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μClinux下SDRAM数据交换区的生成和使用
- 引言 数据交换区是指程序执行中使用到的各种数据所存放的内存空间。本文提出了在μclinux操作系统下为嵌入式工业网络服务器开辟数据交换萄思想和解决方案。嵌入式工业网络服务器项目的开发目的是构建一个以client/server模式工作的工业远程监控系统，其前端是一个嵌入式服务器，它安装在工业现场，可以与三菱plc组成的控制系统接口，对该系统实施实时监控。其中数据交换区部分起到承上启下的枢纽作用，向上负责对客户端交互现场设备数据，向下负责与接口缓冲区交互设备实时数据。系统以motorola公司的3
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DDR SDRAM在嵌入式系统中的应用
- 引言 很多嵌入式系统，特别是应用于图像处理与高速数据采集等场合的嵌入式系统，都需要高速缓存大量的数据。ddr（double data rate，双数据速率）sdram由于其速度快、容量大，而且价格便宜，因此能够很好地满足上述场合对大量数据缓存的需求。但ddr sdram的接口不能直接与现今的微处理器和dsp的存储器接口相连，需要在其间插入控制器实现微处理器或dsp对存储器的控制。 随着密度与性能的不断提升，现场可编程门阵列（fpga）已被广泛应用于各种嵌入式系统中。而且，现在很多的fp
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uClinux下SDRAM数据交换区的生成和使用
- 引言 数据交换区就是指程序执行中使用到的各种数据所存放的内存空间。本文提出了在uclinux操作统下为嵌入式工业网络服务器开辟数据交换区的思想和解决方案。嵌入式工业网络服务器项目的开发目的是构建一个以client/server模式工作的工业远程监控系统，其前端是一个嵌入式服务器，它安装在工业现场，可以与三菱plc组成的控制系统接口，对该系统实施实时监控。其中数据交换区部分起到承上启下的枢纽作用，向上负责对客户端交互现场设备数据，向下负责与接口缓冲区交互设备实时数据。系统以freescale公司
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双口RAM CY7C026在高速数据采集系统中的应用
- 引言 由工业计算机通过pci总线控制的前端数据采集系统在工业控制领域中得到了广泛的应用，一般的数据传送系统在大数据量的情况下会造成数据堵塞现象。在系统设计的过程中经过多方面的比较，最后采用高数双口ram构成的高速数据交换接口成功地解决了此问题。 cy7c026是cypress公司生产的16k×16高速双口静态ram，存取速度小于25ns。它具有真正的双端口，可以同时进行数据存取，两个端口具有独立的控制信号线、地址线和数据线，另外通过主/从选择可以方便地扩存储容量和数据宽度。通过芯片的信
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DSP片外高速海量SDRAM存储系统设计
- 在数字图像处理、航空航天等高速信号处理应用场合，需要有高速大容量存储空间的强力支持，来满足系统对海量数据吞吐的要求，通过使用大容量同步动态ram（sdram）来扩展嵌入式dsp系统存储空间的方法，选用issi公司的is42s16400高速sdram芯片，详细论述在基于tms320c6201（简称c6201）的数字信号处理系统中此设计方法的具体实现。 1 is42s16400芯片简介 is42s16400是issi公司推出的一种单片存储容量高达64mb（即8mb）的16位字宽高速sdram芯片。
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为DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片
- 引言 ddr-sdram，即双数据速率同步dram，简称ddr。ddr因其更为卓越的性能 (起初的数据速率为266mbps，后来提升至400mbps，而一般sdram只有133mbps)、更低的功耗以及更具竞争力的价格，已经在桌面和便携式应用中颇为流行。最近推出的第二代ddr或称ddr2 (jesd79-2a)，数据速率从400mbps提升到了667mbps。因此与之前的sdram技术相比，ddr存储器需要更加复杂和新颖的功率管理结构。 ddr功率管理结构 图1所示为第一代ddr
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基于FPGA和SRAM的数控振荡器的设计与实现
- 1 引言 数控振荡器是数字通讯中调制解调单元必不可少的部分，同时也是各种数字频率合成器和数字信号发生器的核心。随着数字通信技术的发展，对传送数据的精度和速率要求越来越高。如何得到可数控的高精度的高频载波信号是实现高速数字通信系统必须解决的问题，可编程逻辑器件和大容量存储器的发展为这一问题的解决带来了曙光。本文介绍如何用fpga（现场可编程逻辑门阵列）和sram（静态随机存储器）实现高精度数控振荡器。 2 nco概述 nco（numerical controlled oscillator）
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [ 查看详细 ]
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