【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信
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英飞凌 OptiMOS 功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[2]。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%[3]，使其适合线性
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东芝 功率MOSFET 电源电路
中国上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降
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东芝推 超级结结构 N沟道 功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44
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东芝 N沟道 功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。该新产品系列采用了英飞凌
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英飞凌 源极底置 功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的15
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东芝 150V N沟道 功率MOSFET
本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的定义以及他们非线性特性的表现形态，探讨了影响这二个电容的相关因素，阐述了耗尽层电荷浓度非线性变化以及耗尽层厚度增加输出电容和米勒电容的非线性特性的原因。
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功率MOSFET 输出电容 米勒电容 非线性
功率 MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
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MOSFET 功率MOSFET
由于具有最低的导通电阻(RDS(on))，这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外，通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，同时也减少了工程成本和工作量。这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°，有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率，或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外，随着额定温度的
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儒卓力 英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET
本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义，详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间工作在线性区的应用中，必须采用实测的安全工作区理由。
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功率MOSFET 安全工作区 线性区 热电效应 201903
“MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
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功率MOSFET MOSFET
Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海电子展”上展出了众多创新成果，包括无源元件、二极管、功率MOSFET和光电子器件等，并特辟了汽车电子展示区，展出了高效和高可靠性汽车电子应用。汽车电子展区的三大亮点 Vishay展示了3套特地从德国运来的与汽车电子相关的demo(演示)，分别是： • 用于48V板网的马达驱动装置(48V/150W)，特点是用于轻混动力系统的电动机驱动装置;功率可达10 kW。该装置所有部分由Vishay独立设计完成，可以提供马达驱动的电流、转速等调整。 据悉，48V在欧
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Vishay 无源元件 二极管 功率MOSFET 光电子器件 201605
什么是功率MOSFET我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制...
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功率MOSFET IGBT 二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站（夏季会）上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214，展示亮点是其最新的业界领先的创新产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。
在2013中国电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET，提高效
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无源元件 二极管 功率MOSFET
常用功率器件MOSFET基础介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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功率MOSFET 二极管
功率mosfet介绍
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。 [
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