- 关键词：运算放大器、温度传感器、SPICE、PID、TEC、EDFA、TMP20、OPA569、OPA2314、德州仪器、TI 使用模拟比例积分微分 (PID) 控制器的温度控制是一种非常简单的电路，是确保热电冷却器 (TEC) 的设置点能够对温度或
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环路 PID 控制 温度 TEC SPICE 设计 利用
- 摘要：利用反射式近红外传感器及语音录放组件，研究了汽车倒车防撞语音提示器 当汽车倒车时，只要距车身后尾一定的距离内有人或物体存在，就会有一部分红外光信号经人或物体反射回来，被与发射管同排安装的光敏接收管
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语音 提示 设计 防撞 倒车 红外 传感器 汽车 基于
- 1引言有机电致发光显示，又称有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，OLED）或有机发光显示器OrganicLightEmittingDisplay（OLED），相较于目前市场上流行的液晶显示器（LCD）有明显的优势，主要表现为：自主发
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电路 设计 控制 OLED C8051F 基于
- 凡是传感器接口电路都存在小信号处理问题，因为传感器的输出一般都是小信号，将其精确的放大到所需要的信号(如0～5V)，并能达到所需要的技术指标，就必须注意到电路图上未表示出来的某些问题，即抗干扰问题，在进一步
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设计 方案 抗干扰 做好 接口 电路 传感器
- 1。仪器精度指标的确定确定仪器精度指标的根据，有的来源于国家标准，部颁标准，有的来源于上级下达的任务，有的则来源于使用单位提出的要求，但归根到底还是由使用要求决定的。计量仪器的精度指标一般取｀总使用要求
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设计 精度 仪器
- 摘要：针对LED显示屏工程应用中对二次开发接口的需求，提出了一种二次开发接口的方法，归纳为通信通道、节目和命令三类接口，并介绍其基本的功能。据此方案，可在工程应用中简单、快速地实现二次开发，完成系统集成。
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设计 方案 接口 开发 显示屏 LED
- 随着单片机和微机技术的不断发展，特别是网络技术在测控领域的广泛应用，由PC机和多台单片机构成的多机网络测控系统已成为单片机技术发展的一个方向。它结合了单片机在实时数据采集和微机对图形处理、显示的优点。同
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设计 原理 实现 通信 PC 串行 单片机
- 摘要：介绍了一种新型的汽车防盗报警系统，以单片机为主控制模块，采用防震传感器以采集外部震动信号，利用声光报警模块发出声光报警，采用移动电话GSM拨打车主电话或给车主发短信，使用无线遥控模块可实现远程遥控开
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设计 实现 报警系统 防盗 单片机 汽车 基于
- 带宽被称为示波器的第一指标，也是示波器最值钱的指标。示波器市场的划分常以带宽作为首要依据，工程师在选择示波器的时候，首先要确定的也是带宽。在销售过程中，关于带宽的故事也特别多。通常谈到的带宽没有特别说
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设计 技巧 原理 内部 带宽 示波器
- 摘要：介绍了SoPC(System on a Programmable Chip)系统的概念和特点，给出了基于PLB总线的异步串行通信(UART)IP核的硬件设计和实现。通过将设计好的UART IP核集成到SoPC系统中加以验证，证明了所设计的UARTIP核可以正
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IP 设计 实现 通信 串行 SOPC 技术 异步 基于
- 摘要：针对MPEG4格式压缩的视频数据，给出了采用NAND FLASH为存储介质，以FPGA为存储阵列的控制器，并用DSF作为数据处理的核心单元，来完成大容量视频数据存储的系统设计方法，同时对坏块的检测处理等关键问题提出了
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存储 系统 设计 视频 大容量 NAND FLASH 基于
- 摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配
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设计 应用 电路 保护 驱动 MOSFET
- 锂电池万能充电器设计具有电池极性自动识别电路，免去了以往需要人工转换极性的操作，使用起来更加方便。一、电路原理电路如附图所示：Q1及外围元件构成自激振荡器．经变压器B降压、D5整流后在C4上得到9.4v的直流电压
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解析 设计 充电器 万能 锂电池
- 采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计,本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样的更
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接口 控制器 设计 存储器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 采用
- 采用MachXO的PLD控制开发技术设计,MachXO PLD是非易失的可以无限次重新配置的可编逻辑器件PLD），具有256-2280个查找表（LUT），73-271个I/O，多达27.6Kb sysMEM嵌入区块RAM，多达7.7Kb分布式RAM，可编程的sysIOtrade;缓冲器支持LVCMOS 3.3/2.5/1.8/
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开发技术 设计 控制 PLD MachXO 采用
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