- IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微电子近期宣布，其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。晶能自主研发 IGBT 流片晶圆该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和 FS 结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗，功率密度增大约 35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。晶能表示，一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗。功率半导体占比接近 1/
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吉利 IGBT
- _____碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且在汽车
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MOSFET IGBT
- 随着全球对环保问题的重视，在汽车领域，新能源汽车肩负着构建良好生态环境的目的和使命走在了前沿，汽车产业从不同技术路线探索环保之道。电动汽车是新能源汽车的主要技术路线之一，其核心部件车载充电机（OBC）经过几年的发展技术日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性价比一直是各家方案商以及零部件供应商持续追求的目标。本方案是品佳集团联合国内高校共同设计，基于Infineon AURIX系列MCU开发的一套OBC方案。首次采用单片MCU完成原本DSP+MCU的运算任务，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
- 尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。在IGBT模块中，芯片面积减小导致了热阻抗的增加，进而影响性能。但是，由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间，因此有可能利用这些新的可用空间来优化模块的布局。在这篇文章中，我们将探讨如何调整模块设计来改善热性能。下篇将探讨如何改善电气性能。作为参考，我们将使用采用TRENCHSTOP™ IGBT 7技术的新型1200
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英飞凌 IGBT
- 与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。损耗组成部分根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗
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安森美 IGBT
- 对于功率因数校正（PFC），通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择，如空调、加热、通风和空调（HVAC）以及热泵。理论上，在连续导通模式（CCM）下，通过IGBT反向续流永远不会发生。然而，在轻负载或瞬态条件下，由于升压电感Lboost和IGBT的输出电容Coss之间的共振，会有反向电流流过。这个谐振电流，iQN(t)是由以下公式给出的。谐振期间IGBT两端的电压（VCE）可以得出：当输入电压Vin低于输出电压的一半时（Vin&l
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英飞凌 IGBT CCM模式
- 现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。我们先来看一个IGBT的完整工作波形：IGBT的损耗可以分为开关损耗和导通损耗，其中开关损耗又分为开通和关断两部分，下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。开关损耗-开通部分我们先来看一下理想的
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英飞凌 IGBT
- 功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变（直流转换成交流）、整流（交流转换成直流）、斩波（直流升降压）、变频（交流之间转换）是基本的电能转换方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽车是功率器件增量需求主要来源01 下游应用领域广泛，新能源汽车为主作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，根据每个细分领域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 国产替代
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
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瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
- 针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。
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IGBT AlN陶瓷基板 金属化 可靠性应用 202212
- 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端，为电子电力变化装置的核心器件之一。在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代
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功率半导体 MOSFET IGBT
- 近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。IGBT行业的门槛非常高，除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。同时，总投资2.8亿元的功率模块二期项
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东风 碳化硅 功率模块 IGBT
- 吉利招标平台发布了一则《晶能微电子一期工厂改造项目监理工程招标公告》。该公告指向，吉利加入IGBT封装的自制队伍。从开发走向制造晶能微电子一期工厂改造项目租赁乐坤产业园 A-3 的314单元约 5000 平万米，建设年产60万套IGBT 功率模块的一期工厂，主要包括 3000 平方米的万级洁净室及实验室，1000平方米的动力站，1000 平方米的仓库及办公区。本项目位于杭州市余杭区钱江经济开发区，杭州钱江经济开发区于2006年3月6日经浙江省人民政府批准设立，是余杭区五大“产业平台”之一，是连接杭州城东智
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IGBT 功率模块 吉利
- 半导体周期虽然出现阶段性调整，但受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动，以IGBT（绝缘栅双极型晶体管）为代表的功率器件强势增长，相关IGBT公司订单量饱满，产能供不应求。车规级IGBT持续放量作为IGBT龙头，斯达半导今年前三季度实现净利润达到5.9亿元，同比增长1.21倍，增速超过营业收入，销售毛利率达到41.07%，环比提升。在12月5日斯达半导三季度业绩说明会上，公司高管介绍，近几个季度营收增长主要驱动力来自公司产品在新能源汽车、光伏、储能、风电等行业持续快速放量，市场份额不断提高；随着规模化效应
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半导体 IGBT
- IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块，诞生于20世纪80年代，并在90年代进行新一轮的改革升级，通过新技术的发展，现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身，而这些技术特点正式IGBT模块取代旧式双极管成为电路制造中的重要电子器件的主要原因。近些年，电动汽车的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。目前电动汽车主逆变器功率半导体技术，代表着中等功率模块技术的先进水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本竞争力是其首先需要满足的要求。功率器件模
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IGBT 功率模块 封装
门控管(igbt)驱动介绍
您好，目前还没有人创建词条门控管(igbt)驱动!
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