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存储器 文章 进入存储器技术社区

DRAM芯片价格终结下滑趋势 内存厂现曙光

  •   7月18国际报道 本周二发布的一份报告显示,随着DRAM芯片价格在7月前半月结束长期以来的下滑趋势,内存芯片厂商在不无的将来或许能够看到一丝曙光。   iSuppli在这份报告中表示,由于内存芯片厂商的库存仍然过高,价格下跌趋势的停止可能是短暂的。   iSuppli分析师Nam Hyung Kim说,由于三星、Hynix Semiconductor等厂商会试图甩卖这些库存,内存芯片价格可能会再次下跌。   不断下跌的DRAM芯片价格有助于PC、MP3播放器、数码相机等消费电子产品价格的降低,但
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三星利润创4年新低 DRAM芯片价下跌

  •   7月15国际报道 由于计算机内存芯片价格的下跌使得平板面板业务的改进黯然失色,第二季度三星的利润创下了4年来的新低。   但三星下半年的前景要好得多,DDAM内存业务将因季节性需求而转强,手机和平板电视的销售也将相当强劲。   Dongbu Securities分析师Lee Min-hee说,第三季度的业绩会全面好转,液晶业务部门的业绩会进一步增长,手机利润率将达到进一步提高。第三季度DRAM业务的业绩也将好于第二季度。   第二季度三星的净利润为1.42万亿韩元(合15.5亿美元),较上年同期
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粤港海关严打效应持续 内地内存价大涨65%

  •     仅仅一个多月,在全国内存市场占80%的1GB DDR2-667内存条的价格就从最低价的200元左右涨到330元以上,涨幅高达65%。   昨日,《第一财经日报》从深圳内存厂家获悉,引发此次内存价格狂飙的主要原因是深圳的某两家渠道商的走私货物被深圳海关扣押,被扣押的货物以内存条为主,总值达1亿元之巨。   “这股严打风潮不知道什么时候能过去。”深圳内存厂家负责人黄伟(化名)透露,现在内地内存经销商已基本停止大宗走私行为,目前市场上所销售的产品基本都是之前的库存
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数据中心高能耗 存储市场迎来“绿色”商机

  •    根据计世资讯的统计数据,即使不包括集成设施的投入,2006年国内数据中心IT投入超过103亿元。2007年将超过2006年达到124亿。数据中心正进入发展的黄金时期。而这也正是问题的所在,数据中心的高增长意味着高能耗。根据斯坦福大学的一项研究,全球数据中心的能耗在2000至2005年间翻了一番,到2010年将再增75%。该研究以部署在美国的服务器和冷却系统为例,该系统在2005年消耗450亿千瓦时的电力,电费为27亿美元。而当年全球服务器的能耗达到1230亿千瓦时,电费支出约为7
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赛普拉斯公司与InPhase Technologies公司合作开发全息数据存储驱动器

  • 赛普拉斯半导体公司宣布,该公司正在与全息数据存储领域的全球领先者InPhase Technologies公司合作,为InPhase的Tapestry™全息数据贮存系统供应CMOS图像传感器解决方案。          赛普拉斯和InPhase自2005年以来一直在合作开发一种超灵敏和超高速的CMOS图像传感器,以满足InPhase的Tapestry驱动器所记录数据的高速读取要求。这款赛普拉斯的C
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6月连续下滑后 DRAM也将扬眉吐气

  • 从国外媒体处获悉:在看到6月DRAM和约价格连续下滑的终结后,业内商家对近期内存价格的上涨趋势表示乐观,原因是PC OEM制造商正在积极地力推更高的内存容量。    内存交易企业DRAMeXchange看到,那些在季节上涨前不断调高库存的PC OEM制造商将逐步刺激需求。该机构估计,7月DRAM内存的平均销售价格将在持续上涨基础上至少增加10%。    包括戴尔和惠普在内的这类PC OEM制造商也在为价格上涨趋势增砖填土。有消息来源称,在第三和第四季度中,
  • 关键字: DRAM  消费电子  存储器  消费电子  

奇梦达推出四列8GB DDR2全缓冲双线内存模组

  • 奇梦达公司近日宣布推出业界首款四列8GB DDR2全缓冲双线内存模组(FB-DIMM),该模组技术是推动下一代多核服务器性能的重要技术,同时还可降低服务器的功耗。这些领先的FB-DIMM模组进一步壮大了奇梦达本已非常广博的产品阵容,可更好地满足服务器和高性能计算机工作站应用日益增长的要求。        奇梦达的新款FB-DIMM模组的速率最快可达800 MHz。800 MHz模组将提高今年晚些时候面市的下
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赛普拉斯与InPhase Technologies合作开发全息数据存储驱动器

