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英飞凌.麦克风 文章 进入英飞凌.麦克风技术社区

英飞凌亮相APEC 2023,以高能效电源解决方案助力低碳化和数字化

  • 在美国奥兰多举办的2023美国国际电力电子应用展览会(APEC 2023)上,英飞凌科技股份公司展示了业界非常全面的功率电子半导体器件以及高性能、高能效的电源解决方案。以推动低碳化和数字化为己任,英飞凌重点展示了其以先进的硅材料和宽禁带材料为基础制造的广泛的产品组合。这些产品具有更高的功率密度、更小的占板面积和更加出色的性能,有助于创造一个更加绿色环保的世界。作为功率技术的领军企业,英飞凌在此次展会上集中展示了一系列解决方案,并重点介绍了其在电源管理领域“从产品思维到系统理解”的模式和理念,强调需要通过平
  • 关键字: 英飞凌  APEC 2023  电源解决方案  

台达电×英飞凌 签长期MOU

  • 为了在快速成长的电动车市场保持领先,台达电与车用芯片大厂英飞凌共同宣布签订长期合作备忘录,将包含应用在牵引逆变器、直流转换器、车载充电器的高低压分立式功率组件、模块以及微控制器等,双方并将在台达电位于桃园平镇的电动车研发中心成立联合实验室,预计下半年开始运作。电动车是台达电三大策略目标市场之一,继2021年电动车部门营收市占率来到7~8亿美元、抢下电动车市场约7%市占率后,2023年电动车部门营收有机会超过10亿美元,并且首度出现获利,符合原先规划时程,台达电并订下2030年在电动车市场占有率10%的目标
  • 关键字: 台达电  英飞凌  MOU  

英飞凌携手台达电子在电动汽车领域展开合作

  • 【2023 年 03 月 21日,德国慕尼黑讯】全球车用半导体领导厂商英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)与全球电源和能源管理领导厂商台达电子宣布将其长期合作范围由工业拓展至汽车应用。双方于今日签署一份长期合作备忘录,旨在持续深化双方的合作与创新,为飞速增长的电动汽车市场提供更高功率密度与能源效率的解决方案。这项协议涵盖高低压分立式功率元器件、模组以及微控制器等广泛的产品,主要聚焦于电动汽车动力系统包括:牵引逆变器、直流转换器以及车载充电器等应用。 &nb
  • 关键字: 英飞凌  台达  电动汽车  

赋能数字化和低碳化 英飞凌发力三大领域引领高速增长

  • 日前,英飞凌科技举办了2023年度中国媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部负责人潘大伟率大中华区各个业务部门高管共同分享了公司过去一个财年所取得的骄人业绩,并介绍了英飞凌未来的广泛业务布局和战略发展方向。 在主题为“数字低碳、永续发展”的媒体交流会上,潘大伟指出,得益于全球低碳化和数字化的长期发展趋势,市场对半导体产品的需求呈现出结构性增长的态势,推动着英飞凌的业务可持续增长。基于这样的战略专注,2022财年英飞凌全球营收达到142.18亿欧元,利润达
  • 关键字: 数字化  低碳化  英飞凌  

英飞凌持续赋能数字化和低碳化,多维度推动社会永续发展

  • 日前,英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部负责人潘大伟率大中华区诸多高管出席,分享公司在过去一个财年所取得的骄人业绩,同时探讨数字化、低碳化行业发展趋势,并全面介绍英飞凌前瞻性的业务布局。 2022财年英飞凌全球营收达到142.18亿欧元,利润达到33.78亿欧元,利润率为23.8%,均创下历史新高。其中,大中华区在英飞凌全球总营收中的占比高达37%,继续保持英飞凌全球最大区域市场的地位,为公司全球业务的发展提供
  • 关键字: 英飞凌  数字化  低碳化  SiC  

「热锅上」的德国半导体

  • 最近一个礼拜,德国半导体产业传来几条不好的消息,先是英特尔称位于德国马格德堡的芯片厂因为成本问题不得不推迟,需要德国政府更多的补贴;随后又传来台积电的德国工厂可能会被新加坡的政策「截胡」。德国半导体产业从原来引入两家大厂的风光无限,陷入了迷茫。德国是欧洲半导体产业的心脏,位居世界顶级半导体生产地之列。德国在整个价值链中拥有世界领先的材料、组件和设备的设备制造商和供应商。德国原计划花费高达 500 亿欧元来确保德国作为主要半导体生产地的地位,然而现在德国的雄「芯」壮志,还能否实现?德国为何下血本发展半导体?
  • 关键字: ASML  蔡司  英飞凌  

是时候从Si切换到SiC了吗?

