- 编者按：德国最大太阳能企业Conergy公司今年将出现1.5亿～2亿欧元税前亏损，对于中国光伏产业来说，到底传递了怎样的信息?中国光伏产业发展除了需要企业自身向上游挺进，还需要哪些政策的支持?
“中国的太阳能公司境况也好不了太多，行业新一轮洗牌为时不远。”针对德国最大太阳能企业Conergy公司今年将出现1.5亿～2亿欧元税前亏损的消息，宁波太阳能公司一位高层昨日在接受《第一财经日报》采访时表示。
行业利润急剧降低
随着太阳能产业的迅猛发展，作为太阳能电池板主要原料的多晶硅价格，从2
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- 门极可断晶闸管(gate turn-off thyristor,GTO)是一种具有自断能力的晶闸管。处于断态时，如果有阳极正向电压，在其门极加上正向触发脉冲电流后，GTO可由断态转入通态，已处于通态时，门极加上足够大的反向脉冲电流，GTO由通态转入断态。由于不需用外部电路强迫阳极电流为0而使之关断，仅由门极加脉冲电流去关断它；所以在直流电源供电的DC—DC，DC—AC变换电路中应用时不必设置强迫关断电路。这就简化了电力变换主电路，提高了工作的可靠性，减少了关断损耗，与SCR相比还可以提高电力电子变换的
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- 晶闸管(thyristor)是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅（SCR），其正式名称应是反向阻断三端晶闸管。除此之外，在普通晶闸管的基础上还派生出许多新型器件，它们是工作频率较高的快速晶闸管(fast switching thyristor，FST)、反向导通的逆导晶闸管(reverse conducting thyristor，RCT)、两个方向都具有开关特性的双向晶闸管(TRIAC)、门极可以自行关断的门极可关断晶闸管（gate turn off thyristor，GTO）、门极辅助关断晶闸管(g
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- 将IGBT用于变换器时，应采取保护措施以防损坏器件，常用的保护措施有：
（1） 通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护；
（2） 利用缓冲电路抑制过电压并限制du/dt；
（3） 利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。
下面着重讨论因短路而产生的过电流及其保护措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶闸管的影响，当流过IGBT的电流过大时，会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，以避免出现擎住现
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- 西安是我国重要的半导体产业基地之一。虽然远离沿海，但西安仍快速抓住了市场热点，在“十一五”期间，西安在集成电路产业方面进行错位发展，将重点集中在设计、设备、材料及导航业上。
多款自主创新芯片量产
西安的第一个错位发展领域是集成电路设计业。“因为设计是一个智力型产业，西安在这方面的资源非常有优势。”陕西集成电路行业协会秘书长蔺建文介绍了其中的原因，“在这方面，我们要发展一些高端的、具有自主知识产权的创新产品，这是我们这几年花精力比较多的方面。”经过几年的发展，目前，设计业已初具规模。
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- 据外电报道，市场研究公司iSuppli称，由于第三季度强劲增长，中国半导体市场2007年的销售收入将达到iSuppli预测的15%的增长率。
iSuppli称，中国半导体市场2007年的销售收入预计将从2006年的450亿美元增长到520亿美元。这标志着中国半导体市场的年收入首次突破500亿美元。
iSuppli中国研究机构的高级分析师Horse Liu称，第三季度中间市场的强劲需求帮助半导体厂商实现了销售收入目标。同时，尽管人民币升值和石油价格上涨，中国电子产品出口仍然显著增长。
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- 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理
电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时
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- 对太阳能电池行业供需形势的判断需要了解供给和需求两个方面，尤其是多晶硅的供给量。未来多晶硅供应增量包括三部分：传统大厂的扩产、新进入厂商的产量、物理法等新技术增加的产量。传统大厂太阳能级硅料产能在2008年翻番，2010年达到40350吨;物理法、FBR等新技术的计划年产能也已经超过1万吨;包括中国、俄罗斯、西班牙等国的新厂计划产能也超过20000吨，可靠产能超过6000吨。
硅料供应紧张有望缓解
由硅料供应可以判断太阳能行业供给状况。太阳能电池根据原料来源可以分为三类：太阳能级多晶硅制造
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- 太阳能是最大的无污染可再生能源，它取之不尽，用之不竭，是今后人类能源利用的重点。但目前太阳能发电只占可再生能源5‰，居四大可再生能源的末位。这主要在于生产太阳能电池多晶硅的改良西门子法耗电量太大，而正在探索中的冶金物理法技术尚不成熟。这需要我国科技工作者加快研发步伐，以期在研制太阳能电池方面取得突破性进展。
太阳能基地电能输送是难题
太阳能是无污染的巨大能源。太阳每秒照射到地球上的能量相当于500亿吨煤，比目前全人类的能耗量还大3.5万倍。太阳内部的核聚变可以维持几百亿年，相对于人类的有限
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- 市场调研公司Gartner日前降低了对今明两年半导体产业的增长预测。它警告称，随着该产业走向32纳米工艺技术，处境只会变得越发困难。分析师在日前召开的年度吹风会上表示，该产业明年仍可能陷入衰退，取决于宏观经济方面的一些因素。另外，Gartner发布了2007年的初步市场份额数据，显示东芝、高通和海力士半导体是最大的赢家，而AMD、飞思卡尔和IBM则是最大的输家。
“该市场趋于成熟，到了该进一步整合的时候，”Gartner的半导体研究副总裁BryanLewis表示，“如果你不具备一定的规模或者增加
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- 1、 过电压保护
晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。
过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几
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- 一、IGBT的工作原理
电力MOSFET器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型开关器件；因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快；但通态降压大，难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型（其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关器件；因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点，弃其缺点，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导
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- 当今社会，能源危机和环境污染已经成为世界各国共同面临的两大难题。随着人们环保和节能意识的增加，低功耗设计越来越受到厂商、消费者和各国政府的关注，高能效的电源设计将成为市场的主导。并且，电源设计周期加快、低待机能耗、高能效以及减少占位面积的要求正在改变传统的电源设计方法，推动电源管理设计的创新。无论是客观环境，还是人们的主观意识上，“环保节能型”设计已是电源管理市场发展的大趋势。
“环保节能型”设计的需求在给半导体产业带来巨大机遇的同时，也带来了重大挑战。在满足政府及相关组织提出的节能环保标准和规
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- 据市场研究公司In-Stat最新发表的研究报告称，亚洲半导体制造行业一直在快速提高生产能力，这种趋势在未来几年还将继续下去。这篇研究报告预测称，亚洲半导体生产能力从2006年至2011年的复合年增长率为10.8%。
分析师称，随着集成设备厂商外包的增长，纯代工厂商将越来越重要。纯代工厂商在开发领先的工艺技术方面将保持领先的地位。亚洲地区DRAM内存和闪存生产能力也将强劲增长。这篇报告的要点包括：
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半导体材料介绍
半导体材料（semiconductor material）
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样 [
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