  •   赛普拉斯半导体公司日前宣布,该公司正在与全息数据存储领域的全球领先者InPhase Technologies公司合作,为InPhase的Tapestry™全息数据贮存系统供应CMOS图像传感器解决方案。   赛普拉斯和InPhase自2005年以来一直在合作开发一种超灵敏和超高速的CMOS图像传感器,以满足InPhase的Tapestry驱动器所记录数据的高速读取要求。这款赛普拉斯的CMOS图像传感器包含了一个数字接口,共有1696 X 1710个像素,像素间距8微米的。这款图像传感器
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Keil C动态内存管理机制分析及改进

  •  Keil C是常用的嵌入式系统编程工具,它通过init_mempool、mallloe、free等函数,提供了动态存储管理等功能。本文通过对init_mempool、mallloe和free这3个KeilC库函数源代码的分析,揭示其实现的原理和方法,并对其中的不足作了改进,以使Keil C编程人员更好地应用动态存储管理。   1 相关数据结构、变量及说明   在Keil C安装目录下的\c5l\lib目录下,有实现init_mempool、mallloe和free这3个函数的C源文件init_me
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RadioFrame获授权采用CEVA-X DSP内核及子系统无线基站

  •     CEVA宣布授权RadioFrame Networks公司使用CEVA-X1620 DSP 内核 和 CEVA-XS1200 子系统来开发其下一代毫微微蜂窝式 (femtocell) 基站。RadioFrame Networks是移动和无线市场以IP为基础的微微蜂窝式 (picocell) 和毫微微蜂窝式解决方案的领先厂商。   毫微微蜂窝式基站的部署可以提高
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ConnectX:新型服务器和存储应用适配卡架构

  • 随着实际应用对性能要求的不断提高,越来越多的集群服务器采用了多核处理器。连接这些服务器并使它们的性能得到最大提升的需求,使传统的I/O连通技术面临巨大的挑战。当前的解决方案一般包含多种互连技术及针对数据库、存储、管理应用的软件,但这些传统的解决方案并不适用于将来的服务器和存储网络。Mellanox公司的ConnectX架构沿用了Infiniband技术,并在当中集成了以太网技术。它的以太网性能符合IEEE工业标准,兼容早期的集群、计算、存储和网络接口应用。目前,在国内由石竹科技代理其产品。ConnectX
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KLA-Tencor发布最新存储和逻辑器件明场检测系统

  • KLA-Tencor推出 28xx 明场检测平台的最新成员 2810 和 2815。通过特殊的光学配置,它们能有效地应对亚 55 纳米存储器件和亚 45 纳米逻辑器件生产中所面临的独特缺陷检测挑战。无论是适合存储器件缺陷检测的 2810 系统,还是适合逻辑器件检测的 2815 系统,都依靠 KLA-Tencor 业界领先的全光谱光源技术以捕获最广泛的缺陷类型
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QuickLogic利用闪存卡主控制器扩展存储解决方案产品线

  • QuickLogic® 公司为其针对移动设备的集成可编程连接解决方案再添新产品。该公司发布完整的闪存卡(Compact Flash) 主控制器,将使设计人员可以简单采用这一通用存储技术。 闪存卡于1994 年首次发表,最初是作为闪存数据卡存储接口推出的。随着时间的推移,它已得到了加强,可以支持微型硬盘驱动器,以及诸如Wi-Fi、全球定位系统(GPS)和扫描仪模块等外围设备。虽然安全数字(SD)卡因其更简单的接口而获得了广泛采用,但是闪存卡仍然是企业PDA、便
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瑞萨松下开发45nm传统CMOS片上SRAM技术

  •      瑞萨科技公司与松下电器产业有限公司宣布共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS*1的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512Kb SRAM的实验芯片的测试已经得到证实,可以在宽泛的温度条件下(-40℃-125℃)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。采用45nm CMOS工艺生产的用于实验的SRAM芯片集成了两种不同的存储单元设计,一个
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

  • 日前,Intel宣布,他们采用最新的65纳米工艺制造SRAM(静态存储器)取得了突破,他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。    静态存储器(SRAM)主要用作高速的存储设备,例如处理器内部的高速缓存等存储设备。  05年11月,Intel首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM,现在能够生产出70Mbit的SRAM将有助于将来处理器的制造。   
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存储器介绍

什么是存储器 存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的构成 构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [ 查看详细 ]
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