英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。
关键字：
AI服务器 英飞凌
48V电源系统介绍目前国内汽车行业对于整车低压48V电源系统有很大的热情， 48V并不是一个全新的技术，在过去几年无论是燃油车还是新能源车都有使用48V作为辅助电源，以下我们对整车12V及48V电源系统做一个简单的介绍。传统燃油车以12V作为主要的低压电源系统，为了降低碳排放，在原来12V系统上增加了一套48V电源系统驱动电机，提供辅助的动力输出，就是我们的轻混车系统，但是这套系统增加了一定的成本。纯电车也以12V作为主要的电源系统，但是随着整车功能越来越丰富，有些纯电车增加了一套单独的48V电源系统，给
关键字：
英飞凌
据新华社报道，欧盟委员会2月20日批准一项总额9.2亿欧元（约合人民币69.76亿元）的国家援助计划，支持德国英飞凌科技公司在德国德累斯顿建设一家芯片制造工厂，并称这项援助计划将加强欧洲在半导体技术领域的供应安全、韧性和技术自主性。据悉，德累斯顿建设芯片工厂项目计划生产的产品将具有两大类关键技术：一是用于电子系统中电源切换、管理和控制的分立电源技术，二是模拟/混合信号集成电路技术。根据该计划，援助资金将以直接向英飞凌提供9.2亿欧元的补助金的形式，支持其总额为35亿欧元的投资。新工厂将成为欧洲第一家能够在
关键字：
英飞凌 德国 芯片工厂
近日，半导体产业迎来两大重磅消息，欧盟与日本分别对半导体相关企业提供大额补贴，旨在推动本土半导体产业发展。英飞凌获欧盟9.2亿欧元补贴，德累斯顿新厂加速落地2月20日，欧盟委员会宣布批准德国政府对英飞凌位于德累斯顿的新晶圆厂授予9.2亿欧元（约69.85亿元人民币）的《欧洲芯片法案》补贴，用于其在德国德累斯顿建设新的半导体制造工厂。公开资料显示，英飞凌的德累斯顿新晶圆厂项目整体投资规模达50亿欧元，于2023年3月启动建设，目标是在2026年投入使用，2031年达到满负荷生产。建成后，该工厂将制造分立功率
关键字：
补贴 半导体 英飞凌 台积电
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。这两个产品系列采用顶部和底部冷却并基于CoolSiC™ Generation 2（G2） 技术，其性能、可靠性和易用性均有显著提高。它们专门用于中高功率开关模式电源（SMPS）开发，包括AI服务器、可再生能源、充电桩、电动交通工
关键字：
英飞凌 CoolSiC MOSFET
欧盟委员会周四表示，已批准向英飞凌提供9.2亿欧元的德国国家援助，用于在德累斯顿建设一座新的半导体制造厂。欧委会补充说，这项措施将使英飞凌能够完成MEGAFAB-DD项目，该项目将能够生产多种不同类型的芯片。全球的芯片制造商正在向新工厂投入数十亿美元，因为他们利用美国和欧盟慷慨的补贴，使西方国家在发展尖端半导体技术方面领先于中国。到 2030 年，欧盟委员会已为公共和私营半导体项目拨款 150 亿欧元。欧盟委员会在一份声明中说："这座新的制造工厂将为欧盟带来灵活的生产能力，从而加强欧洲在半导体技
关键字：
欧盟 德国 英飞凌 芯片工厂 援助 半导体 MEGAFAB-DD 芯片
● 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品● 这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术● 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
关键字：
英飞凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
英飞凌在200mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150mm晶圆向直径更大、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。英飞凌200mm SiC晶圆Rutger Wijburg博士—英飞凌科技首席运营官我们正在按计划实施SiC产品
关键字：
英飞凌 200mm SiC
驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将详细讲解如何正确理解和应用这些驱动器的功能。每一个功率开关都需要一个驱动器，功率开关在系统中会承受高压大电流，如何使得功率半导体优雅地开通和关断，驱动电路功不可没。另外，驱动电路还需要承担功率开关保护的重任，检测短路工况，快速柔和地关断。驱动器的大类功率半导体驱动是一种值得研究的技术，驱动对象不同、应用系统要求不同，对驱动电路的要求也
关键字：
英飞凌 驱动电路设计
2月13日消息，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门，将当前的传感器和射频（RF）业务合并成一个专门的部门，从而推动公司在传感器领域的发展。新成立的传感器单元和射频（SURF）业务部门隶属于电源与传感系统（PSS）事业部，并涵盖之前的汽车和多市场传感与控制相关业务。通过整合在传感器和射频技术领域的优势，英飞凌充分利用成本与研发的协同效应，加速创新并为客户创造更大的价值，从而增强自身的竞争力和产品上市策略。预计到 2027 年，传感器和射
关键字：
英飞凌 电源 传感
全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布成立一个新的业务部门，将当前的传感器和射频（RF）业务合并成一个专门的部门，从而推动公司在传感器领域的发展。新成立的传感器单元和射频（SURF）业务部门隶属于电源与传感系统（PSS）事业部，并涵盖之前的汽车和多市场传感与控制相关业务。英飞凌科技传感器单元与射频业务部门负责人Thomas Schafbauer博士通过整合在传感器和射频技术领域的优势，英飞凌充分利用成本与研发的协同效应，加速创新并为客户创造更大的价值，从而增强自身的竞争力和
关键字：
英飞凌 传感器 射频
作者Nihit Bajaj 英飞凌科技 GaN产品高级总监校对宋清亮 英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40%的速度持续增长 [1] 。图1：1910年以来
关键字：
英飞凌 GaN
● 2025财年第一季度：营收为34.24亿欧元，利润为5.73亿欧元，利润率 16.7%。● 2025财年第二季度展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.05，预计营收约为36亿欧元。在此基础上，利润率预计为14%~16%左右。● 2025财年展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.05（之前为1:1.10），预计营收将与上一财年持平或略有增长（之前预测为较前一年度略有下降）。调整后的毛利率预计在40%左右，利润率为14%~19%。预计投资额约
关键字：
英飞凌 2025财年
英飞凌科技股份公司在开发电容式微机械超声波传感器（CMUT）技术方面取得重大进展。凭借这项技术，公司推出首款高度集成的单芯片解决方案，该方案基于微机电系统（MEMS）的超声波传感器，拥有更小的占板面积以及更强大的性能和功能，可广泛用于开发新型超声波应用和改进消费电子、汽车工业与医疗技术领域的现有应用。英飞凌科技高级总监Emanuele Bodini表示：“英飞凌的超声波技术可以实现很高的信噪比和集成度，因此我们认为该器件代表着行业的一大突破。我们希望利用这项技术开发出一个服务于不同行业多种应用场景的产品平
关键字：
英飞凌 MEMS 超声波传感器
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
关键字：
英飞凌 功率器件 热设计 热阻
英飞凌 xmc7000介绍
您好，目前还没有人创建词条英飞凌 xmc7000!
欢迎您创建该词条，阐述对英飞凌 xmc7000的理解，并与今后在此搜索英飞凌 xmc7000的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473