- 根据Strategy Analytics公布的最新研究结果，英飞凌科技股份公成为当今世界头号汽车电子芯片供应商。这家位于美国的市场研究机构称，2009年，英飞凌获得9%的全球市场份额，总销售额达到13.1亿美元。尽管2009年汽车行业遭遇重创，但英飞凌却进一步巩固了自己的市场地位。2009年，汽车芯片市场规模缩小21%，从2008的183亿美元降至144亿美元。
英飞凌公司汽车部总裁Jochen Hanebeck指出:“在行业困难时期，我们凭借广泛的产品创新占据汽车电子芯片领域第一的
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英飞凌 汽车电子
- 英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块：采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块，和EconoDUAL系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600 A的EconoDUAL 3。
英飞凌公司副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出这两款新产品，英飞凌再次巩固了其在提供具备最高功率密
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英飞凌 IGBT PrimePACK
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念，两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定，三菱电机将新一代功率芯片，应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中，推出的具备不同额定电流和电压(电流范围：15A 至150A，电压等级：600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT
- 英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米)，高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米)。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。
全新封装采用表面贴装方式，在8x8毫米的无管脚封装内，贴装业界标准TO-220晶粒，并具备金属裸焊盘，便于内部高效散热。其低矮外形便于设计者设计出更薄的电源外壳，满足当今市场对时
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英飞凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 英飞凌科技股份公司近日公布2010财年(截至2010年3月31日)第二季度的财务结果。
英飞凌第二季度的营收为10.35亿欧元，相对于第一季度大幅提高10%，同比提高55%。各业务部的合并财务结果1为1.1亿欧元，较上一季度增长25%。净收入为7,900万欧元，而上一季度的净收入为6,600万欧元。
2010财年第三季度，英飞凌预计公司销售额的增长百分比将会达到较高的个位数，相对于第二季度，各业务部的合并利益率将提高两至四个百分点。
2010财年，英飞凌调整了对本年度的展望，因为20
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英飞凌 芯片
- 英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术，英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求，并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
英飞凌副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出全新的.XT技术，英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术
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英飞凌 IGBT 封装
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念，两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定，三菱电机将新一代功率芯片，应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中，推出的具备不同额定电流和电压(电流范围：15A 至150A，电压等级：600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 据国外媒体报道，欧洲第二大芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies AG)近日公布的财报显示，结束于3月份的本财年第二财季净利润为7900万欧元(约合1.042亿美元)，去年同期亏损2.39亿欧元;第二财季营收为 10亿欧元，同比增长55%。
第二财季净利润好于分析师预期，营收与分析师预期相当。据彭博社调查的分析师此前曾预计，该公司第二季度经调整净利润7130万欧元。第二财季为英飞凌连续第三季度实现盈利，而在那之前10个季度该公司累计亏损额高达39亿欧元。
英飞凌上调了
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英飞凌 MOSFET
- 英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。
英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示：“我们的客户将从功
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英飞凌 MOSFET 飞兆半导体
- 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
飞兆半
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英飞凌 MOSFET DC-DC
- 英飞凌科技股份公司近日宣布公司2009/10财年(截止到2010年9月30日)第二季度业绩和营收优于预期水平，并且前景看好。
2009/10财年第二季度，英飞凌预计公司营收额将环比增长约10%。与此同时，英飞凌还预计，在刚结束的这个季度，公司分部利润率有望达到10%以上。
在本财年第三季度，英飞凌预计公司营收将取得持续增长，而分部业绩将实现大幅攀升。
英飞凌有望上调2009/10全年预期。公司将于4月28日公布第二季度财务数据时提供相关细节。
英飞凌科技股份公司首席执行官Pet
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英飞凌 无线
- 据外电报道，美国国际贸易委员会(USITC)将对DRAM半导体、产品、记忆模块展开调查，因德商英飞凌于今年2月19 日提出专利侵权指控。
英飞凌方面称，尔必达制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面4项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。通过诉讼以寻求USITC下达禁令，禁止尔必达或以尔必达的名义，向美国进口侵犯英飞凌专利的DRAM半导体产品。
被调查的企业名单
USITC表示，将依据1930年美国关税法第337条，对下列厂商展开调查，包括日商尔必
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英飞凌 DRAM
- 机遇与挑战:
主动式传感器应用将越来越广
汽车中所用的传感器越来越多
市场数据:
07年～12年中国汽车传感器销售额复合增长率将达到22.37%
中国已经跃居世界第二大汽车市场
同07年比增长高达22.02%
汽车性能的提升以及汽车市场的蓬勃发展，推动了汽车传感器的快速增长。被动式传感器在某些应用上已难以满足高精度要求，主动式传感器应用将越来越广。
随着汽车性能的提升以及中国汽车市场的快速增长，汽车
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英飞凌 传感器
- 混合动力车电力驱动的关键组件是电机和电机驱动器，IGBT作为电机驱动器的核心，它的可靠性关系着混合动力车辆的安全运行，本文主要针对IGBT模块应用于汽车领域，所涉及的可靠性相关问题进行了探讨，提出了汽车级IGBT概念，并详细说明了英飞凌汽车级IGBT针对汽车应用做出的改进。
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英飞凌 IGBT 可靠性 功率循环 温度循环 201003
- 英飞凌中国副总裁兼执行董事尹怀鹿将未来一年关注焦点锁定在能源效率、无线通信和安全系统等应用领域。特别的，半导体是执行能效政策不可或缺的部分，尤其是可回收能源以及更加高效的引擎驱动。
尹怀鹿
中国工业功率模块市场具有巨大的潜力，主要表现在轨道交通、电动和混合动力汽车、风能发电等应用领域。这都会催生市场对功率模块产品的庞大需求。马达驱动的关键器件就是IGBT。在风能发电供应链中，除了叶片、齿轮箱以及发电机外，风电变流器已经成为主要瓶颈之一，而其主要组成部分也是IGBT模块、IGBT系统组件
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