依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀，意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM （Serial Page EEPROM）。这款全新类别的EEPROM 是一种SPI串行接口的高容量页可擦除存储器，擦写灵活性、读写性能和超低功耗独步业界，前所未有。意法半导体新的串行页EEPROM产品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在适当的时候增加16Mbit 和 8Mbit 产品。这个创新架构让设计人员能够在同一存储器上管理固件和灵活存储数据，这种组合在以前是没有的。更高的存储器集成度可以减少终端产品
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意法半导体 非易失性存储器
意法半导体宣布推出ST4SIM-201机器间通信(M2M)嵌入式 SIM (eSIM)芯片，新产品符合最新的5G 网络接入和M2M 安全规范，以及灵活的远程激活管理标准。ST4SIM-201 符合 ETSI/3GPP标准16 版，可以连接到 5G 独立组网(SA)，还可以连接到 3G 和 4G 网络，以及低功耗广域 (LPWA)网络技术，例如，机器长期演进 (LTE-M)网络和窄带物联网 (NB-IoT)。 ST4SIM-201通过了最新的 GSMA eUICC M2M 规范 SGP.02 4.
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意法半导体 5G M2M 嵌入式SIM卡
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出最新的FlightSense飞行时间（ToF）测距传感器，适用于智能型手机镜头管理和扩增实境和虚拟现实装置。透过大幅提升关键组件的性能，意法半导体最新ToF模块的测距性能相较上一代产品提升一倍，室内全区模式测距长达4公尺，在相同条件下，功耗比上一代产品降低了一半。意法半导体执行副总裁暨模拟、MEMS和传感器事业群之影像子事业部总经理Eric Aussedat表示，ST的ToF技术在商用领域获得了傲人的
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意法半导体 飞行时间 传感器 ToF
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出了内置智能传感器处理单元 (ISPU) 的新惯性传感器，推动onlife （一直在线）生活时代的到来，人们与经过训练的智能设备互动，智能技术从网络边缘移向深度边缘设备。 ISM330ISN常开 (always-on) 6 轴惯性测量单元 (IMU)传感器内部嵌入智能技术，就尺寸和功耗而言，其测量性能和精准度堪称业界一流。意法半导
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意法半导体 惯性传感器 AI
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位
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意法半导体 STripFET F8 MOSFET晶体管
v 整合基于行业标准认证的 ST33K-A安全芯片的安全单元和Java® Card 平台，以及 G+D Digital Key® 小程序，为开发安全汽车进入系统提供系统芯片解决方案v 提高用车便利性和安全性，符合车联网联盟 (CCC)最新的数字车钥匙标准服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一个能够加快数字车钥匙开发的新平台。有了数字钥匙，消费者可以通过移动设备，无需钥匙也能进入汽车。除了加强安全性
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意法半导体 车联网 数字车钥匙
意法半导体在 eDesign Suite软件套件中发布了两款新的 NFC/RFID 计算器。eDesignSuite 是一整套易于使用的设计辅助实用程序，可帮助您使用各种 ST 产品简化系统开发流程。UHF Link Budget链路预算工具可帮助设计人员确定RFID 读取器的通信距离。NFC Tuning Circuit 调谐电路让工程师能够优化基于ST25R3911B 或 ST253916的NFC 读取器设计。这个两个工具可以提高非接触式应用开发优化工作的可及性，让企业、学生和爱好者都能参与
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意法半导体 标签 读取器
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum读写器芯片输出功率大、效能高，且价格具有竞争力，并支持NFC启动器、目标设备、读写器和卡模拟四种模式，应用包括零接触支付、装置配对、无线充电、品牌保护以及其他工业和消费性应用。新装置导引弹性更高的主动波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技术，可以简化射频输出调整过程，便于优化过冲和下冲问题。
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意法半导体 NFC 读取器
务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)，与世界排名前列的嵌入式语音识别技术供应商、意法半导体授权合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一项合作协议，赋能STM32 微控制器 (MCU)用户社区为各种智能嵌入式产品开发直观的语音识别用户界面及产品原型。该合作项目整合了意法半导体STM32软硬件和Sensory的语音控制技术。其中新的VoiceHub 在线门户支持使用自定义唤醒词、语音控制命令集和大型自然语言语法
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意法半导体 嵌入式声控
· VL53L8 直接飞行时间 (dToF) 传感器非常适用于智能手机以及智能扬声器、人机界面、消费类激光雷达和 AR/VR/MR· 传感器集成新的革命性超表面透镜 (metasurface lens) 技术和性能更强、能效更高的激光源和片上处理改进技术 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(简称ST)推出了新一代FlightSense™飞行时
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意法半导体 ToF
率先实现元镜（meta-optics）商用的公司Metalenz与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体( (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)宣布，2021 年 6 月披露的双方将合作开发的元镜现已上市。作为该备受瞩目的技术首秀，意法半导体刚刚发布的 VL53L8 直接飞行时间 (dToF) 传感器已搭载这一突破技术隆重登场。Metalenz的元镜技术是哈佛大学的科研成果，可以替代现有的结构复杂的多镜片镜头。在嵌入一颗元镜后，3D 传感器模块大
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意法半导体 光学超表面技术
意法半导体的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum读取器芯片输出功率大，能效高，价格具有竞争力，支持 NFC 发起设备、目标设备、读取和卡模拟四种模式，目标应用包括非接支付、设备配对、无线充电、品牌保护以及其他工业和消费类应用。新器件引入了灵活性更高的主动波形整形 (AWS)改进技术，可以简化射频输出调整过程，方便优化过冲和下冲问题。射频调整操作非常容易，先在支持的图形界面软件上修改寄存器设置，然后再用示波器进行快速验证。这项技术简化了EMVCo 3.1a和
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意法半导体 NFC
瑞士意法半导体（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（GaN）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。 意法半导体（ST）表示，其MasterGaN方法可缩短了产品上市时间，并确保了预期的性能，同时使封装变得更小、更简单、电路组件更少、系统可靠性更高。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小80％，将重量减少70％。
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意法半导体 硅基驱动器
长期以来，英飞凌、意法半导体等功率半导体Top级厂商更多的产品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，随着5G、新能源汽车等一系列技术迭代和市场需求推动之下，第三代半导体凭借各自高频、高压等优...延续了一年的第三代半导体发展热潮并未止息，多家功率半导体国际巨头竞相在公布2022年财报前后宣布了新建工厂计划。如Infineon（英飞凌）、STMicroelectronics（意法半导体）都表示将在全球不同国家建设碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相关工厂。虽然在目前阶段来看，碳化硅的应用和技术发展
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意法半导体 硅基IGBT 硅基MOSFET
意法半导体（STMicroelectronics）和电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供货商MACOM技术解决方案控股有限公司（那斯达克股票代码：MTSI」）宣布，已成功制造出射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鉴于此佳绩，意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。射频硅基氮化镓为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal
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意法半导体 MACOM 射频 硅基氮化镓
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