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存储器 文章 进入存储器技术社区

RAMTRON发布高速串行接口的PROCESSOR COMPANION系列

  • Ramtron International Corporation宣布推出FM33x产品系列,这是带高速串行接口(SPI) 的全新FRAM-Enhanced™ Processor Companions系列。FM33x系列在小型封装中整合了非易失性RAM的所有特性,还包含全面广泛的高度集成支持及外围功能,适用于任何以处理器为基础的设计。 Ramtron推出的33x Processor Companion系列包括两个产品:FM3
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希捷:未来三年中国硬盘营收增长幅度将超过PC

  • 据国外媒体报道,全球最大的计算机硬盘生产商希捷科技日前表示,该公司计划借助其在中国地区的生产能力,未来三年内在中国市场实现营收增长幅度超过PC和笔记本市场增长幅度的目标。  希捷当天援引研究数据称,截至2010年,中国PC市场年平均增长幅度将介于10%和15%之间,而笔记本市场年平均增长幅度预计达到30%。希捷科技中国区总经理杨建初在接受路透社采访时表示,硬盘市场应以PC和笔记本市场相同的幅度进行增长。  在截至今年3月底的第三财季,希捷销售收入达到28亿美元,其中亚太地区占43%,同
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韩制造商全球DRAM储存市场领导地位受到威胁

  • 市场调研机构 iSuppli总裁兼首席执行官Derek Lidow称,未来三年内,韩国的DRAM 储存芯片制造商长期以来在全球的领先地位存在着威胁,可能将被其他外国的竞争对手夺取。  在韩国举行的数字论坛上Lidow表示,目前在全球DRAM储存芯片市场,韩国的制造商仍然保持了领先的位置,去年三星电子和现代半导体的销售收入在全球市场占到45%。相比之下中国和中国台湾的公司拥有的份额为17%。  Lidow预期今年全球DRAM储存芯片的发货量将发生变化,韩国厂
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硬盘业务每况愈下 日立考虑采取更多改革措施

  • 据国外媒体报道,日立公司日前表示,为了扭转亏损的硬盘业务,该公司可能采取更多额外措施,但目前看来,日立硬盘业务今年很有可能继续亏损。  日立总裁古川一夫在谈及该公司中期业务计划时对业内分析人士及新闻媒体表示,由于第一季度亏损180亿日元,再加上第二季度形势严峻,今年硬盘业务可能将亏损330亿日元,因此我们有必要寻找额外的改革措施并认真进行考虑,以便达到盈利的目的。  尽管如此,古川一夫当天并未透露日立目前正在考虑具体哪些额外措施,但根据中期计划,日立计划将分支机构数量从目前的885家削
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iSuppli:08年3月前全球DRAM销售恐减缓

  •   5月29日消息,美国研究机构iSuppli表示,到2008年3月以前,全球DRAM销售将减缓,出货增长将压低价格。   iSuppli今天在韩国首尔的科技会议上发表声明指出,全球DRAM到明年3月以前将持续减缓。   iSuppli指出,2010年全球DRAM销售将由去年的339亿美元增至457亿美元。
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Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02

  •   Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02,具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。   DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可节省20%的PCB空间和30%的成本。由于采用更少的元件,使得终端设备的制造厂商可以减少材料清单数,从而降低了生产成本,并提高了设备的可靠性。通过简化硬件的复杂度,并采用单个器件实现软件通信,使产品设计人员的设计周期得到了缩短。该新型存储器件具有空前大的阵列容量,能够用于多种应用,包括通信、医疗、消费品和工业终端设备。   与传
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富士通推出配备FeRAM的通用微控制器投放

  • 富士通在2007年5月16日开幕的“第10届嵌入系统开发技术展(ESEC)”上,参考展出了配备强电介质内置内存(FeRAM,铁电内存)的通用8bit微控制器。评测用芯片“MB95RV100”近日即可供应,计划2008年前后量产供货。CPU内核采用“F2MC-8FX”,工作频率为10MHz。首先面向密钥数据的保存用途投放市场。  配备FeRAM的微控制器最初只应用于数据保存区域(原有微控制的RAM部分)。程序保存区域预定以掩膜ROM的形式提供。产品系列计划对于数据保存用途推出FeRAM分
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内存价格终于反弹 业内持不同意见

  • 在5月18-25日,DRAM内存价格终于出现了反弹,业界分析家对该现象是标志着大范围的调整开始还是仅仅是一个短期现象持有不同意见。 据DRAMeXchange的数据显示,从5月18日开始,包括eTT在内各种频率型号的512MB DDR2内存现货价格据呈上升势头。在所有类型当中,eTT压低内存升幅最大,达到16%。 一些业内人士担心DRAM现货市场的价格反弹将会影响DRAM合同价格的调整。来自DRAM内存厂商的消息称现还没有收到电脑厂商需求急剧变化的反馈,而来自内存模组厂的消息称,由于DRAM厂商
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内存价格终于反弹 业内持不同意见

