞索)公司企业营销总监John Nation抵京，他带来了Spansion最新的第二季度财务状况，以及公司为脱离破产保护而进行的战略调整。
Spansion是全球最大的NOR型闪存制造商，也是全球最大一家专门出品闪存的企业。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。
积极地来看，Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB，1 peta=100万Giga)，而现在为7000PB。当前和未来的NAND闪存需求让将爆炸性增长，其中包括最有潜力的市场驱动力——嵌入式移动应用市场。
Harari在闪存峰会的主题演讲中
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耶鲁大学的研究人员和Semiconductor Research Corp (SRC)称利用铁电材料制作存储器来代替DRAM和闪存非常合适。目前DRAM技术必须每几个毫秒就刷新一下，而铁电存储器可以持续几分钟而无需刷新。
耶鲁大学和SRC的研究人员制成了一种用于FeDRAM的铁电晶体管实验样品，该FeDRAM保存信息的时间比DRAM长1000倍，而功耗仅为DRAM的1/20，而且尺寸可以缩至ITRS上的最先进节点。
“我们的存储器的速度至少和DRAM一样快，但尺寸和闪存一样小，
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市场研究公司IC Insights指出，第二季度芯片市场销售额的反弹使IC厂商排名发生了较大变化。
以销售额来计，第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。
Intel仍然位居榜首，Samsung、Toshiba、TI紧随其后。由于第二季度表现突出，TSMC从第十跃至第五。
ST排名第六，后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix从第13名升至第10名。另一个排名上升的公司是Media
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周一消息 研究机构iSuppli指出，NAND闪存价格大幅波动的现象，大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。
iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示，近期NAND闪存价格上涨，对闪存供货商来说来说是好事，但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨，SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。
多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存，其平均价格大幅上涨12
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据国外媒体报道，正准备抢攻快速成长上网本市场的SanDisk，在周二台北电脑展上发布了新款闪存产品。
SanDisk此次推出SDHC闪存记忆卡，以及固态硬盘PSSD，共P2及S2两款产品。SanDisk的竞争对手包括美光、三星电子、海力士等。
SanDisk公司所推出的固态硬盘，特别适合用于以ARM微处理器为核心的上网本，不过SanDisk高管指出，该产品也可以用在以英特尔Atom为核心的系统。固态硬盘是使用闪存作为储存媒介，耗电量较传统硬盘低。
SanDisk认为，闪存芯片速度更快
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科学家们日前研制出一种新型存储设备,其最大特点是存储容量大,保存时间久.
这种新型存储设备其实就是铁颗粒被密封在中空的纳米管内,通过铁颗粒在纳米管内来回穿梭作为一种有效的存储方式.研究人员表示,这种存储设备每平方英寸可 存储1TB(1000G)数据,较当前存储技术更为有效.此外,新设备的数据保存时间更持久,可长达10亿年,甚至更久.
相比之下,当前的存储技术根本无法将数据保持如此之久.例如,普通的闪存技术只能保存数据3至5年.
写在羊皮纸上的《末日手记》(Doomsday Book)
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据国外媒体报道，三星电子周三宣布，以更低的许可价格，与美国芯片生产商SanDisk续签了7年的NAND闪存技术许可协议，不过协议规定三星必须向SanDisk供应芯片。
三星在提交给韩国证交所的文件中称，由于协议是2家公司内部签署的，无法透露所有信息，但可以透露的是，许可费将是当前协议的1半左右。SanDisk公司董事长和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，对于今天宣布的协议我们感到非常满意，此外，继续获得三星闪存芯片可使我们在控制资本支出上拥有更大的灵活性。
新协
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消息称,闪存产品厂商SanDisk首席执行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未来5年后摩尔定律将会失效.
摩尔定律是英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)1965年提出的,内容是:芯片上集成的晶体管数量每两年将翻一番.哈拉里说,闪存容量在过去19年中翻了14番,远高于摩尔定律,但闪存芯片容量可能还只能再翻两番.
哈拉里表示,闪存芯片容量将受限于每个存储单元的电子数量.最初,每个存储单元的电子数量数以百万计,现在已经减少到了数百个.哈拉里
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美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。
这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍，存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。
NAND型闪存因为存储容量大等特点，目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为，NAND型闪存未来可能遭遇物理极限，容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示，其制造的新型存储器旨在
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闪存 介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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