日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器件相比，Vishay Siliconix N沟道SiHK050N65E的导通电阻降低了48.2 %，而电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中650V MOSFET的重要优值因数（FOM）降低了65.4 %。Vishay推出了多种MOSFET技术，为电源转换过程的所有阶段提供支持，包括
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Vishay 功率MOSFET
技术背景：功率半导体进化论在现代电力电子系统中，功率MOSFET如同"电子开关"般控制着能量流动的命脉。这类器件的核心使命是在导通时实现最低损耗，在关断时承受最高电压，同时要在两种状态间实现光速切换。随着新能源汽车、工业自动化、可再生能源等领域的爆发式增长，市场对功率器件的需求呈现出"三高"特征：高电流承载能力、高开关频率、高功率密度。传统平面栅结构MOSFET受限于寄生电容大、导通电阻高等瓶颈，已难以满足新一代电力系统的严苛要求。技术突破：STripFET F7的
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意法半导体 功率MOSFET
Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，并配备Nexperia交
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CCPAK1212封装 Nexperia 功率MOSFET
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够用来替换多个并联的低额定电流器件，从而简化设计流程，提高应用的可靠性和功率
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Littelfuse 超级结 功率MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满足各种大众市场应用的要求而设计，实现了高度的设计灵活性。适合的应用包括工业开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、电池供电应用、电池管理系统和不间断电源（UPS）。英飞凌采用TO-220封装的
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英飞凌 StrongIRFET 功率MOSFET
Littelfuse P通道功率MOSFET虽不及广泛使用的N通道MOSFET出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，P通道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P通道的简易性，使其对低压变换器（< 120 V）和非隔离的负载点更具吸引力。因为无需电荷泵或额外的电压源，高端侧（HS）P信道MOSFET易于驱动，具有设计简单、节省空间，零件数量少等特点，提升成本效率。本文通过对N信道和P信道MOSFETs进行比较，介绍Littelfuse P通道功率MOS
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P通道 功率MOSFET Littelfuse
英飞凌科技股份公司近日推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。SSO10T TSC的占板面积为5
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英飞凌 功率MOSFET SSO10T TSC 顶部冷却封装
过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247封装。同时，电动车窗、燃油喷射、间歇式雨刷和巡航控制等应用已逐渐成为大多数汽车的标配，在设计中需要类似的功率器件。在这期间，随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及，车用功率MOSFET也不断发展壮大。今天的汽车电子系统已开创了功率器件的新时代。本文将介绍和讨论几种推动汽车电子功率器件
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功率MOSFET 汽车电子 新能源汽车
中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。 新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反
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东芝 高速二极管型 功率MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装，10V栅极电压条件下导
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Vishay 源极倒装技术 PowerPAK 功率MOSFET
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出首款汽车级PolarP™ P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。这种创新性产品设计可满足汽车应用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最为与众不同之处在于通过了AEC-Q101认证，这一特点使其成为汽车应用的理想选择。该认证确保MOSFET符合汽车行业严格的质量和可靠性标准。凭借这项认证，汽车制造商可确信IXTY2P50PA能够提供卓越的应用性能
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Littelfuse PolarP P通道 增强模式 功率MOSFET
韩国8英寸纯晶圆代工厂启方半导体(Key Foundry)今日宣布，该公司已经与威世集团(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)签署了多款功率MOSFET产品的长期供应协议。功率MOSFET是在高电压、大电流的工作状态下，具备低功耗、高速开关能力和高可靠性的，几乎可以应用于所有电子设备的典型的功率分立器件。市场调研公司OMDIA的数据表明，2022年功率分立器件的市场规模为212亿美元，预计到2027年将达到284亿美元，年复合增长率为6%。威世是全球领先的功率分立
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启方半导体 威世 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信
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英飞凌 OptiMOS 功率MOSFET
功率mosfet介绍
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。 [
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