  • 在过去的几年里,碳化硅(SiC)开关器件,特别是SiC MOSFET,已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏(PV)逆变器和电池电动车(BEV)驱动系统中采用,但现在,越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力,以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么,你从哪里开始呢?工程师老前辈可能还记得双极晶体管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模块将双极达林顿晶体管模块踢出逆变器的速度有多快。电力电子的驱动力一直是降低损耗
  • 关键字: 英飞凌  SiC  

英飞凌推出AIROC™ CYW43022 Wi-Fi 5和蓝牙二合一产品

  • 【2023 年 03 月 17日,德国慕尼黑讯】作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)近日推出新款 AIROC™ CYW43022 超低功耗双频段 Wi-Fi 5 和蓝牙® 二合一产品,进一步扩展其现有的 AIROC Wi-Fi 和 蓝牙产品组合。CYW43022 超低功耗架构具有行业领先的性能,可将“深度休眠”期间的功耗降低高达 65%,从而显著延长智能门锁、智能可穿戴设备、IP 摄像头和恒温器等应用的电池使用寿命。&nb
  • 关键字: 英飞凌  AIROC  Wi-Fi 5  蓝牙  

新生态系统合作伙伴为英飞凌AIROC™ CYW5459X系列产品提供支持,加速连接设计周期,为视频与AI边缘设备以及物联网提供稳定且无缝的连接

  • 作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技股份公司近日宣布,新增五家平台和模块合作伙伴为英飞凌成熟的高性能AIROC™ CYW5459x Wi-Fi与蓝牙二合一解决方案提供支持。新加入的合作伙伴包括模块合作伙伴海华科技、村田制作所、移远通信以及平台合作伙伴英伟达和瑞芯微。他们将帮助终端客户加快开发周期并缩短终端产品的上市时间。英飞凌的CYW5459x与合作伙伴解决方案共同实现的高性能物联网应用即便在拥挤的环境中也具有稳定的连接能力,而且能够在更大的范围内保持视频、音频和数据
  • 关键字: 英飞凌  AIROC  AI边缘设备  

如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战

  • 在本文的第一部分——《如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战》,我们提到尺寸和功率往往看起来像硬币的两面。当你缩小尺寸时,你不可避免地会降低功率。在那篇文章中,我们介绍了芯片缩小对热性能的影响,以及如何通过优化芯片位置和模块布局来减轻这种影响。现在,让我们来看看我们如何能够改善电气性能。同样,我们将以采用TRENCHSTOP™ IGBT 7技术的新型1200V、600A EconoDUAL™ 3模块为例,该模块针对通用驱动(GPD)、商业、建筑和农业车辆(CAV)、不间断电源(UPS)
  • 关键字: 英飞凌  电气性能  

如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战

  • 尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗?如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上,就不需要抛硬币了。在IGBT模块中,芯片面积减小导致了热阻抗的增加,进而影响性能。但是,由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间,因此有可能利用这些新的可用空间来优化模块的布局。在这篇文章中,我们将探讨如何调整模块设计来改善热性能。下篇将探讨如何改善电气性能。作为参考,我们将使用采用TRENCHSTOP™ IGBT 7技术的新型1200
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

英飞凌与联华电子签署40纳米eNVM微控制器制造长期协议,扩大汽车合作伙伴关系

  • 英飞凌科技股份有限公司与联华电子近日宣布,双方就汽车微控制器(MCU) 签署长期合作协议,扩大英飞凌在MCU的产能,以服务正迅速扩展的汽车市场。该高性能微控制器产品采用英飞凌专有的嵌入式非易失性存储器(eNVM) 技术,于联电新加坡Fab 12i厂以40纳米制程技术制造。MCU是控制汽车各项功能的关键零部件,随着汽车向更环保、更安全和更智能的方向发展,市场对MCU的需求也日益增加。今年,英飞凌汽车微控制器的销售量已攀升至每日近百万颗。英飞凌科技首席运营官Rutger Wijburg表示:“面对快速增长的汽
  • 关键字: 英飞凌  联华电子  40纳米  eNVM微控制器制造  

联电将为英飞凌生产高性能汽车微控制器:采用 40nm 工艺

  • 据外媒报道,英飞凌周二在官网公布的消息显示,他们和联华电子已达成了长期战略合作协议,扩大了在汽车微控制器业务方面的合作。从英飞凌在官网公布的消息来看,两家公司的合作,还是在英飞凌微控制器的生产上。在同联华电子达成长期战略合作协议之后,他们的产能就将成倍增加,更好地满足日益增长的市场需求。根据新的长期战略合作协议,联华电子将在他们位于新加坡的晶圆厂,采用 40nm 制程工艺,为英飞凌代工高性能的微控制器产品。英飞凌的高性能微控制器,利用了他们专有的 eNVM (嵌入式非易失性存储器) 技术。微控制器是控制汽
  • 关键字: 英飞凌  汽车电子  联华电子  

HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究

  • 相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流,当完成了对结电容的充放电之后,再打开MOSFET以降低器件的损耗。细心的工程师可能就会发现一个有趣的问题,我们这里拿IPW60R024CFD7举例说明,假设死区时刻,流过二极管的电流为50A (125℃结温),那么此刻MOSFET源漏极压降Vsd=0.96V;(如下图所示)当死区结束,给到驱动信号,打开MOSFET,假设电流完全流过沟道,那么此刻Vsd=50*0.0
  • 关键字: 英飞凌  

米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策

  • 搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说,还可能引起寄生导通,增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的,我们又该如何应对呢?我们先来看IGBT开通时的典型波形:上图中,绿色的波形是GE电压,蓝色的波形是CE电压,红色的波形是集电极电流IC。在开通过程中,GE的电压从-10V开始上升,上升至阈值电压后,IGBT导通,开始流过电流,同时CE电压下降。CE电压下降过程中,门极电压不再上升,而是维持在一定的电压平台上,称为米勒平台。在这期间,CE电压完全降至0V。随后GE电压继续上
  • 关键字: 英飞凌   米勒电容  米勒效应  
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