5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率应用对SiC晶圆的竞争以及其非主流半导体加工，RF GaN-on-SiC可能会更昂贵。目前，意法半导体和
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意法半导体 硅基氮化镓
合作研制先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构,并将其量产利用IRT纳电子技术研究所的研究结果，工艺技术将会从Leti的200mm研发线转到意法半导体的200mm晶圆试产线，2020年前投入运营中国 / 24 Sep 2018横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能
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意法半导体 硅基氮化镓
日前，意法半导体和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓(GaN)功率切换元件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和伺服器。 本合作计划之重点是在200mm晶圆上开发和验证制造先进硅基氮化镓架构的功率二极体和电晶体。研究公司HIS预测，该市场将在2024年前将保持超过20%的年复合成长率。意法半导体和Leti利用IRT奈米电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发线上开发制程技术，预计在2019年完成可供
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意法半导体 硅基氮化镓技术
产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(纳斯达克股票代码:MTSI，以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。射频硅基氮化镓可为5G和
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ST-ONE 简介ST-ONE 是一款具有二次侧数位控制的离线数位控制器，专门用于采用包括 USB-PD 在内的智慧充电解决方案的主动钳位反驰式转换器，独特的完整 SiP(System in Package)、高压能力、跨电流隔离的数字电源控制，可实现极高的性能和功率密度，允许接口协议、电源控制算法和故障系统管理的演进和定制。该器件在初级侧包括一个主动钳位反激式控制器及其启动，在次级侧包括一个微控制器以及控制转换和通信所需的所有周边设备。两侧通过嵌入式电气隔离通信通道连接，出厂时已载入固件，该固件可处理
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一款基于ST PowerPC SPC560P34L1以及predriver L9907, 低压MOSFET STP120N4F6等的EPS电机驱动板设计方案。
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ST SPC560P34 EPS 转向助力
如今人们的生产生活一刻也离不开电子产品，电子产品俨然已经成了一种刚需，比如手机、电脑、智能家电等。特别是手机，几乎是每个人的标配，衣食住行样样都离不开手机的辅助。而这种高频次的使用背后定然也离不开充电器的加持，因为手机是电子产品，而电子产品需要电能才能使用。说起手机充电器，人们最关心的是充电速度，以前的5V1A/2A普通充电器充电很慢，充满一部手机往往需要一个多小时甚至更久，而现在的快充充电器能把充电时间缩短至半个小时以内，这大大节省了人们宝贵的时间。充电五分钟，通话两小时，这就是PD电源的真实写照。我们
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工业发展的驱动力为何？决策者应该注意些什么？当许多人开始揣测时，意法半导体（ST）以创新的网宇实体系统如何开启下一个自动化时代为依据推导结论。在2022年国际固态电路会议（ISSCC 2022）上，意法半导体模拟、MEMS和传感器产品部总裁Marco Cassis发表ST在传感器、人工智能、通讯等领域取得的技术突破。同时，ST正思考以「下一个自动化时代」为背景探讨的新趋势。何谓下一个自动化时代？第一个自动化时代自动化时代的概念非常广泛，并涉及许多基础性的问题。作为信息时代的产物，自动化时代指的是机器开始执
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自动化 网宇实体系统 ST CPS
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)近日宣布，为世界排名前列的电源模块系统厂商赛米控（Semikron）的eMPack®电动汽车电源模块提供碳化硅(SiC)技术。该供货协议是两家公司为期四年的技术合作开发成果。采用意法半导体先进的 SiC 功率半导体，双方致力于在更紧凑的系统中实现卓越的能效，并在性能方面达到行业标杆。SiC 正迅速成为汽车行业首选的电动汽车牵引驱动的电源技术，有助于提高行驶里程和可靠性。赛米控最近宣布已获得一笔价值 1
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本文以智能设备中的血压计为例子，来一起探究加入NFC功能的血压计对比传统的蓝牙连接血压计可以在使用过程中实现怎样的便利，以及在传统的血压计如何快速加入NFC功能，硬件设计该如何做。
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在线性模式供电的电子系统中，功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器，电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS)，然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性，还必须符合热管理限制，才能避免热失控。 意法半导体 (ST) 推出了一款采用先进的 STPOWER STripFET F7制造技术和H2PAK 封装的 100V功率 MOSFE
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意法半导体 功率 MOSFET 耐用性
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 与ST授权合作伙伴亚马逊云科技(Amazon Web Services，简称AWS) 合作开发出一款获得AWS FreeRTOS 认证的基于 TF-M 的物联网设备上云参考设计，让物联网设备轻松、安全地连接到 AWS 云端。AWS 物联网设备总经理 Dave Kranzler表示：“
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意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43
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意法半导体 MDmesh MOSFET
意法半导体的STNRG012是一款高集成度且节省空间的数字电源控制器，具有先进的失真抑制功能，是开发LED 照明应用的理想解决方案。该器件集成一个多模功率因数校正(PFC)控制器、谐振半桥控制器、800V启动电路，以及管理这三个模块的数字引擎。PFC 控制器可以在过渡模式、非连续电流模式(DCM) 和谷底跳跃之间动态切换，以实现最佳能效。半桥控制器执行意法半导体的时移控制 (TSC)专利技术，以实现精确的软开关操作。STNRG012的最高输入电压为305VAC，还支持直流工作电源，目标应用是最高300W的
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意法半导体 数字电源控制器 LED 照明应用设计
2022年5月16日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 发布了新一代驾驶员监控系统(DMS)全局快门图像传感器，助力车企提高汽车安全性。
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意法半导体 ST VB56G4A 全局快门
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