分立元件(三极管)组成的12v降压到9v输出的电路原理图 文章
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- 能不能用干簧管开关直接控制电动机的转与停呢？玩具电动机是常用的动力装置，它能够把电能转换为机械能，可用于小电风扇转动、小离心水泵抽水等执行功能。通常玩具直流电动机工作电压低，虽然在1.5～3V就可以启动，
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电路 原理 自控 三极管 开关
- 如图所示电路，用双三极管ECC82(相当于E802C、E82CC、与北美12AU7、国产6N10型)作为放大器。此类管子l有指标优良和使用寿命长的特点。前置放大器要产生足够的信号幅度去驱动耳机。管脚1、2、3、的三极管部分放大信号
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耳机 放大器 电路 OTL 组成 ECC822 电子管 三极管
- 8月5日消息，据市场调研公司iSuppli日前发布的报告显示，由于产品短缺，以及内存芯片市场价格上涨，预计在今年第三季度中，全球电子元器件的定价将比第二季度增长2.3%。
据国外媒体报道，iSuppli公司表示，在2008年第四季度中，全球电子元器件的价格就下降了8.4%;在今年第一季度中，价格继续下降了9.2%;甚至在接下来的第二季度中仍然下降了5%。不过，预计在第三季度中，电子元器件市场的价格将经历一段较短的增长期。事实上，大多数元器件的价格在第三季度都可能下跌，但是其平均价格将被DRAM芯
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电子元器件 DRAM DDR3 分立元件 滤波器
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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功率放大器 三极管
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
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三极管 WiMAX Cree GaN
- HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管 HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管（HVVFET?），HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级，远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的性能级别，而其成本水平却极具吸引力。
作为初始发布的一部分，HVVi还推出基于这一新颖HVVFET构架的最早三款产品。用于L-波段高功率脉冲RF应用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三个新产品
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HVVi 高频 高电压 场效应 三极管
- 蜂窝通信基站技术发展到了包含2.5G和3G的调制方案，提出了产生更为复杂的RF信号的要求。通过对基站中的功放(PA)性能的监测与控制，可以最大化地提高功放的输出，而同时又可获得最优的线性度和效率。本文将讨论如何利用分立的集成电路对功放进行监测与控制。
无线基站的性能，从功耗、线性度、效率和成本来评价，则主要是由信号链中的功放决定的。LDMOS晶体管的低成本和大功率的特性，使它们成为当今蜂窝基站的功放设计中的放大器选择。而对线性度、效率和增益等方面的固有的折衷考虑，则确定了LDMOS功放晶体管的最优偏置状
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基站，分立元件
- 蜂窝通信基站技术发展到了包含2.5G和3G的调制方案，提出了产生更为复杂的RF信号的要求。通过对基站中的功放(PA)性能的监测与控制，可以最大化地提高功放的输出，而同时又可获得最优的线性度和效率。本文将讨论如何利用分立的集成电路对功放进行监测与控制。
无线基站的性能，从功耗、线性度、效率和成本来评价，则主要是由信号链中的功放决定的。LDMOS晶体管的低成本和大功率的特性，使它们成为当今蜂窝基站的功放设计中的放大器选择。而对线性度、效率和增益等方面的固有的折衷考虑，则确定了LDMOS功放晶体管
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基站 分立元件
- 三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正
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晶体 三极管 显示技术
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P-N结及其电流电压特性
晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0
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二极管 三极管 MOS器件 原理 元件 制造
- 半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管
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三极管 元件 制造
- SMD三极管（SOT-23封装）的表示方法：
90111T
90122T
9013J3
9014J6
9015M6
9016Y6
9018J8
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SMD 封装 三极管 元件 制造
- BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，由于PN结之间的相互影响， 使BJT表现出不同于单个 PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。本节将围绕BJT为什么具有电流放大作用这个核心问题，讨论BJT的结构、内部载流子的运动过程以及它的特性曲线和参数。 一、BJT的结构简介 BJT又常称为晶体管，它的种类很多。按照频率分，有高频管、低频管； 按照功率分，有小、中、大功率管；按照半导
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三极管 电子元件 元件 制造
- 一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于
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三极管 参数 显示技术
分立元件(三极管)组成的12v降压到9v输出的电路原理图介绍
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