- 1引言随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思...
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功率MOSFET 栅极驱动 解耦
- 在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFE...
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功率MOSFET
- 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
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功率MOSFET 开关损耗
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay 功率MOSFET
- 据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。
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英飞凌 功率MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘
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IR 功率MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘
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IR 功率MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明，以及其它汽车电源转换应用。
AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR为 DC-DC 应用量身定制的首款汽车级 DirectFET® 器件，提供低
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IR 功率MOSFET AUIRF7648M2
- 瑞萨科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出适用于笔记本电脑及通信设备等产品的存储器或ASIC同步整流DC/DC转换器的RJK0383DPA。该器件集成双类型功率MOSFET，可以实现更高的电源效率。据悉，此器件样品将于在2008年10月在日本开始供应。
RJK0383DPA集成了两种不同类型的双功率MOSFET，构成了一个采用WPAK『注1』（瑞萨封装代码）高热辐射封装的同步整流DC/DC转换器，其面积为5.1×6.1 mm，厚度为0.8 mm（最大）
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瑞萨 转换器 功率MOSFET DC/DC
功率mosfet介绍
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。 [
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