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门控管(igbt)驱动 文章 进入门控管(igbt)驱动技术社区

车规级IGBT,爆火

  • 11月25日,时代电气发布公告称,公司拟对控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(以下简称“中车时代半导体”)增资人民币24.6亿元,增资的资金用于中车时代半导体向公司购买汽车组件配套建设项目(包含IGBT项目)部分资产。天眼查显示,近日,宜兴中车时代半导体有限公司成立,注册资本36亿元。该公司由时代电气、株洲芯连接零号企业管理合伙企业(有限合伙)共同持股,经营范围包含:半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;工程和技术研究和试验发展;货物进出口等。就在今年9月,时代电气就已投资111亿元加速扩产IGBT项
  • 关键字: IGBT  车规级芯片  

纯电动汽车用PMSM系统堵转设计与应用

  • 摘 要:介绍了一种纯电动汽车用永磁同步电机系统的堵转控制包含对原理、法规要求过程分析、测试方法及 策略控制应用,通过对永磁同步电机的基本工作原理变换到堵转的工作原理及带来的问题的原因,通过建立堵 转策略及仿真计算开展实施驱动电机和IGBT的温度保护策略,并确立目标开展对驱动电机和IGBT选型设计, 通过仿真设计校核并通过台架和整车实车测试验证设计目标,验证了系统性能,安全性高,在通过设计对整车 目标进行校核的同时,防止过度开发,降低了系统开发成本。关键词:PMSM;PWM;堵转;IGBT;载频0
  • 关键字: 202211  PMSM  PWM  堵转  IGBT  载频  

新一代1700V IGBT7技术及其在电力电子系统中的应用优势

  • EconoDUAL™3是一款经典的IGBT模块封装,其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器(SVG)和风电变流器,覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加,英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块,并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型应用,然后介绍了1700V IG
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

IGBT单管数据手册参数解析(上)

  • IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容:1. 封面,包括器件编号,IGBT技术的简短描述,如果是带共封装续流二极管的器件,数据手册也会包括二极管的功能,关键参数,应用以及基本的封装信息。2. 最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻3. 室温下的电气特性,包括静态和动态参数4. 25°C和150°C或175°C时的开关特性5. 电气特性
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

消息称英伟达在最新的驱动中取消了 RTX 30 显卡挖矿限制

  • IT之家 10 月 14 日消息,据 VideoCardz 消息,英伟达已经在最新的 522.25 驱动中取消了 RTX 30 系列显卡的挖矿限制。据报道,网友Timbers007 已经确认 GeForce RTX 3080 Ti 已经不再受限制的影响,可实现112 MH / s 的挖矿速度。此外,RTX 3060 v2(带 LHR 的型号)使用最新驱动程序也能达到47 MH / s 的速度。IT之家了解到,英伟达于 2021 年 5 月推出了 LHR 版本的 RTX 30 显卡,限制显卡挖矿算力。目前,
  • 关键字: 英伟达  RTX 30  显卡  驱动  

IGBT栅极驱动设计,关键元件该怎么选?

  • 栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过,上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI,而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过,上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI,而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。图1:DGD0216 的栅极驱动组件上图展示的是来自Diodes的DGD0216栅极驱
  • 关键字: DigiKey  IGBT  

IGBT适用于ZVS 还是 ZCS?

  • 提到软开关技术,大家耳熟能详的有零电压开通ZVS(Zero voltage switching) 和零电流关断ZCS(Zero current switching),同时,尤其是在现在的电源产品中,绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS,而不是ZCS,所以,Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档,而不是IGBT。今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用,IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。长期以来,IGBT给人的印象就如农
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

如何抑制IGBT集电极过压尖峰

  • 在过去的文章中,我们曾经讨论过IGBT在关断的时候,集电极会产生电压过冲的问题(回顾:IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么?)。IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短,也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关,也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时,集电极电压过冲会格外大,有可能超过额定值,从而损坏IGBT。所以如何抑制
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

功率半导体冷知识之二:IGBT短路时的损耗

  • IGBT主要用于电机驱动和各类变流器,IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一,短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的,完全有这样的底气,EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的,在驱动电压不超过15V时,短路电流典型值是2400A,只要在10us内成功关断短路电流,器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间,驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  功率半导体  

具有故障存储功能的数字化IGBT驱动器的设计

  • 摘要:针对轨道交通领域IGBT的使用要求,设计了一款基于可编程逻辑器件并具有故障存储功能的数字化 驱动器。文章介绍了驱动器总体方案,设计了多电压轨电源系统;分析了异常驱动信号对IGBT正常工作的危 害,并通过软件算法实现了短脉冲抑制与超频保护;电源欠压会导致IGBT开关异常,使用欠压检测芯片进行 检测并在发生欠压故障时进行脉冲封锁;针对短路故障,使用退饱和电路检测并结合软件时序进行保护;详细 分析了IGBT开关过程各阶段的不同特性,设计了可优化开关性能的多等级开关电路;通过存储芯片与可编程 逻辑
  • 关键字: 202206  存储  数字化  IGBT  驱动器  

驱动电机控制器IGBT驱动电源设计与验证

  • 摘要:本文介绍了一种新能源电动汽车上用驱动电机控制器IGBT驱动电源方案的设计分析及其验证,通过 对基本Buck-boost拓扑研究变换到Flyback电路,通过对LTC1871电流驱动芯片的应用设计、分析,设计反激变 压器参数目标需求匹配驱动电路,通过PWM供电、NMOS驱动、电流检测、反馈输出电压跟踪闭环调节,实 现满足一款Infineon的驱动芯片1ED020I12芯片的驱动电路系统,本方案通过原理设计、电路仿真及电路台架测 试,验证了系统性能、安全性高,同时可以通过较少的外围电路实现可靠的
  • 关键字: 202206  升降压变换器  反激  反激变压器  IGBT  脉宽调制  

英搏尔率先采用英飞凌750 V车规级分立式IGBT EDT2组件

  • 海英搏尔电气股份有限公司,率先引入英飞凌科技股份有限公司最新推出750 V车规级IGBT ,包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两款型号。 这款分立式IGBT EDT2组件采用TO-247PLUS封装,可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能,并节约系统成本。除此之外,它们还能够为设计师提供更大的自由度,有助于实现系统整合。英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示:「英搏尔坚定不移地遵循使用分立式组件设计电机控制单元(MCU)的技术路线,不断开发出高性价比的产品,从而始终保持
  • 关键字: 英搏尔  英飞凌  IGBT  EDT2组件  

英搏尔率先采用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件

  • 中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)最新推出的750 V车规级IGBT ,包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装,可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能,并节约系统成本。除此之外,它们还能够为设计师提供更大的自由度,有助于实现系统集成。         &
  • 关键字: 英博尔  英飞凌  IGBT  

英飞凌推出超可靠的压接式IGBT,进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容

  • Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管(FWD)、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT(PPI),进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计,是大电流模块化多电平转换器(MMC)、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。Prime Switch IGBT的阻断电压为4.5 kV,不带有FWD的型号电流为3000 A,带有FWD的型号为 2000 A。英飞凌为3000
  • 关键字: IGBT  FWD  

英飞凌推出基于1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3模块,大幅提升逆变器的功率密度

  • 英飞凌科技股份公司近日发布了采用EconoDUAL™ 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术,EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流,进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器(SVG)等应用。与过去采用IGBT4芯片组的模块相比,基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模块在相同的封装尺寸下,可将逆变器的输出电流值提高40%。全新的1700 V I
  • 关键字: 逆变器  IGBT  
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门控管(igbt)驱动介绍

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