  •   在5月18-25日,DRAM内存价格终于出现了反弹,业界分析家对该现象是标志着大范围的调整开始还是仅仅是一个短期现象持有不同意见。   据DRAMeXchange的数据显示,从5月18日开始,包括eTT在内各种频率型号的512MB DDR2内存现货价格据呈上升势头。在所有类型当中,eTT压低内存升幅最大,达到16%。   一些业内人士担心DRAM现货市场的价格反弹将会影响DRAM合同价格的调整。来自DRAM内存厂商的消息称现还没有收到电脑厂商需求急剧变化的反馈,而来自内存模组厂的消息称,由于DRA
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Flash FPGA、ASIC、SRAM FPGA你选择谁?

  • Flash based FPGA, ASIC, SRAM-based FPGA, which one do you choose ?  近年来,FPGA器件的应用领域在不断扩大。由于这种极其灵活的器件提供的通用平台能够针对特定的应用进行快速编程,并且可以在设计迭代中进行重复编程,因此它们迅速成为电子系统设计领域的中流砥柱。 ---但是,FPGA在量产类产品中仍未得到广泛应用。当工程师们准
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PC大厂刻意压低内存 上下游博弈仍在继续

  • 内存颗粒在最近一两天终于价格开始反弹,DDR2 512Mb ETT颗粒昨天收盘于1.58美元,而DDR2 512Mb 667MHz则从1.7美元反弹至1.76美元。 内存业者表示,DRAM制造厂不再杀低出货,再加上部份模组厂开始趁低收货,是带动近日DRAM现货价跌深反弹的主因。只是目前终端市场需求依然疲软,因此DRAM价格是否就此落底,仍待进一步观察。 创见上海代表处的总经理颜明吉表示,此前内存之所以狂跌,戴尔和惠普等PC大厂故意观望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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DRAM厂减产 DRAM售价濒临变动成本

  • 近来对于所有DRAM厂来说都面临惨不忍睹的情况,原因在于DRAM售价重挫,几乎已到了宁可关厂不做生意的阶段。DRAM厂已展开一波自救计划,部分DRAM厂已正式启动产能调配计划,希望通过这样动作来减少亏损,也因为DRAM厂已开始减产,DRAM厂认为第三季度应该可以见到减产后对于整体DRAM供需平稳成效。 过去几个月以来全球DRAM售价不断出现暴跌,虽说目前价格略微回稳,不过整体来说DRAM厂还是面临到严重亏损压力,DRAM厂坦承这样的售价几乎已是跌到DRAM厂采用12英寸厂90纳米工艺技术时所需的变动成本,
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内存狂跌引发质量严重下滑 不良率数倍提升

  • “凭良心来讲,现在内存的品质整体来说真的很差。”某品牌内存的一位高管向PConline产业资讯这样透露。 根据相关人士透露,内存晶元的测试,是晶元厂要另外要付费给专门的测试厂商。按照业界的概况,DDR2的颗粒一般好一点的原厂要测试800秒,普通的厂商是测试400秒。一般来说,原厂的品牌颗粒不太敢完全不测试,多少会测一下。但是现在测试时间变成了200秒或者100秒,甚至有些厂商只测50秒。 一般来说,如果经过800秒完全测试,内存颗粒的不良率可以低于500PPM(注1),非常的低。当测试时间从800秒
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NEC电子推出可用于内置硬盘的机顶盒的芯片

  • NEC电子近日开发出了用于内置硬盘(HDD)的机顶盒(STB)的系统芯片—“EMMA2SE(μPD61140)”,并将于即日起开始发售样品。此外,NEC电子还将于今年6月起,推出在EMMA2SE的基础上内置了防非法使用功能的“EMMA2SE/P(μPD61142)”的样品。 这两款新产品均为将接收、存储、播放数字广播所必需的功能集成到了1颗芯片上的图像处理用系统芯片。新产品的主要特征包括:CPU的处理性能提高到了284MIPS,约为NEC电子以往产品的1.4倍;可外接容量达1G的外部存储器;内置USB功
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意法新款8引脚微控制器增加了存储容量

  • 8位微控制器的世界领导厂商意法半导体进一步完善了公司专门为简单的低成本应用设计的ST7UltraLite系列8引脚微控制器产品阵容,新的ST7FLITEU0系列产品在现有产品的丰富外设基础上扩大了存储容量和有用的系统功能。采用8引脚的SO、DIP和0.9mm厚的DFN封装,工作温度高达125℃,新系列产品是HVAC(暖风、通风和空调)、家电、照明控制和电动工具市场的最佳选择。  由于内置的2KB闪存程序存储器的容量是以前产品的二倍,同时还内置一个128字节的数据EEPROM,新产品虽然
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存储器介绍

什么是存储器 存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的构成 构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [ 查看详细 ]

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